[發明專利]EUV投射光刻的照明系統有效
| 申請號: | 201480063956.4 | 申請日: | 2014-11-21 |
| 公開(公告)號: | CN105765460B | 公開(公告)日: | 2018-12-28 |
| 發明(設計)人: | M.帕特拉;R.米勒 | 申請(專利權)人: | 卡爾蔡司SMT有限責任公司 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 邱軍;張邦帥 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | euv 投射 光刻 照明 系統 | ||
本發明涉及一種EUV投射光刻的照明系統,包含:光束成形光學單元(6),用于從基于同步加速器輻射的光源(2)的EUV原始光束(4)產生EUV聚集輸出光束(7)。解耦光學單元(8)用于從所述EUV聚集輸出光束(7)產生多個EUV單獨輸出光束(9i)。光束引導光學單元(10)用于在各個情況中引導各EUV單獨輸出光束(9i)朝向物場(11),光刻掩模(12)可布置在所述物場中。結果,照明系統高度無損失,并且同時靈活引導基于同步加速器輻射的光源的EUV光。
相關申請的交叉引用
通過引用將德國專利申請10 2013 223 935.1的內容并入于此。
技術領域
本發明涉及一種EUV投射光刻的照明系統的偏轉光學單元。本發明還涉及一種EUV投射光刻的照明系統的光束成形光學單元和光束引導光學單元。此外,本發明涉及一種EUV投射光刻的照明系統和EUV投射光刻的投射曝光設備。最后,本發明涉及一種制造結構化部件的方法和根據該方法制造的結構化部件。
背景技術
從US 2011/0 014 799 A1、WO 2009/121 438 A1、US 2009/0 174 876 A1、US 6,438,199 B1和US 6,658,084 B2已知包含照明系統的投射曝光設備。從DE 103 58 225B3和US 6,859,515 B已知EUV光源。US 2003/0002022 A1、DE 10 2009 025 655 A1、US 6,700,952和US 2004/0140440 A已知EUV投射曝光設備的其它組成部件。已知EUV光源的其它參考發現于WO 2009/121438A1中。另外從US 2003/0043359 A1和US 5,896,438已知EUV照明光學單元。
發明內容
本發明的目的在于發展一種EUV投射光刻的照明系統的偏轉光學單元、光束成形光學單元和光束引導光學單元,以及一種EUV投射光刻的照明系統,使得在沒有損失的情況下并且同時靈活地以最大可能程度引導基于同步加速器輻射的光源的EUV光。
根據本發明,這些目的通過具有權利要求1中指定特征的偏轉光學單元,通過具有權利要求9中指定特征的光束引導光學單元,通過具有權利要求4 中指定特征的光束成形光學單元,以及通過具有權利要求11中指定特征的照明系統來達成。
由基于同步加速器輻射的光源提供的EUV光或EUV輻射的光束引導由于通過這種光源發出的EUV未處理光束的特性而需要特定條件作用。該條件作用通過根據本發明的光束成形光學單元、輸出冷卻光學單元和光束引導光學單元以及通過單獨光束引導組成部件(即,偏轉光學單元和聚焦組合件)來確保。
基于同步加速器輻射的光源可為自由電子激光器(FEL),波動器、搖擺器或x射線激光器。基于同步加速器輻射的光源可具有小于0.1mm2的光學擴展量或甚至更小的光學擴展量。根據本發明的光學單元通常可以具有這種小光學擴展量的光源的發射來操作,而不依賴于是否包含基于同步加速器輻射的光源。
光束成形光學單元提供對從未處理光束聚集的輸出光束的預成形,從而準備用于經由輸出耦合光學單元的隨后輸出耦合為單獨的輸出光束。所述單獨的輸出光束由光束引導光學單元引導至相應物場。這導致使用同一個基于同步加速器輻射的光源照明多個物場的可能性,這進而借助于同一個基于同步加速器輻射的光源來提供供應可用于制造微結構或納米結構部件(例如半導體芯片、尤其是存儲器芯片)的多個投射曝光設備的可能性。
借助于輸出耦合光學單元和下游的光束引導光學單元,可確保針對不同EUV單獨輸出光束中輻射功率的各部分的可變強度分布。因此,可執行對供應的投射曝光設備的數量的適配和對相應投射曝光設備需要的光功率的適配。為了制造特定結構,對分別所需的光功率的不同要求那么還可通過照明系統的相應適配來實現。
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