[發(fā)明專利]EUV投射光刻的照明系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201480063956.4
• 申請日: 2014-11-21
• 公開（公告）號: CN105765460B
• 公開（公告）日: 2018-12-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: M.帕特拉;R.米勒
• 申請（專利權(quán)）人: 卡爾蔡司SMT有限責(zé)任公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 邱軍;張邦帥

1.一種EUV投射光刻的照明系統(tǒng)的偏轉(zhuǎn)光學(xué)單元(13；35；36；37,38；39；40)

-包含多個(gè)偏轉(zhuǎn)反射鏡(D1至D4；D1至D5,D1至D6；D1至D8)，EUV輻射(3)以掠入射在共同的偏轉(zhuǎn)入射平面(xz)中連續(xù)地照射在所述多個(gè)偏轉(zhuǎn)反射鏡上，

-其中設(shè)置了用于掠入射的至少四個(gè)偏轉(zhuǎn)反射鏡(D1至D4)，所述至少四個(gè)偏轉(zhuǎn)反射鏡在所述偏轉(zhuǎn)入射平面(xz)中聯(lián)合地具有多于70°的偏轉(zhuǎn)效應(yīng)，

-其中，所述偏轉(zhuǎn)反射鏡(D1至D8)的至少之一實(shí)施為凸柱形反射鏡和/或所述偏轉(zhuǎn)反射鏡(D1至D8)的至少之一實(shí)施為凹柱形反射鏡。

2.如權(quán)利要求1所述的偏轉(zhuǎn)光學(xué)單元，其特征在于，所述偏轉(zhuǎn)反射鏡(D1；D1至D8；D1至D4)的至少之一實(shí)施為能以驅(qū)動(dòng)方式位移。

3.如權(quán)利要求1或2所述的偏轉(zhuǎn)光學(xué)單元，其特征在于，所述偏轉(zhuǎn)反射鏡(D1至D8)的至少之一實(shí)施為具有以驅(qū)動(dòng)方式可變的曲率半徑。

4.一種EUV投射光刻的照明系統(tǒng)的光束引導(dǎo)光學(xué)單元(10)，包括如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的偏轉(zhuǎn)光學(xué)單元，其特征在于，所述光束引導(dǎo)光學(xué)單元(10)包含聚焦組合件(14；41；45；46；49；52；55)，其將光束傳輸至所述光束引導(dǎo)光學(xué)單元(10)的中間焦點(diǎn)(42)。

5.如權(quán)利要求4所述的光束引導(dǎo)光學(xué)單元(10)，其特征在于，所述聚焦組合件(14；41；45；46；49；52；55)包含至少兩個(gè)反射鏡(47,48；50；51；53,54)，即

-一方面至少一個(gè)橢球面反射鏡(47；50；54)，以及

-另一方面至少一個(gè)拋物面反射鏡(53)或至少一個(gè)雙曲面反射鏡(48；51)。

6.一種EUV投射光刻的照明系統(tǒng)，

-包含光束成形光學(xué)單元(6)，用于從基于同步加速器輻射的光源(2)的EUV原始光束(4)產(chǎn)生EUV聚集輸出光束(7)，

-包含輸出耦合光學(xué)單元(8)，用于從所述EUV聚集輸出光束(7)產(chǎn)生多個(gè)EUV單獨(dú)輸出光束(9_i)，

-在各個(gè)情況中包含如權(quán)利要求4和5中任一項(xiàng)所述的光束引導(dǎo)光學(xué)單元(10)，用于引導(dǎo)各EUV單獨(dú)輸出光束(9_i)朝向物場(11)，光刻掩模(12)可布置在所述物場中。

7.如權(quán)利要求6所述的照明系統(tǒng)，其特征在于，所述光束成形光學(xué)單元(6)實(shí)施為產(chǎn)生具有縱橫比貢獻(xiàn)1的EUV聚集輸出光束(7)，其中，所述輸出耦合光學(xué)單元(8)和所述光束引導(dǎo)光學(xué)單元(10)的組合實(shí)施為隨后產(chǎn)生N個(gè)EUV單獨(dú)輸出光束(9₁,9_N)，其具有的縱橫比貢獻(xiàn)分別為1:1。

8.如權(quán)利要求6或7所述的照明系統(tǒng)，包含EUV光源(12)。

9.一種EUV光刻的投射曝光設(shè)備(1)，

-包含如權(quán)利要求6至8中任一項(xiàng)所述的照明系統(tǒng)，

-包含用于將掩模母版(12)安裝在物場(11)中的掩模母版保持器(20)，照明系統(tǒng)的照明光(3)照射在所述掩模母版上，

-包含投射光學(xué)單元(19)，用于將照明場(11)成像在像平面(23)中的像場(22)中，

-包含用于將晶片(24)安裝在所述像平面(23)中的晶片保持器(25)，使得布置在所述物場(11)中的掩模母版結(jié)構(gòu)在投射曝光期間成像至布置在所述像場(22)中的晶片部分上。

10.一種制造結(jié)構(gòu)化部件的方法，包含以下方法步驟：

-提供掩模母版(12)和晶片(24)，

-借助于如權(quán)利要求9所述的投射曝光設(shè)備(1)，將所述掩模母版(12)上的結(jié)構(gòu)投射至所述晶片(24)的光敏層上，

-在所述晶片(24)上制造微結(jié)構(gòu)或納米結(jié)構(gòu)。

11.一種根據(jù)如權(quán)利要求10所述的方法制造的結(jié)構(gòu)化部件。