[發明專利]具有增加的側面數量的傳送腔室、半導體裝置制造處理工具和處理方法

有效

• 申請號: 201480060288.X
• 申請日: 2014-11-03
• 公開（公告）號: CN105706227B
• 公開（公告）日: 2019-11-26
• 發明（設計）人: 邁克爾·羅伯特·賴斯;邁克爾·邁爾斯;約翰·J·馬佐科;迪安·C·赫魯澤克;邁克爾·庫查爾;蘇斯漢特·S·科希特;潘查拉·N·坎卡納拉;埃里克·A·恩格爾哈特
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/677
• 分類號: H01L21/677;H01L21/02
• 代理公司: 11006 北京律誠同業知識產權代理有限公司
• 代理人: 徐金國;趙靜<國際申請>=PCT/US2

描述了一種配置用于在半導體裝置制造期間使用的傳送腔室。傳送腔室包括至少一個第一側面，所述至少一個第一側面具有第一寬度，所述至少一個第一側面被配置成耦接至一個或更多個基板傳送單元(例如，一個或更多個裝載鎖定腔室或一個或更多個通路單元)，并且所述傳送腔室包括至少第二組的側面，所述至少第二組的側面具有第二寬度，所述第二寬度與所述第一寬度不同，所述第二組的側面被配置成耦接至一個或更多個處理腔室。所述傳送腔室的側面的總數量為至少7個。使用單個機械手執行所述傳送腔室內的傳送作業。在諸多其他方面中描述了用于處理基板的處理工具和處理方法。

相關申請

本申請要求享有于2013年11月4號提交的且發明名稱為“具有增加的側面數量的半導體裝置制造平臺(SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING PLATFORM WITH ANINCREASED NUMBER OF SIDES)”之美國臨時申請第61/899,862號(代理人案號：21233/USA/L)的優先權，為了各種目的，以引用方式將該申請結合在此。

技術領域

本發明涉及半導體裝置制造，且更具體而言涉及半導體裝置制造平臺的配置。

背景技術

半導體裝置的制造通常涉及對基板或“晶片”(諸如，硅基板、玻璃板和諸如此類者)執行一系列步驟。這些步驟可包括拋光、沉積、蝕刻、光刻、熱處理等等。通常可在含有多個處理腔室的單個處理系統或“工具”中執行許多不同的處理步驟。然而，一般情況是在制造設備內的其他處理位置處執行其他處理，因而必需將基板從所述制造設備內的一個處理位置傳送至制造設備內的另一個處理位置。根據要制造的半導體裝置的類型，可能會使用相對大量的處理步驟，并在所述制造設備內的許多不同處理位置處執行這些步驟。

傳統上是使基板置于基板載具(諸如，密封的箱(pod)、匣(cassette)、容器等等)內而將基板從一個處理位置傳送至另一個位置。傳統上亦采用自動化基板載具傳送裝置(諸如，自動化引導工具、頂部傳送系統(overhead transport system)、基板載具搬運機械手(robot)和諸如此類者)將基板載具從制造設備內的一個位置移動到制造設備內的另一位置，或將基板載具從基板載具傳送裝置中取出或送入基板載具傳送裝置中。

此種基板傳送方式通常涉及使基板暴露在室內空氣中，或使基板至少暴露在非真空的環境下。任何一種都可能使基板暴露在不理想的環境(例如，氧化物種)中和/或其他污染物下。

發明內容

在一方面中，提供一種配置用于在半導體裝置制造期間使用的傳送腔室。所述傳送腔室包括：至少第一組的側面，所述至少第一組的側面具有第一寬度，且所述至少第一組的側面被配置成耦接至一個或更多個基板傳送單元(例如，一個或更多個裝載鎖定腔室和/或通路單元(pass-through unit))；和至少第二組的側面，所述至少第二組的側面具有第二寬度，且第二寬度大于第一寬度，所述第二組的側面被配置成耦接至一個或更多個處理腔室，其中所述傳送腔室的側面的總數量為至少7個，并且其中使用單個機械手執行所述傳送腔室內的傳送作業。

在另一方面中，提供一種處理工具。所述處理工具包括一個或更多個裝載鎖定腔室、多個處理腔室和傳送腔室，所述傳送腔室包括：至少一個第一側面，所述至少一個第一側面具有第一寬度，且所述至少一個第一側面被配置成耦接至一個或更多個基板傳送單元；和至少第二組的側面，所述至少第二組的側面具有第二寬度，且第二寬度與第一寬度不同，所述第二組的側面被配置成耦接至一個或更多個處理腔室；其中所述傳送腔室的側面的總數量為至少7個，并且使用單個機械手執行所述傳送腔室內的傳送作業。