[發明專利]用于用多個金屬層填充高縱橫比的窄結構的技術以及相關聯的配置

有效

• 申請號: 201480080911.8
• 申請日: 2014-08-29
• 公開（公告）號: CN106663667B
• 公開（公告）日: 2020-02-14
• 發明（設計）人: J·M·施泰格瓦爾德;N·林德特
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L21/60
• 代理公司: 72002 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 陳松濤;韓宏

1.一種裝置，包括：

晶體管結構，所述晶體管結構包括半導體材料；

第一電介質材料，所述第一電介質材料具有被限定在所述晶體管結構上方的凹陷部，所述凹陷部在第一方向上具有高度；以及

電極端子，所述電極端子被整個地設置在所述第一電介質材料的所述凹陷部中并與所述晶體管結構耦合，其中，所述電極端子的第一部分包括與所述晶體管結構直接接觸的第一金屬，并且所述電極端子的第二部分包括被設置在所述第一部分上的第二金屬，并且其中，所述第一部分與所述第二部分之間的界面是平面的，并且所述第一部分與所述第二部分之間的界面在第二方向上延伸跨過所述凹陷部，所述第二方向實質上垂直于所述第一方向。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述晶體管結構包括：

柵極，所述柵極包括所述半導體材料；以及

柵極電介質，所述柵極電介質形成在所述柵極上，其中，所述第一金屬與所述柵極電介質直接接觸。

3.根據權利要求2所述的裝置，其中，所述第一金屬是功函數金屬并且所述第二金屬具有與所述第一金屬不同的化學組分。

4.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述晶體管結構包括源極或漏極。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的裝置，其中，所述晶體管結構包括一個或多個鰭狀物結構。

6.根據權利要求5所述的裝置，其中，所述電極端子的所述第一部分覆蓋所述凹陷部內的所述一個或多個鰭狀物結構的表面。

7.根據權利要求1-4中任一項所述的裝置，其中：

所述第一金屬共形地設置在所述晶體管結構的表面上；

所述第一部分包括設置在所述第一金屬上的第三金屬；并且

所述第三金屬在所述第一部分與所述第二部分之間的界面處與所述第二金屬直接接觸。

8.根據權利要求1-4中任一項所述的裝置，其中：

在所述第二方向上的跨所述凹陷部的臨界尺寸小于或等于15納米(nm)；并且

所述凹陷部的所述高度相對于所述臨界尺寸的縱橫比大于或等于2:1。

9.一種用于制造集成電路(IC)結構的方法，所述方法包括：

形成包括半導體材料的晶體管結構；

在所述晶體管結構上方沉積第一電介質材料；

在所述第一電介質材料中形成凹陷部以暴露出所述晶體管結構，所述凹陷部在第一方向上具有高度；以及

在所述第一電介質材料的所述凹陷部中形成整個電極端子，所述電極端子與所述晶體管結構耦合，其中，所述電極端子的第一部分包括與所述晶體管結構直接接觸的第一金屬，并且所述電極端子的第二部分包括被設置在所述第一部分上的第二金屬，并且其中，所述第一部分與所述第二部分之間的界面是平面的，并且所述第一部分與所述第二部分之間的界面在第二方向上延伸跨過所述凹陷部，所述第二方向實質上垂直于所述第一方向。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，形成所述晶體管結構包括形成柵極、源極或漏極。

11.根據權利要求9所述的方法，其中，形成所述晶體管結構包括形成一個或多個鰭狀物結構。

12.根據權利要求9-11中任一項所述的方法，其中，在所述第一電介質材料中形成所述凹陷部包括去除被設置在所述晶體管結構上的犧牲材料。