[發明專利]Cu-Ga合金濺射靶及其制造方法有效
| 申請號： | 201480060592.4 | 申請日： | 2014-11-18 |
| 公開（公告）號： | CN105705674B | 公開（公告）日： | 2020-04-10 |
| 發明（設計）人： | 吉田勇氣;石山宏一;森曉 | 申請（專利權）人： | 三菱綜合材料株式會社 |
| 主分類號： | C23C14/34 | 分類號： | C23C14/34;B22F1/00;B22F3/10;C22C1/04;C22C1/05;C22C9/00;H01L31/0749 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | cu ga 合金 濺射 及其 制造 方法 | ||
1.一種Cu-Ga合金濺射靶，其為具有如下組成的燒結體：29.5～43.0原子％的 Ga以及剩余部分為Cu和不可避免的雜質，其中，
所述燒結體中的Cu-Ga合金晶粒具有γ相粒子分散于γ1相晶粒中的組織。
2.根據權利要求1所述的Cu-Ga合金濺射靶，其中，
所述γ相的平均粒子數在一個γ1晶粒中為6～36個，
所述γ1相的平均粒徑為15.0～75.0μm。
3.根據權利要求1或2所述的Cu-Ga合金濺射靶，其中，
所述燒結體的氧量為200質量ppm以下。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的Cu-Ga合金濺射靶，其中，
所述燒結體進一步含有0.05～10.0原子％的Na，
Na化合物相分散于所述燒結體中。
5.根據權利要求4所述的Cu-Ga合金濺射靶，其中，
所述Na化合物相由NaF、Na2S、Na2Se及Na3AlF6的至少一種以上構成。
6.一種Cu-Ga合金濺射靶的制造方法，其為制造權利要求1至3中任一項所述 的Cu-Ga合金濺射靶的方法，該方法具有如下工序：
將由純Cu粉末與Cu-Ga合金粉末的混合粉末構成的成型體在還原性氣氛中加熱 而進行常壓燒結；以及
將得到的燒結體在溫度450～650℃的范圍內以0.1～1.0℃/min的冷卻速度冷卻。
7.一種Cu-Ga合金濺射靶的制造方法，其中，其為制造權利要求4或5所述的 Cu-Ga合金濺射靶的方法，該方法具有如下工序：
將由純Cu粉末、Cu-Ga合金粉末及Na化合物的混合粉末構成的成型體在還原性 氣氛中加熱而進行常壓燒結；以及
將得到的燒結體在溫度450～650℃的范圍內以0.1～1.0℃/min的冷卻速度冷卻。
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