[發(fā)明專利]自分子簇化合物合成金屬氧化物半導(dǎo)體納米粒子

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201480060625.5
• 申請日: 2014-09-11
• 公開（公告）號: CN105705611B
• 公開（公告）日: 2018-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 奈杰爾·皮克特;史蒂文·馬修·丹尼爾斯;翁布雷塔·馬薩拉;納瑟莉·格雷斯蒂
• 申請（專利權(quán)）人: 納米技術(shù)有限公司
• 主分類號: C09K11/54
• 分類號: C09K11/54;C01G9/02
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 吳勝周

1.一種形成第IIB族金屬氧化物納米粒子的方法，所述方法包括：使包含第IIB族金屬和氧的納米粒子前體在II-VI分子簇化合物群存在下反應(yīng)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述分子簇化合物和所述金屬氧化物納米粒子具有相容的晶體相。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述分子簇化合物是原位制備的。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述分子簇化合物和所述金屬氧化物納米粒子前體兩者包含相同的第IIB族金屬和氧。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述分子簇化合物不包含氧。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述分子簇化合物不包含與所述納米粒子前體的所述第IIB族金屬相同的第IIB族金屬。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述簇化合物是肟合簇。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第IIB族金屬氧化物納米粒子包含ZnO、CdO或HgO。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第IIB族金屬氧化物納米粒子與所述分子簇化合物的原子摻雜或合金化。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第IIB族金屬氧化物納米粒子在所述分子簇化合物上生長。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中將所述第IIB族金屬和氧作為單源前體加入。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，所述反應(yīng)包括使所述納米粒子前體在活化劑存在下反應(yīng)。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述金屬氧化物納米粒子是量子點(diǎn)。

14.一種納米粒子，所述納米粒子包含在II-VI分子簇化合物上生長的第IIB族金屬氧化物晶體核。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的納米粒子，其中所述分子簇化合物和所述第IIB族金屬氧化物晶體核具有相容的晶體相。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的納米粒子，其中所述分子簇化合物和所述金屬氧化物晶體核都包含相同的第IIB族金屬和氧。

17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的納米粒子，其中所述分子簇化合物不包含氧。

18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的納米粒子，其中所述分子簇化合物不包含與所述金屬氧化物晶體核的第IIB族金屬相同的第IIB族金屬。