[發明專利]用于原位清潔工藝腔室的方法和裝置有效
| 申請號: | 201480063929.7 | 申請日: | 2014-12-02 |
| 公開(公告)號: | CN105765103B | 公開(公告)日: | 2018-09-25 |
| 發明(設計)人: | 喬爾·M·休斯頓;尼古拉斯·R·丹尼;高建德 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | C23C16/44 | 分類號: | C23C16/44;C23C16/56 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 原位 清潔 工藝 方法 裝置 | ||
1.一種基板處理腔室,所述基板處理腔室包括:
腔室主體,所述腔室主體包封內部容積;
腔室蓋,所述腔室蓋可移除地耦接到所述腔室主體的上部部分,所述腔室蓋包括第一流動通道,所述第一流動通道被流體耦接到所述內部容積并且適于選擇性地使所述內部容積與第一出口相通或將所述內部容積密封以與所述第一出口隔開;
腔室底,所述腔室底耦接到所述腔室主體的下部部分,所述腔室底包括第二流動通道,所述第二流動通道被流體耦接到所述內部容積并且適于選擇性地使所述內部容積與第一入口相通或將所述內部容積密封以與所述第一入口隔開;以及
泵環,所述泵環設置在所述內部容積中并與所述內部容積流體連通,所述泵環包括:上部腔室,所述上部腔室被流體耦接到下部腔室;以及第二出口,所述第二出口被流體耦接到所述下部腔室并且適于選擇性地使所述內部容積與所述第二出口相通或將所述內部容積密封以與所述第二出口隔開,其中所述第二流動通道、所述內部容積、所述泵環和所述第二出口構成第一流路,并且所述第二流動通道、所述內部容積、所述第一流動通道和所述第一出口構成第二流路。
2.根據權利要求1所述的腔室,其中,所述第一流動通道還進一步適于選擇性地使所述內部容積與第二入口相通或將所述內部容積密封以與所述第二入口隔開。
3.根據權利要求2所述的腔室,進一步包括:
第二氣體供源,所述第二氣體供源耦接到所述第二入口以提供工藝氣體或清潔氣體中的至少一種。
4.根據權利要求1所述的腔室,進一步包括:
基板支撐件,所述基板支撐件設置在所述內部容積中,所述基板支撐件包括具有頂表面的板,所述板由軸支撐,其中所述板將所述內部容積分成介于所述頂表面與所述腔室蓋之間的處理區域以及介于所述頂表面與所述腔室底之間的非處理的區域。
5.根據權利要求4所述的腔室,其中,所述第一流路的一部分包括所述非處理的區域的一部分。
6.根據權利要求4所述的腔室,其中以下之一:
所述第二流路的一部分包括所述非處理的區域的一部分;或者
所述第二流路的一部分包括所述處理區域。
7.根據權利要求1至6中任一項權利要求所述的腔室,進一步包括第一氣體供源,所述第一氣體供源通過閥流體耦接到所述第一流動通道,使得所述內部容積可以選擇性地通向所述第一氣體供源和對所述第一出口封閉、通向所述第一出口和對所述第一氣體供源封閉、或者對所述第一氣體供源和所述第一出口兩者封閉。
8.根據權利要求1至6中任一項權利要求所述的腔室,其中,所述第一流路和所述第二流路可選擇為同時打開、按順序打開、或者關閉。
9.根據權利要求1至6中任一項權利要求所述的腔室,進一步包括:
閥,所述閥被流體耦接到所述第一流動通道,適于選擇性地使所述內部容積與所述第一出口相通或與所述第一氣體入口相通。
10.根據權利要求9所述的腔室,其中,第三流路包括處理區域、所述泵環、所述閥和所述第二出口。
11.根據權利要求1至6中任一項權利要求所述的腔室,進一步包括以下至少一個:
加熱器,所述加熱器設置在所述腔室蓋中,以將所述腔室蓋的內表面加熱到100℃與300℃之間的清潔溫度;或者
加熱板,所述加熱板設置在所述腔室底上,以將所述腔室底和所述泵環的面向內的表面加熱到100℃與300℃之間的清潔溫度。
12.根據權利要求1至6中任一項權利要求所述的腔室,進一步包括一或多個泵,所述一或多個泵被流體耦接到所述第一出口和所述第二出口中的一或多個,以促使流通過所述腔室。
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C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





