[發(fā)明專利]具有增加的側面數量的傳送腔室、半導體裝置制造處理工具和處理方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201480060288.X | 申請日: | 2014-11-03 |
| 公開(公告)號: | CN105706227B | 公開(公告)日: | 2019-11-26 |
| 發(fā)明(設計)人: | 邁克爾·羅伯特·賴斯;邁克爾·邁爾斯;約翰·J·馬佐科;迪安·C·赫魯澤克;邁克爾·庫查爾;蘇斯?jié)h特·S·科希特;潘查拉·N·坎卡納拉;埃里克·A·恩格爾哈特 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677;H01L21/02 |
| 代理公司: | 11006 北京律誠同業(yè)知識產權代理有限公司 | 代理人: | 徐金國;趙靜<國際申請>=PCT/US2 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 增加 側面 數量 傳送 半導體 裝置 制造 處理 工具 方法 | ||
1.一種傳送腔室,包括:
至少一個第一側面,所述至少一個第一側面具有第一寬度,且所述至少一個第一側面被配置成耦接至一個或更多個基板傳送單元;和
至少第二組的側面,所述至少第二組的側面具有第二寬度,所述第二寬度與所述第一寬度不同,所述第二組的側面被配置成耦接至一個或更多個處理腔室,其中所述第二組的側面中的各個不同側面包括具有不同深度的腔室接口;
接口單元,所述接口單元耦接至所述至少一個第一側面,所述接口單元包括前區(qū)域,所述前區(qū)域具有多個接口側面,所述多個接口側面的每一個包括上狹縫開口和下狹縫開口,
其中所述傳送腔室具有九邊形形狀,并且其中使用單個機械手執(zhí)行所述傳送腔室內的傳送作業(yè)。
2.如權利要求1所述的傳送腔室,其中所述第二寬度大于所述第一寬度。
3.如權利要求1所述的傳送腔室,其中所述第二寬度小于所述第一寬度。
4.如權利要求1所述的傳送腔室,所述至少一個第一側面包括第一組側面。
5.如權利要求1所述的傳送腔室,其中所述接口單元包括多個裝載鎖定腔室。
6.如權利要求5所述的傳送腔室,其中所述接口單元包括三個裝載鎖定腔室。
7.如權利要求1所述的傳送腔室,包括工廠接口,所述工廠接口耦接至所述接口單元。
8.如權利要求7所述的傳送腔室,其中所述工廠接口側向地偏離所述傳送腔室的幾何中心。
9.如權利要求1所述的傳送腔室,包括長側面,所述長側面被配置成耦接至通路單元。
10.一種處理工具,包括:
一個或更多個基板傳送單元;
多個處理腔室;
傳送腔室,所述傳送腔室包括:至少一個第一側面,所述至少一個第一側面具有第一寬度,所述至少一個第一側面被配置成耦接至所述一個或更多個基板傳送單元;和至少第二組的側面,所述至少第二組的側面具有第二寬度,所述第二寬度與所述第一寬度不同,所述第二組的側面被配置成耦接至所述多個處理腔室,其中所述傳送腔室具有九邊形形狀,并且使用單個機械手執(zhí)行所述傳送腔室內的傳送作業(yè),并且其中所述第二組的側面中的各個不同側面包括具有不同深度的腔室接口;和
接口單元,所述接口單元耦接至所述至少一個第一側面,所述接口單元包括前區(qū)域,所述前區(qū)域具有多個接口側面,所述多個接口側面的每一個包括上狹縫開口和下狹縫開口。
11.如權利要求10所述的處理工具,其中所述接口單元包括多個裝載鎖定腔室。
12.如權利要求11所述的處理工具,其中所述接口單元包括三個裝載鎖定腔室。
13.如權利要求10所述的處理工具,包括工廠接口,所述工廠接口耦接至所述接口單元。
14.一種處理工具,包括:
一個或更多個裝載鎖定腔室;
通路單元;
第一傳送腔室,所述第一傳送腔室耦接在所述一個或更多個裝載鎖定腔室與所述通路單元之間;
第二傳送腔室,所述第二傳送腔室具有至少7個側面,每個側面的尺寸被調整成僅接收一個處理腔室或所述通路單元,所述第二傳送腔室耦接至所述通路單元并且不耦接至所述一個或更多個裝載鎖定腔室,其中所述第二傳送腔室的側面中的各個不同側面包括具有不同深度的腔室接口;和
接口單元,所述接口單元包括前區(qū)域,所述前區(qū)域具有多個接口側面,所述多個接口側面的每一個包括上狹縫開口和下狹縫開口,
其中配置用來接收位于所述第一傳送腔室與所述第二傳送腔室之間的處理腔室的側面的總數量為至少10個,并且分別使用單個機械手執(zhí)行所述第一傳送腔室和所述第二傳送腔室各自內部的傳送作業(yè)。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





