[發明專利]用于原位清潔工藝腔室的方法和裝置

有效

• 申請號: 201480063929.7
• 申請日: 2014-12-02
• 公開（公告）號: CN105765103B
• 公開（公告）日: 2018-09-25
• 發明（設計）人: 喬爾·M·休斯頓;尼古拉斯·R·丹尼;高建德
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/56
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

本文提供用于原位清潔基板處理腔室的方法和裝置。一種基板處理腔室可以包括：腔室主體，所述腔室主體包封內部容積；腔室蓋，所述腔室蓋可移除地耦接到所述腔室主體上，并且包括第一流動通道，所述第一流動通道被流體耦接到所述內部容積，以便選擇性地使所述內部容積與第一出口相通或將所述內部容積密封以與所述第一出口隔開；腔室底，所述腔室底包括第二流動通道，所述第二流動通道被流體耦接到所述內部容積，以便選擇性地使所述內部容積與第一入口相通或將所述內部容積密封以與所述第一入口隔開；以及泵環，所述泵環設置在所述內部容積中并與所述內部容積流體連通，所述泵環包括：上部腔室，所述上部腔室被流體耦接到下部腔室；以及第二出口，所述第二出口被流體耦接到所述下部腔室，以便選擇性地使所述內部容積與所述第二出口相通或將所述內部容積密封以與所述第二出口隔開。

技術領域

本公開內容的實施方式總體涉及基板處理設備。

背景技術

基板處理系統(諸如等離子體反應器)可用來在支撐于處理腔室內的基板上沉積、蝕刻或形成層。所述工藝可能在處理腔室的各部分上造成不當的沉積。處理腔室的清潔工藝周期性地進行清潔，以去除可能積聚在腔室中的不當的沉積以及廢物。在一些清潔工藝(有時稱為原位清潔(In-situ cleaning))中，清潔氣體被引入到腔室以對腔室以及內部部件進行清潔，并且接著將清潔氣體排至適當處理設備。

本發明人已觀察到在一些原位清潔工藝中，清潔氣體并未充分清潔腔室表面并且可能完全未接觸到一些表面。

因此，本發明人在本文中已提供可使原位清潔工藝性能提高的裝置和方法。

發明內容

本文提供用于原位清潔基板處理腔室的方法和裝置。在一些實施方式中，一種基板處理腔室包括：腔室主體，所述腔室主體包封內部容積；腔室蓋，所述腔室蓋可移除地耦接到所述腔室主體的上部部分，所述腔室蓋包括第一流動通道，所述第一流動通道被流體耦接到所述內部容積并且適于選擇性地使所述內部容積與第一出口相通或將所述內部容積密封以與所述第一出口隔開；腔室底，所述腔室底耦接到所述腔室主體的下部部分，所述腔室底包括第二流動通道，所述第二流動通道被流體耦接到所述內部容積并且適于選擇性地使所述內部容積與第一入口相通或將所述內部容積密封以與所述第一入口隔開；以及泵環，所述泵環設置在所述內部容積中并與所述內部容積流體連通，所述泵環包括：上部腔室，所述上部腔室被流體耦接到下部腔室；以及第二出口，所述第二出口被流體耦接到所述下部腔室并且適于選擇性地使所述內部容積與所述第二出口相通或將所述內部容積密封以與所述第二出口隔開，其中所述第二流動通道、所述內部容積、所述泵環和所述第二出口構成第一流路，并且所述第二流動通道、所述內部容積、所述第一流動通道和所述第一出口構成第二流路。所述第一流動通道還進一步適于選擇性地使所述內部容積與第二入口相通或將所述內部容積密封以與所述第二入口隔開。

在一些實施方式中，一種工藝腔室清潔方法包括：使清潔氣體穿過腔室底通過第一流動通道引入到腔室主體的內部容積；提供所述清潔氣體的可選第一流路，所述第一流路包括所述第一流動通道、所述腔室的內部容積、所述腔室內的泵環和第一出口；提供所述清潔氣體的可選第二流路，所述第二流路包括所述第一流動通道、所述腔室的所述內部容積和穿過腔室蓋的第二出口；以及選擇流路以便提供清潔氣體流路。在一些實施方式中，所述方法可進一步包括以下任一或兩者：選擇所述第一流路以便提供第一清潔氣體流路；以及選擇所述第二流路以便提供第二清潔氣體流路。

以下描述本公開內容的其他和進一步實施方式。

附圖簡述

可以參考附圖中描繪的本公開內容的例示性的實施方式來理解本公開內容的以上簡要概述并在以下更詳細描述的實施方式。然而，應當注意，附圖僅示出本公開內容的典型實施方式，因此不應被視為對本公開內容范圍的限制，因為本公開內容可允許其他等效實施方式。

圖1描繪根據本公開內容的實施方式的處理腔室的側截面示意圖。