[發明專利]銅粒分散液和使用該銅粒分散液的導電膜的制造方法在審
| 申請號: | 201480060662.6 | 申請日: | 2014-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN105705594A | 公開(公告)日: | 2016-06-22 |
| 發明(設計)人: | 藤田英史;金田秀治;伊東大輔 | 申請(專利權)人: | 同和電子科技有限公司 |
| 主分類號: | C09D5/24 | 分類號: | C09D5/24;B22F1/02;B22F9/24;C09D7/12;H01B1/00;H01B1/22;H01B13/00;H05K1/09;H05K3/12 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 劉多益;董慶 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 分散 使用 導電 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及銅粒分散液,尤其涉及形成電子元器件的電極或電路等的導電 膜的制造中所使用的銅粒分散液、以及使用該銅粒分散液的導電膜的制造方 法。
背景技術
迄今,作為使用銅粒分散液來制造導電膜的方法,提出了將含有玻璃微粒 等無機微粒、感光性有機成分和具有苯并三唑等唑結構的化合物的感光性糊料 涂布于基板上,曝光后顯影,然后進行燒成,從而形成(導電膜的)圖案的方 法(例如,參照日本專利特開平9-218508號公報)。
還提出了將含有銅納米粒的銅油墨溶液(銅粒分散液)印刷于基板表面后 使其干燥,然后通過將其暴露于脈沖下而對銅納米粒進行光燒結來使其融合, 以制造光燒結銅納米粒膜(導電膜)的方法(例如,參照日本專利特表 2010-528428號公報)。
另外,作為銅粒分散液,提出了將作為耐氧化性處理使苯并三唑被覆于表 面的銅微粒作為導電填料使用的導電油墨(例如,參照日本專利特開 2008-285761號公報)。
然而,在日本專利特開平9-218508號公報所記載的方法中,由于需要在 將感光性糊料涂布于基板上、曝光后使用顯影液來顯影,然后在高溫(520~ 610℃)下進行燒成,因此其工序繁雜,無法通過光照射來燒成,還無法在紙 膜或PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)膜等不耐熱的基板上形成圖案。另外,在 日本專利特表2010-528428號公報所記載的方法中,含有銅納米粒的銅油墨溶 液(銅粒分散液)的保存穩定性不足。另外,如果將日本專利特開2008-285761 號公報所記載的導電油墨作為光燒成用的銅粒分散液來使用,則在將其涂布于 基板上后干燥、然后通過光照射而燒成以形成導電膜之際,會在導電膜上產生 裂紋,導電性變差。
發明內容
所以,本發明鑒于上述以往的問題,其目的在于提供保存穩定性良好且可 通過光燒成形成導電性良好的導電膜的銅粒分散液以及使用該銅粒分散液的 導電膜的制造方法。
本發明人為了解決上述技術問題而進行了深入研究,發現通過將被唑化合 物被覆的平均粒徑為1~100nm的銅微粒和平均粒徑為0.3~20μm的銅粗粒 分散于分散介質中,能夠提供保存穩定性良好且可通過光燒成形成導電性良好 的導電膜的銅粒分散液以及使用該銅粒分散液的導電膜的制造方法,從而完成 了本發明。
即,本發明的銅粒分散液的特征在于,被唑化合物被覆的平均粒徑為1~ 100nm的銅微粒和平均粒徑為0.3~20μm的銅粗粒分散于分散介質中。該銅 粒分散液中,銅微粒和銅粗粒的總量優選為50~90質量%,銅微粒的質量與 銅粗粒的質量的比例優選為1:9~5:5。另外,唑化合物優選為苯并三唑,分散 介質優選為乙二醇。
另外,本發明的導電膜的制造方法的特征在于,通過將上述銅粒分散液涂 布于基板上后進行預燒成,然后進行光的照射而燒成,藉此在基板上形成導電 膜。該導電膜的制造方法中,銅粒分散液的涂布優選通過絲網印刷或柔版印刷 來進行,預燒成優選通過在50~150℃下真空干燥來進行。另外,光的照射優 選通過以100~3000μs的脈沖周期、1600~3600V的脈沖電壓脈沖照射波長 為200~800nm的光來進行,導電膜的厚度優選為1~30μm。
通過本發明,能夠提供保存穩定性良好且可通過光燒成形成導電性良好的 導電膜的銅粒分散液以及使用該銅粒分散液的導電膜的制造方法。
附圖的簡要說明
圖1是顯示實施例1和比較例1的銅微粒的分散液的吸光度的圖。
具體實施方式
本發明的銅粒分散液的實施方式中,被唑化合物被覆的平均粒徑為1~ 100nm的銅微粒和平均粒徑為0.3~20μm的銅粗粒分散于分散介質中。
平均粒徑為1~100nm的銅微粒是容易燒結的粒子,通過利用唑化合物對 表面進行被覆,在提高保存穩定性的同時,還提高了光的吸收性,更易通過光 照射來燒結。特別是,唑化合物由于在分子內存在共軛雙鍵,因此通過吸收紫 外線波長范圍(200~400nm)內的光而將其轉化為熱量,使得銅微粒容易燒 結。
另外,平均粒徑為0.3~20μm的銅粗粒在通過光照射進行燒成來形成導 電膜時防止導電膜上產生裂紋而使導電性變差,并且即使導電膜變厚也能抑制 導電性變差。
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