[發明專利]基板處理裝置和基板處理方法

有效

• 申請號: 201480062816.5
• 申請日: 2014-10-21
• 公開（公告）號: CN105723496B
• 公開（公告）日: 2019-01-11
• 發明（設計）人: 梶原雄二
• 申請（專利權）人: 佳能安內華股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;C23C14/58;H01L21/3065;H01L21/677;H01L21/683
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種基板處理裝置，其包括：

室，所述室的內部能夠被抽真空；

基板保持件，所述基板保持件設置在所述室的內部，并且所述基板保持件包括能夠冷卻基板的基板載置面；

遮蔽件，所述遮蔽件設置在所述室的內部并且包括側壁部，所述側壁部被設置成圍繞所述基板載置面的側方；

遮蔽件冷卻單元，所述遮蔽件冷卻單元被構造成冷卻所述遮蔽件；和

控制裝置，所述控制裝置被構造成在所述基板載置于所述基板載置面之前控制所述遮蔽件冷卻單元低溫冷卻所述遮蔽件從而能夠捕獲氣體分子。

2.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述遮蔽件還包括與所述基板載置面相對的上壁部。

3.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述側壁部相對于所述基板載置面的法線方向傾斜，從而使所述側壁部的直徑在遠離所述基板載置面的方向上增加。

4.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述遮蔽件還包括圍繞所述基板保持件的側部的裙壁部。

5.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，還包括：

加熱器，所述加熱器位于所述遮蔽件的所述基板保持件所在側。

6.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，還包括：

遮蔽件驅動機構，其被構造成沿著所述基板載置面的法線方向升降所述遮蔽件。

7.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述側壁部的法線平行于所述基板載置面。

8.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，所述控制裝置被構造成：當所述基板位于所述室內時，控制所述遮蔽件冷卻單元以使所述遮蔽件維持在低溫從而能夠捕獲氣體分子。

9.一種通過使用根據權利要求1所述的基板處理裝置來冷卻基板的方法，其包括以下步驟：

冷卻所述遮蔽件；

所述冷卻后，將所述基板載置于所述基板載置面；以及

在所述基板保持件和所述遮蔽件被冷卻的狀態下冷卻所述基板。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，在所述冷卻步驟中，所述遮蔽件被低溫冷卻從而能夠捕獲氣體分子，以及在所述載置步驟中，所述遮蔽件維持在低溫。

11.一種對根據權利要求5所述的基板處理裝置進行維護的方法，其包括以下步驟：

在所述基板未位于所述室內的狀態下使所述加熱器工作。

12.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，在通過使用根據權利要求1所述的基板處理裝置來冷卻第一基板的步驟與通過使用根據權利要求1所述的基板處理裝置來冷卻第二基板的步驟之間進行使所述加熱器工作的步驟。

13.一種通過使用根據權利要求6所述的基板處理裝置來冷卻基板的方法，其包括以下步驟：

在通過使用所述遮蔽件驅動機構抬升了所述遮蔽件的狀態下，將所述基板移動到位于所述基板載置面上方但不與所述基板載置面接觸的位置；

通過使用所述遮蔽件驅動機構使所述遮蔽件下降；

將所述基板載置于所述基板載置面；以及

在所述基板保持件和所述遮蔽件被冷卻的狀態下冷卻所述基板。