[發明專利]用于形成背面管芯平面器件和SAW濾波器的方法和裝置

有效

• 申請號: 201480080467.X
• 申請日: 2014-08-07
• 公開（公告）號: CN106797205B
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發明（設計）人: K·J·李;R·薩拉斯沃特;U·齊爾曼;N·P·考利;R·J·戈德曼
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H03H7/00
• 分類號: H03H7/00;H04B1/00
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 陳松濤;王英

1.一種包括第一管芯的裝置，所述裝置還包括：

第一管芯的背面，其具有再分布層(RDL)；

一個或多個無源平面器件，其設置在所述背面上，所述一個或多個無源平面器件形成在所述再分布層中，其中所述一個或多個無源平面器件包括SAW濾波器；以及

壓電層，所述壓電層形成在所述第一管芯的所述背面上以使得所述壓電層設置在所述再分布層上。

2.根據權利要求1所述的裝置，包括：

所述第一管芯的正面，其具有有源區；以及

一個或多個過孔，其用于將所述有源區與所述一個或多個無源平面器件耦合。

3.根據權利要求2所述的裝置，其中，所述一個或多個過孔包括接地過孔和信號過孔。

4.根據權利要求1所述的裝置，包括耦合到所述第一管芯的所述背面的第二管芯。

5.根據權利要求4所述的裝置，其中，所述第二管芯包括耦合到所述第一管芯的所述一個或多個無源平面器件的有源區。

6.根據權利要求5所述的裝置，包括設置在所述壓電層上的鈍化層。

7.根據權利要求1所述的裝置，其中，所述一個或多個無源平面器件還包括以下項中的一種或多種：

帶通濾波器；

低通濾波器；

高通濾波器；

電感器；

天線；或

平衡-不平衡變換器。

8.根據權利要求1所述的裝置，包括形成在所述管芯的所述背面上的凸塊，以將所述一個或多個無源平面器件耦合到另一個管芯。

9.一種包括管芯的裝置，所述裝置還包括：

管芯的背面，其具有再分布層(RDL)；

一個或多個SAW濾波器，其設置在所述背面上，所述一個或多個SAW濾波器形成在所述再分布層中；

壓電層，其設置在所述一個或多個SAW濾波器之上的所述再分布層上；以及

一個或多個過孔，其用于將有源區與所述一個或多個SAW濾波器耦合。

10.根據權利要求9所述的裝置，包括：

所述管芯的正面，其具有所述有源區。

11.根據權利要求10所述的裝置，其中，所述有源區包括耦合到所述一個或多個SAW濾波器的其中之一的低噪聲放大器(LNA)。

12.根據權利要求10所述的裝置，其中，所述有源區包括耦合到所述一個或多個SAW濾波器的其中之一的功率放大器(PA)。

13.根據權利要求9所述的裝置，還包括設置在所述背面上的一個或多個無源平面器件。

14.一種包括存儲器的系統，所述系統還包括：

耦合到所述存儲器的處理器管芯，所述處理器管芯具有根據權利要求1至8中的任一項所述的裝置；以及

無線接口，其用于允許所述處理器與另一個設備通信地耦合。

15.根據權利要求14所述的系統，包括用于顯示由所述處理器處理的內容的顯示界面。

16.一種用于形成平面無源器件的方法，包括：

在管芯的正面與背面之間形成過孔；

在具有再分布層(RDL)的所述背面上形成平面無源器件，其中所述平面無源器件包括SAW濾波器；以及

在所述管芯的所述背面上形成壓電層以使得所述壓電層設置在所述再分布層上。

17.根據權利要求16所述的方法，包括在所述再分布層的頂部上沉積無源層。

18.根據權利要求16所述的方法，包括在所述管芯的所述正面上形成有源器件。