[發明專利]電子部件及其制造方法

有效

• 申請號: 201480060992.5
• 申請日: 2014-11-12
• 公開（公告）號: CN105706189B
• 公開（公告）日: 2019-05-03
• 發明（設計）人: 相澤昭伍
• 申請（專利權）人: 日本貴彌功株式會社
• 主分類號: H01C17/02
• 分類號: H01C17/02;H01C1/034;H01C7/10
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 龐東成;褚瑤楊

1.一種電子部件的制造方法，其為使用有含有機硅樹脂的封裝材料的電子部件的制造方法，其中，所述制造方法包括：

在含有機硅樹脂的封裝材料中浸漬元件的工序，所述有機硅樹脂中添加有氫氧化鋁或氫氧化鎂、以及非極性溶劑，所述氫氧化鋁或氫氧化鎂的添加量控制在60重量％以上且小于70重量％的范圍；

干燥工序，對形成在所述元件表面的所述封裝材料進行干燥，使所述非極性溶劑蒸發，且使有機硅樹脂成分呈現在所述封裝材料表面；和

使所述封裝材料固化并使呈現在所述表面的有機硅樹脂成分固化的固化工序，

通過所述浸漬元件的工序、所述干燥工序和所述固化工序，由所述元件的表面的所述封裝材料形成封裝樹脂層，

通過所述干燥工序和所述固化工序，使所述氫氧化鋁或氫氧化鎂相對于所述有機硅樹脂的配混比在所述封裝樹脂層的厚度方向有濃度梯度，越接近所述元件，所述氫氧化鋁或氫氧化鎂相對于所述有機硅樹脂的配混比的濃度越高，

所述封裝樹脂層為1層結構。

2.如權利要求1所述的電子部件的制造方法，其中，所述氫氧化鋁或所述氫氧化鎂的添加量在60重量％以上且65重量％以下的范圍。

3.如權利要求1所述的電子部件的制造方法，其中，所述氫氧化鋁或所述氫氧化鎂的平均粒徑在15μm以上且小于50μm的范圍。

4.如權利要求2所述的電子部件的制造方法，其中，所述氫氧化鋁或所述氫氧化鎂的平均粒徑在15μm以上且小于50μm的范圍。

5.如權利要求1至4中任一項所述的電子部件的制造方法，其中，所述非極性溶劑的蒸汽壓為0.5kPa～10kPa。

6.一種電子部件，其為元件表面使用含有機硅樹脂的封裝材料進行了覆蓋的電子部件，其中，在所述有機硅樹脂中添加有非極性溶劑、和氫氧化鋁或氫氧化鎂，該氫氧化鋁或該氫氧化鎂的添加量在60重量％以上且小于70重量％的范圍，所述非極性溶劑經干燥而呈現在所述封裝材料的表面并蒸發，所述有機硅樹脂呈現在所述封裝材料的表面并發生了固化，形成1層結構的封裝樹脂層，在所述封裝樹脂層的厚度方向上，所述氫氧化鋁或氫氧化鎂相對于所述有機硅樹脂的配混比有濃度梯度，越接近所述元件，所述氫氧化鋁或氫氧化鎂相對于所述有機硅樹脂的配混比的濃度越高。

7.如權利要求6所述的電子部件，其中，所述氫氧化鋁或所述氫氧化鎂的平均粒徑在15μm以上且小于50μm的范圍。

8.如權利要求6或7所述的電子部件，其中，在自所述封裝材料表面起的深度方向的30％以內，所述氫氧化鋁或所述氫氧化鎂相對于所述有機硅樹脂的混配比的濃度具有84％至100％的濃度梯度。