[發(fā)明專(zhuān)利]電阻元件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201480064692.4
• 申請(qǐng)日: 2014-11-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105765671B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 幸田壯平;竹上裕也
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: KOA株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01C17/06
• 分類(lèi)號(hào): H01C17/06;H01C7/00;H01C17/28
• 代理公司: 北京安信方達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11262
• 代理人: 張瑞,鄭霞

1.一種晶片電阻元件的制造方法，所述晶片電阻元件具備基板、所述基板上的電阻體、以及與所述電阻體的兩端連接的電極，其中，

所述晶片電阻元件的制造方法包括在所述基板上形成所述電極的電極形成工序，

所述電極形成工序包括：

由含銀的第1電極材料在所述基板上形成第1電極層的工序；以及

由含銀和鈀的第2電極材料在所述第1電極層上形成第2電極層的工序，

所述第1電極材料比所述第2電極材料含銀多，

形成所述第1電極層的工序包括：在所述基板上堆積銀－鉑系金屬材料和玻璃的漿料作為所述第1電極材料的工序，

形成所述第2電極層的工序包括：與所述第1電極層重疊地堆積銀－鈀系金屬材料和玻璃的漿料作為所述第2電極材料，并進(jìn)行燒成的工序。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片電阻元件的制造方法，其特征在于，

所述第1電極材料在所含的金屬成分之比中含有銀95wt％以上，

所述第2電極材料在所含的金屬成分之比中含有銀90wt％以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶片電阻元件的制造方法，其特征在于，

以所述第2電極層以上的厚度形成所述第1電極層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶片電阻元件的制造方法，其特征在于，

所述第1電極材料含有鉑。

5.一種晶片電阻元件，具備基板、所述基板上的電阻體、以及與所述電阻體的兩端連接的電極，其特征在于，

所述電極含有銀，

并具有所述電極中的銀的濃度從所述基板側(cè)朝向所述基板的相反側(cè)沿厚度方向傾斜的銀濃度傾斜層，

所述銀濃度傾斜層的上側(cè)具有鈀含量高的富鈀層，

所述銀濃度傾斜層的下側(cè)具有含有鉑的含鉑層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶片電阻元件，其特征在于，

所述銀濃度傾斜層的銀濃度從95wt％以上傾斜至90wt％以下。