[發明專利]用于NAND閃速存儲器的缺陷管理策略

有效

• 申請號: 201480058193.4
• 申請日: 2014-10-21
• 公開（公告）號: CN105637591B
• 公開（公告）日: 2019-06-14
• 發明（設計）人: P.卡拉瓦德;F.朱;S.S.拉胡納桑;R.H.莫特萬
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: G11C29/00
• 分類號: G11C29/00;G11C16/06
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張金金;姜甜

管理非易失性存儲系統中的缺陷的系統和方法，其可以用于避免數據的無意丟失，同時在非易失性存儲系統中維持盡可能多的有用存儲器。公開的系統和方法可以監測多個觸發事件以用于檢測非易失性存儲系統中包括的一個或多個非易失性存儲器（NVM）設備中的可能缺陷，并且基于導致檢測可能缺陷的觸發事件的類型來對相應NVM設備應用一個或多個缺陷管理策略。這樣的缺陷管理策略可以搶先地用于使非易失性存儲系統中的存儲器以增加的粒度引退，從而使存儲器的引退集中在可能包含缺陷的非易失性存儲器的區域上。

技術領域

本文描述的實施例大體涉及非易失性存儲器技術，并且更具體地涉及管理非易失性存儲器中的缺陷的系統和方法。

背景技術

在例如非易失性存儲系統等常規存儲系統中，數據可以根據預定糾錯編碼方案（例如低密度奇偶校驗（LDPC）編碼方案）來存儲。這樣的非易失性存儲系統可以包括多個非非易失性存儲器（NVM）設備，每個NVM設備包含眾多NVM存儲元件或單元，用于采用LDPC碼字的形式存儲編碼數據。在從這樣的NVM設備讀取LDPC碼字時，可以在每個NVM單元的多個編程狀態之間建立一個或多個參考閾值電壓水平，并且NVM單元的閾值電壓水平可以與相應參考閾值電壓水平比較來確定NVM單元的實際編程狀態。

在典型操作模式中，為了從所選的NVM設備讀取期望的LDPC碼字，可以執行硬位讀操作，其中從所選的NVM設備讀取LDPC碼字作為所謂的“硬數據”（即，LDPC碼字中的邏輯高和低位級分別被看作“1”和“0”）。此外，可以執行軟位讀操作，其中從所選的NVM設備讀取LDPC碼字作為所謂的“軟數據”（即，LDPC碼字中的邏輯高和低位級分別被看作“1”和“0”，并且提供指示LDPC碼字中的相應位是“1”或“0”的可能性的概率信息）。從所選的NVM設備讀取的LDPC碼字然后可以經歷糾錯解碼來確定LDPC碼字是否有效。如果發現解碼的LDPC碼字無效或“有故障”（例如，可存在糾錯編碼/解碼失效），則可以從其他NVM設備讀取額外LDPC碼字，并且可以使用額外LDPC碼字執行XOR數據恢復以試圖恢復期望的LDPC碼字。

這樣的有故障LDPC碼字的檢測除其他事情外還可指示所選NVM設備上的物理存儲器頁面受到底層硬件缺陷（例如，開路或短路）的影響，或所選NVM設備具有固有地高的殘余誤碼率（RBER）。在任何情況下，具有用于管理非易失性存儲系統中的缺陷、可以用于避免數據的無意丟失同時在非易失性存儲系統中維持盡可能多的有用存儲器，這將是可取的。

附圖說明

包含在該說明書中并且構成其部分的附圖圖示本文描述的一個或多個實施例，并且連同詳細說明一起解釋這些實施例。在圖中：

圖1a是根據本申請的示范性非易失性存儲系統（其包括非易失性存儲器（NVM）缺陷管理策略引擎）的框圖；

圖1b是圖1a的非易失性存儲系統中包括的示范性NVM讀邏輯的框圖；

圖2是.代表從圖1a的非易失性存儲系統中包括的NVM設備讀取的碼字的解碼的“電壓”vs “概率”的圖；

圖3是圖示操作圖1a的非易失性存儲系統中包括的NVM缺陷管理策略引擎的示范性方法的流程圖；以及

圖4是其中可采用圖1a的非易失性存儲系統的示范性計算機系統的框圖。

具體實施方式

公開管理非易失性存儲系統中的缺陷的系統和方法，其可以用于避免數據的無意丟失，同時在非易失性存儲系統中維持盡可能多的有用存儲器。公開的系統和方法可以監測多個觸發事件以用于檢測非易失性存儲系統中包括的一個或多個非易失性存儲器（NVM）設備中的可能缺陷，并且基于導致檢測可能缺陷的觸發事件的類型來將一個或多個缺陷管理策略應用于相應的NVM設備。這樣的缺陷管理策略可以前攝地用于使非易失性存儲系統中的存儲器以增加的粒度引退，從而使存儲器的引退集中在可能包含缺陷的非易失性存儲器的區域上。