[發明專利]用于形成背面管芯平面器件和SAW濾波器的方法和裝置有效
| 申請號: | 201480080467.X | 申請日: | 2014-08-07 |
| 公開(公告)號: | CN106797205B | 公開(公告)日: | 2021-03-26 |
| 發明(設計)人: | K·J·李;R·薩拉斯沃特;U·齊爾曼;N·P·考利;R·J·戈德曼 | 申請(專利權)人: | 英特爾公司 |
| 主分類號: | H03H7/00 | 分類號: | H03H7/00;H04B1/00 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 陳松濤;王英 |
| 地址: | 美國加*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 形成 背面 管芯 平面 器件 saw 濾波器 方法 裝置 | ||
描述了一種裝置,其包括:具有再分布層(RDL)的第一管芯的背面;設置在所述背面上的一個或多個無源平面器件,所述一個或多個無源平面器件形成在所述RDL中;具有有源區的所述第一管芯的正面;以及一個或多個過孔,其用于將所述有源區與所述一個或多個無源平面器件耦合。
技術領域
本公開涉及一種用于形成背面管芯平面器件和SAW濾波器的方法和裝置。
背景技術
用于將諸如分布式濾波器元件、電感器、平衡-不平衡變換器等的平面無源器件集成到單片集成電路(IC)上的當前方法是將它們制造到管芯的正面或有源面上。管芯的正面是襯底具有有源器件的側面。圖1A示出了在IC管芯的有源側上具有平面器件(例如,帶狀線叉指型濾波器、電感器、耦合開路線和短截線型低通濾波器(LPF))以及有源器件(例如,鎖相環(PLL)和輸入-輸出收發機(I/O))的單片RF(射頻)IC的頂視圖100。平面器件占用管芯的有源區域相當大的部分。因此,制造更小的管芯是具有挑戰性的。
產業也正在朝著更高的集成系統發展。例如,移動通信設備在成本降低的高要求和對小型化的驅動下進行制造,并且因此將越來越多的部件集成到單個片上系統(SoC)上是重要的關注領域。表面聲波(SAW)濾波器在現代移動通信設備中起重要作用,并且被廣泛用作帶通濾波器(BPF)和天線雙工器。SAW濾波器還可以包含機電部件,并且通過特殊的微加工技術、借助于在包含發射機和接收機電路的IC下方的單獨器件來制造。在多頻帶通信設備中,例如,在長期演進(LTE)收發機中,需要大量的SAW濾波器,這些SAW濾波器大部分是占據大量板面積的單獨部件。
發明內容
根據本公開的一實施例,提供了一種包括第一管芯的裝置,所述裝置還包括:第一管芯的背面,其具有再分布層(RDL);一個或多個無源平面器件,其設置在所述背面上,所述一個或多個無源平面器件形成在所述再分布層中,其中所述一個或多個無源平面器件包括SAW濾波器;以及壓電層,所述壓電層形成在所述第一管芯的所述背面上以使得所述壓電層設置在所述再分布層上。
根據本公開的另一實施例,提供了一種包括管芯的裝置,所述裝置還包括:管芯的背面,其具有再分布層(RDL);一個或多個SAW濾波器,其設置在所述背面上,所述一個或多個SAW濾波器形成在所述再分布層中;壓電層,其設置在所述一個或多個SAW濾波器之上的所述再分布層上;以及一個或多個過孔,其用于將有源區與所述一個或多個SAW濾波器耦合。
根據本公開的又一實施例,提供了一種用于形成平面無源器件的方法,包括:在管芯的正面與背面之間形成過孔;在具有再分布層(RDL)的所述背面上形成平面無源器件,其中所述平面無源器件包括SAW濾波器;以及在所述管芯的所述背面上形成壓電層以使得所述壓電層設置在所述再分布層上。
附圖說明
根據下面給出的具體實施方式和本公開內容的各種實施例的附圖將更全面地理解本公開內容的實施例,然而,具體實施方式和附圖不應被認為是將本公開內容限制于具體實施例,而僅是用于解釋和理解。
圖1A示出了具有設置在IC管芯的有源側上的平面無源器件的單片射頻(RF)集成電路(IC)的頂視圖。
圖1B示出了在具有穿硅過孔(TSV)的管芯的背面上的再分布層(RDL)布局的頂視圖。
圖2示出了根據本公開內容的一些實施例的具有設置在管芯的背面上的一個或多個平面無源器件的管芯的三維(3D)視圖。
圖3示出了根據本公開內容的一些實施例的具有設置在管芯中的一個的背面上的一個或多個平面無源器件的疊置管芯的截面。
圖4示出了根據本公開內容的一些實施例的在具有TSV和設置在背面上的多個平面無源器件的管芯的背面上的RDL布局的頂視圖。
圖5A-D示出了根據本公開內容的一些實施例的形成在管芯的背面上的各種電感器的圖片。
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