[發明專利]用于用多個金屬層填充高縱橫比的窄結構的技術以及相關聯的配置

有效

• 申請號: 201480080911.8
• 申請日: 2014-08-29
• 公開（公告）號: CN106663667B
• 公開（公告）日: 2020-02-14
• 發明（設計）人: J·M·施泰格瓦爾德;N·林德特
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L21/60
• 代理公司: 72002 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 陳松濤;韓宏

本公開內容的實施例描述了一種用于用多個金屬層來填充高縱橫比的窄結構的技術以及相關聯的配置。在一個實施例中，一種裝置包括：包括半導體材料的晶體管結構；具有被限定在晶體管結構上方的凹陷部的電介質材料，凹陷部在第一方向上具有高度；被設置在凹陷部中并與晶體管結構耦合電極端子，其中，電極端子的第一部分包括與晶體管結構直接接觸的第一金屬，并且電極端子的第二部分包括設置在第一部分上的第二金屬，并且其中，第一部分與第二部分之間的界面是平面的并且在第二方向上延伸跨過凹陷部，第二方向實質上垂直于第一方向。可以描述和/或請求保護其它實施例。

技術領域

本公開內容的實施例總體上涉及集成電路的領域，并且更具體而言，涉及用于用多個金屬層來填充高縱橫比的窄結構的技術以及相關聯的配置。

背景技術

晶體管結構的尺寸在新興技術中持續縮小至較小尺寸。例如，向晶體管結構傳送電能的金屬接觸部的臨界尺寸可以縮小到其中用于在窄結構中沉積金屬的傳統技術可能由于技術或成本原因而不可行的程度。

附圖說明

通過結合附圖的以下具體實施方式，將容易理解實施例。為了便于描述，類似的附圖標記指代類似的結構元件。在附圖的圖中，通過示例的方式而不是通過限制的方式例示了實施例。

圖1示意性地例示了根據一些實施例的以晶圓形式和以單體化形式的示例管芯的頂視圖。

圖2示意性地例示了根據一些實施例的集成電路(IC)組件的橫截面側視圖。

圖3示意性地例示了根據一些實施例的第一透視圖和第二透視圖中的晶體管電極組件的橫截面側視圖。

圖4A-圖4G示意性地例示了根據一些實施例的在各個制造階段期間的第一透視圖和第二透視圖中的晶體管電極組件的橫截面側視圖。

圖5示意性地例示了根據一些實施例的用于制造晶體管電極組件的方法的流程圖。

圖6示意性地例示了根據一些實施例的可以包括如本文中所描述的晶體管電極組件的示例系統。

具體實施方式

本公開內容的實施例描述了用于用多個金屬層來填充高縱橫比的窄結構的技術以及相關聯的配置。在以下具體實施方式中，參照形成本文的一部分的附圖，其中貫穿附圖類似的附圖標記標識類似的部件，并且在附圖中通過其中可以實施本公開內容的主題的例示實施例的方式而示出。將理解的是，在不脫離本公開內容的范圍的情況下可以利用其它實施例并且可以作出結構或邏輯改變。因此，以下具體實施方式并非在限制意義上被采用，并且實施例的范圍由所附權利要求以及它們的等效形式來限定。

出于本公開內容的目的，短語“A和/或B”表示(A)、(B)、或(A和B)。出于本公開內容的目的，短語“A、B、和/或C”表示(A)、(B)、(C)、(A和B)、(A和C)、(B和C)、或(A、B和C)。

本說明書可以使用諸如頂部/底部、側部、上方/下方、等等之類的基于視角的描述。這些描述僅用于便于討論，而并非旨在將本文中所描述的實施例的應用限制于任何具體范圍。

說明書可以使用短語“在一個實施例中”、或‘在實施例中’，它們均可以指代相同或不同實施例中的一個或多個實施例。此外，如關于本公開內容的實施例所使用的，術語“包括”、“包含”、“具有”、等等是同義詞。

術語“與……耦合”連同其派生詞可以用在本文中。“耦合”可以表示以下含義中的一個或多個含義。“耦合”可以表示兩個或更多個元件直接物理或電接觸。然而，“耦合”還可以表示兩個或更多個元件彼此間接接觸，但仍彼此協作或相互作用，并可以表示一個或多個其它元件耦合或連接在被稱為彼此耦合的元件之間。術語“直接耦合”可以表示兩個或更多個元件直接接觸。