[發(fā)明專利]基板處理裝置和基板處理方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201480062816.5
• 申請(qǐng)日: 2014-10-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105723496B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梶原雄二
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 佳能安內(nèi)華股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/02
• 分類號(hào): H01L21/02;C23C14/58;H01L21/3065;H01L21/677;H01L21/683
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會(huì)華

1.一種基板處理裝置，其包括：

室，所述室的內(nèi)部能夠被抽真空；

基板保持件，所述基板保持件設(shè)置在所述室的內(nèi)部，并且所述基板保持件包括能夠冷卻基板的基板載置面；

遮蔽件，所述遮蔽件設(shè)置在所述室的內(nèi)部并且包括側(cè)壁部，所述側(cè)壁部被設(shè)置成圍繞所述基板載置面的側(cè)方；

遮蔽件冷卻單元，所述遮蔽件冷卻單元被構(gòu)造成冷卻所述遮蔽件；和

控制裝置，所述控制裝置被構(gòu)造成在所述基板載置于所述基板載置面之前控制所述遮蔽件冷卻單元低溫冷卻所述遮蔽件從而能夠捕獲氣體分子。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述遮蔽件還包括與所述基板載置面相對(duì)的上壁部。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述側(cè)壁部相對(duì)于所述基板載置面的法線方向傾斜，從而使所述側(cè)壁部的直徑在遠(yuǎn)離所述基板載置面的方向上增加。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述遮蔽件還包括圍繞所述基板保持件的側(cè)部的裙壁部。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，還包括：

加熱器，所述加熱器位于所述遮蔽件的所述基板保持件所在側(cè)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，還包括：

遮蔽件驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，其被構(gòu)造成沿著所述基板載置面的法線方向升降所述遮蔽件。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述側(cè)壁部的法線平行于所述基板載置面。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述控制裝置被構(gòu)造成：當(dāng)所述基板位于所述室內(nèi)時(shí)，控制所述遮蔽件冷卻單元以使所述遮蔽件維持在低溫從而能夠捕獲氣體分子。

9.一種通過(guò)使用根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置來(lái)冷卻基板的方法，其包括以下步驟：

冷卻所述遮蔽件；

所述冷卻后，將所述基板載置于所述基板載置面；以及

在所述基板保持件和所述遮蔽件被冷卻的狀態(tài)下冷卻所述基板。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，在所述冷卻步驟中，所述遮蔽件被低溫冷卻從而能夠捕獲氣體分子，以及在所述載置步驟中，所述遮蔽件維持在低溫。

11.一種對(duì)根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板處理裝置進(jìn)行維護(hù)的方法，其包括以下步驟：

在所述基板未位于所述室內(nèi)的狀態(tài)下使所述加熱器工作。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，在通過(guò)使用根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置來(lái)冷卻第一基板的步驟與通過(guò)使用根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置來(lái)冷卻第二基板的步驟之間進(jìn)行使所述加熱器工作的步驟。

13.一種通過(guò)使用根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板處理裝置來(lái)冷卻基板的方法，其包括以下步驟：

在通過(guò)使用所述遮蔽件驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)抬升了所述遮蔽件的狀態(tài)下，將所述基板移動(dòng)到位于所述基板載置面上方但不與所述基板載置面接觸的位置；

通過(guò)使用所述遮蔽件驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)使所述遮蔽件下降；

將所述基板載置于所述基板載置面；以及

在所述基板保持件和所述遮蔽件被冷卻的狀態(tài)下冷卻所述基板。