[發明專利]基板處理裝置和基板處理方法

有效

• 申請號: 201480062816.5
• 申請日: 2014-10-21
• 公開（公告）號: CN105723496B
• 公開（公告）日: 2019-01-11
• 發明（設計）人: 梶原雄二
• 申請（專利權）人: 佳能安內華股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;C23C14/58;H01L21/3065;H01L21/677;H01L21/683
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

本發明的目的是提供一種能夠在較清潔的狀況下傳送基板的、用于冷卻基板的基板處理裝置和方法。作為本發明的基板處理裝置的實施方式的基板冷卻裝置(100)設置有室(101)、提供冷卻的冷卻單元(109、112)、基板保持件(103)和遮蔽件(111)，基板保持件(103)具有用于將基板(S)載置于所述室的基板載置面(103a)并且基板保持件(103)被冷卻單元冷卻，遮蔽件(111)具有圍繞所述室內的基板載置面的側方的側壁部并且遮蔽件(111)被冷卻單元冷卻。此外，在遮蔽件的內表面附近布置有遮蔽件加熱器(116)。

技術領域

本發明涉及在真空室內冷卻基板的裝置和方法。

背景技術

已知一種集群式(cluster type)或串列式(in-line type)的基板處理系統設備，其設置有多個處理室以便在基板上連續地執行成膜處理、蝕刻處理等的多個處理。成膜處理和蝕刻處理一般在高溫下發生。因此，在某些情況下，基板處理系統可能設置有用于將已受到成膜處理或蝕刻處理的基板冷卻至預定溫度的冷卻室(以下也稱為基板冷卻裝置)。通過在成膜處理或蝕刻處理之后將基板傳送到冷卻室并在冷卻室內冷卻基板，能夠縮短直到基板冷卻到預定溫度的等待時間。

專利文獻1公開了示例的冷卻室。專利文獻1中說明的冷卻室包括設置于室內壁的上冷卻構件和設置于基板保持件的下冷卻構件。通過將基板的頂面和底面夾在上冷卻構件與下冷卻構件之間，冷卻室能夠快速冷卻基板。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開平10-107126號公報

發明內容

通過使用真空泵，使專利文獻1中說明的冷卻室維持真空以便防止基板氧化和污染。在真空下，被冷卻至低溫的基板保持件起到類似真空泵的作用并將諸如水分子等的氣體分子吸著于其表面。另一方面，從外部傳送到冷卻室內的基板具有高溫。出于這個原因，當基板在被傳送的狀態下接近基板保持件時，基板將熱能賦予被吸著于基板保持件的氣體分子，由此使氣體分子的一部分從基板保持件解放并釋放到基板附近的空間內。結果，氣體分子可能粘附于基板的頂面。雖然專利文獻1的技術適用于將高溫基板載置于水冷卻的基板保持件的情況，然而，將室溫(0℃至50℃)的基板載置于被冷卻到-100℃以下的基板保持件的情況下也發生相同的現象。

即使通過清理冷卻室的內部來去除吸著于基板保持件的氣體分子，在傳送基板的過程中也會將其它氣體分子從外部帶入冷卻室內。因此，吸著于基板保持件的氣體分子隨著處理多個基板而再次增加。

做出本發明以解決上述問題。本發明的目的是提供一種用于冷卻基板的基板處理裝置和基板處理方法，其能夠在較清潔的狀態下傳送基板。

本發明的第一方面是一種基板處理裝置，其包括：室，所述室的內部能夠被抽真空；基板保持件，所述基板保持件設置在所述室的內部，并且所述基板保持件包括能夠冷卻基板的基板載置面；遮蔽件，所述遮蔽件設置在所述室的內部并且包括側壁部，所述側壁部被設置成圍繞所述基板載置面的側方；和遮蔽件冷卻單元，所述遮蔽件冷卻單元用于冷卻所述遮蔽件。

根據本發明的基板處理裝置，遮蔽件被遮蔽件冷卻單元冷卻，并且遮蔽件設置有圍繞基板載置面的側部的側壁部。因而，能夠將在傳送基板時從基板保持件釋放出的氣體分子捕獲到遮蔽件的側壁部，因而能夠減少基板受到的氣體分子的污染。

附圖說明

圖1是示出了根據本發明的實施方式的基板冷卻裝置的示意性構造圖。

圖2是根據本發明的實施方式的遮蔽件的截面圖。

圖3是包括根據本發明的實施方式的基板冷卻裝置的基板處理系統的示意性構造圖。

圖4是通過使用根據本發明的實施方式的基板冷卻裝置來執行冷卻處理的示例性元件構造的示意圖。