[發明專利]通過DC偏壓調制的顆粒產生抑制器

有效

• 申請號: 201480065285.5
• 申請日: 2014-10-15
• 公開（公告）號: CN105793955B
• 公開（公告）日: 2019-09-13
• 發明（設計）人: 白宗薰;S·樸;陳興隆;D·盧博米爾斯基
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖

1.一種用于減少處理腔室中的顆粒產生的方法，所述方法包括以下步驟：

在基板工藝期間，在第一電極與第二電極之間產生等離子體；以及

在所述基板工藝期間從DC電源對所述第一電極施加恒定為零的DC偏壓電壓并防止來自射頻(RF)電源的RF信號進入所述DC電源。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述等離子體是通過向所述第一電極施加550W或更高的RF輸入功率來產生的。

3.如權利要求1所述的方法，其中所述第一電極與所述第二電極設置在處理區域上方，基板設置在所述處理區域中。

4.如權利要求1所述的方法，其中所述第二電極電連接至地。

5.一種用于減少處理腔室中的顆粒產生的方法，所述方法包括以下步驟：

在所述處理腔室的第一電極與第二電極之間產生等離子體，其中所述第一電極設置在所述第二電極上方，并且所述第二電極設置在具有基板支撐表面的基板支撐件上方并且與所述基板支撐件相對；

監測在所述第一電極處產生的DC偏壓電壓以獲得DC偏壓反饋信號；以及

基于所述DC偏壓反饋信號來控制所述第一電極處的DC偏壓電壓極性，以在基板工藝期間調整所述第一電極與所述等離子體之間的電位差和/或所述第二電極與所述等離子體之間的電位差。

6.如權利要求5所述的方法，其中控制所述第一電極處的DC偏壓電壓極性的步驟包括以下步驟：利用恒定為零的DC偏壓電壓來操作所述第一電極。

7.如權利要求6所述的方法，其中利用恒定為零的DC偏壓電壓來操作所述第一電極是通過對所述第一電極施加零DC偏壓電壓來執行的。

8.如權利要求6所述的方法，其中利用恒定為零的DC偏壓電壓來操作所述第一電極是通過將DC偏壓電壓從所述第一電極引導至地來執行的。

9.如權利要求5所述的方法，其中所述第二電極電連接至地。

10.一種用于處理基板的設備，所述設備包括：

腔室主體；

蓋組件，所述蓋組件設置在所述腔室主體的上方，所述蓋組件包括第一電極與第二電極，所述第二電極定位成基本上平行于所述第一電極；

氣體分配板，所述氣體分配板設置在基板處理區域與所述蓋組件之間；以及

基板支撐件，所述基板支撐件設置在所述腔室主體內，所述基板支撐件具有基板支撐表面；

其中所述第一電極電連接至射頻(RF)電源與DC偏壓調制配置，并且所述DC偏壓調制配置能配置成在基板工藝期間以恒定為零的DC偏壓電壓來操作所述第一電極，并且其中所述DC偏壓調制配置包括DC電源以及耦接至所述DC電源的RF濾波器，所述RF濾波器能操作用于防止來自所述RF電源的RF信號進入所述DC電源。

11.如權利要求10所述的設備，其中所述DC偏壓調制配置還包括功率控制器，所述功率控制器能操作用于對所述第一電極施加恒定為零的DC偏壓電壓。

12.如權利要求10所述的設備，其中所述DC偏壓調制配置包括電部件，所述電部件能操作用于將在所述第一電極處產生的DC偏壓引導至地。

13.如權利要求12所述的設備，其中所述電部件包括處于單級或多級配置的低通濾波器或帶通濾波器。

14.如權利要求12所述的設備，其中所述電部件能操作用于向來自所述RF電源的RF信號提供高阻抗路徑，并且向來自所述第一電極的DC信號提供低或無阻抗路徑。