[發明專利]電阻元件及其制造方法

有效

• 申請號: 201480064692.4
• 申請日: 2014-11-19
• 公開（公告）號: CN105765671B
• 公開（公告）日: 2018-04-03
• 發明（設計）人: 幸田壯平;竹上裕也
• 申請（專利權）人: KOA株式會社
• 主分類號: H01C17/06
• 分類號: H01C17/06;H01C7/00;H01C17/28
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司11262
• 代理人: 張瑞,鄭霞

技術領域

本發明涉及電阻元件及其制造方法，更詳細地說，涉及電阻元件的電極形成技術。

背景技術

一直以來，使用通過在印刷基板等上形成的配線和引線接合進行連接的電阻元件。

例如，專利文獻1中公開了一種能夠進行引線接合的小型的晶片電阻器及其制造方法。在專利文獻1記載的晶片電阻器中，以跨過在晶片基體上分開形成的第1電極和第2電極之間的方式形成電阻體。而且，通過在第1電極上布設引線，可以實現電連接。在焊錫安裝的情況下，具有在達到焊錫的熔點以上的環境中不能使用晶片電阻器等的限制，但通過引線接合，可以回避該限制。

專利文獻1中，在具有電絕緣性的基板即氧化鋁燒結體的晶片基體的上表面的長度方向的兩端部，通過例如銀(Ag)－鈀(Pd)－玻璃的金屬釉形成電極，通過氧化釕(RuO₂)系氧化物在電極間形成電阻體。最終，在電極上進行引線接合(參照專利文獻1的圖10)。

在先技術文獻

專利文獻

專利文獻1:日本特開平9－162002號公報

發明內容

發明要解決的技術問題

通過在電阻器上進行引線接合而實現電連接的情況下，如何提高電阻器的電極和接合線的連接強度成為問題。為此，形成含有表面的電極的電極層必須是致密的，但現有的電極在致密性方面存在問題。

本發明的目的在于，提供一種將通過進行引線接合來實現電連接的電阻器用的電極形成為致密的導電性厚膜的技術。

另外，本發明的目的在于，提供一種具備適于通過楔焊將鋁線等與電極連接的致密的電極的電阻器。

解決技術問題的技術方案

根據本發明的一個觀點，提供一種晶片電阻元件的制造方法，該晶片電阻元件具備基板、所述基板上的電阻體、以及與所述電阻體的兩端連接的電極，所述晶片電阻元件的制造方法包括在所述基板上形成所述電極的電極形成工序，所述電極形成工序由包括：由含銀的第1電極材料在所述基板上形成第1電極層的工序；以及由含有銀和鈀的第2電極材料在所述第1電極層上形成第2電極層的工序，其中，所述第1電極材料比所述第2電極材料含銀多。

在電極中下層的第1電極層的材料的銀多，因而在熱處理(燒成)等的Ag的相互擴散時，銀向上層的第2電極層的擴散成為主導，因此通過擴散的銀填補在第2電極層生成的氣泡等，從而電極變得致密。

另外，通過鈀，可以防止銀向電阻體的遷移及硫化。

所述晶片電阻元件的制造方法的特征在于，形成所述第1電極層的工序包括在所述基板上堆積銀－鉑系金屬材料和玻璃的漿料作為所述第1電極材料的工序，形成所述第2電極層的工序包括與所述第1電極層重疊地堆積銀－鈀系金屬材料和玻璃的漿料作為所述第2電極材料并進行燒成的工序。

電極在第2電極材料燒成后被熔合，電阻體因在其后形成，所以電極變得致密，電阻體不與電極接觸。

所述晶片電阻元件的制造方法的特征在于，所述第1電極材料在所含的金屬成分之比中含銀95wt％以上，所述第2電極材料在所含的金屬成分之比中含銀90wt％以下。

所述第1電極材料在所含的金屬成分(玻璃成分除外)之比中含銀95wt％以上(95－99.5wt％)，所述第2電極材料在所含的金屬成分之比中含銀90wt％以下(70－90wt％)，從而促進銀的相互擴散，形成致密的電極。

鈀為10－30wt％，防止硫化及銀的遷移，鉑為0.5－5wt％，提高基板和電極的貼緊性。

在此，通過以第2電極層以上的厚度形成第1電極層，促進銀從銀的濃度高的第1電極層向第2電極層的擴散。

根據本發明的其它觀點，提供一種晶片電阻元件，該晶片電阻元件具備基板、所述基板上的電阻體、以及與所述電阻體的兩端連接的電極，其特征在于，所述電極含銀，并具有所述電極的銀的濃度從所述基板側朝向所述基板的相反側沿厚度方向傾斜的銀濃度傾斜層。

另外，所述晶片電阻元件的特征在于，在所述基板的相反側具有作為銀以外的金屬的含量的鈀的含量高的富鈀層。

所述晶片電阻元件的特征在于，所述銀濃度傾斜層的銀濃度從95wt％以上傾斜至90wt％以下。

本說明書包含本申請優先權的基礎即日本國專利申請2013－256325號的說明書及/或附圖記載的內容。

發明效果

通過使電極變得致密，可以降低引線接合工序及檢測工序等對電極的損害，可以提高接觸強度。

附圖說明