[發明專利]用于NAND閃速存儲器的缺陷管理策略有效
| 申請號: | 201480058193.4 | 申請日: | 2014-10-21 |
| 公開(公告)號: | CN105637591B | 公開(公告)日: | 2019-06-14 |
| 發明(設計)人: | P.卡拉瓦德;F.朱;S.S.拉胡納桑;R.H.莫特萬 | 申請(專利權)人: | 英特爾公司 |
| 主分類號: | G11C29/00 | 分類號: | G11C29/00;G11C16/06 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 張金金;姜甜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 nand 存儲器 缺陷 管理 策略 | ||
1.一種管理非易失性存儲系統中的缺陷的方法,所述非易失性存儲系統包括一個或多個非易失性存儲器(NVM)設備,所述方法包括:
由NVM缺陷管理策略引擎監測多個觸發事件以用于檢測至少一個NVM設備中的可能缺陷,所述多個觸發事件中的每個具有關聯的類型;
監測至少一個觸發事件后,由所述NVM缺陷管理策略引擎確定所述觸發事件的類型;以及
由所述NVM缺陷管理策略引擎基于所述觸發事件的類型將至少一個缺陷管理策略應用于所述NVM設備。
2.如權利要求1所述的方法,其中所述觸發事件的類型包括軟位讀觸發事件和異或(XOR)數據恢復觸發事件中的一個或多個,并且其中將所述至少一個缺陷管理策略應用于所述NVM設備包括使主處理器發出數據讀取請求所針對的碼字的NVM存儲位置引退。
3.如權利要求1或2所述的方法,其中所述觸發事件的類型包括所述軟位讀觸發事件和所述XOR數據恢復觸發事件中的一個或多個,并且其中將所述至少一個缺陷管理策略應用于所述NVM設備包括使包括所述主處理器發出所述數據讀取請求所針對的碼字的NVM存儲位置的物理存儲器頁面引退。
4.如權利要求1所述的方法,其中所述觸發事件的類型包括預定數量的硬位讀觸發事件,并且其中將所述至少一個缺陷管理策略應用于所述NVM設備包括使主處理器發出一個或多個數據讀取請求所針對的碼字的NVM存儲位置引退。
5.如權利要求1或4所述的方法,其中所述觸發事件的類型包括預定數量的硬位讀觸發事件,并且其中將所述至少一個缺陷管理策略應用于所述NVM設備包括使包括所述主處理器發出所述數據讀取請求所針對的碼字的NVM存儲位置的物理存儲器頁面引退。
6.如權利要求3所述的方法,其進一步包括:
在要對包含所述物理存儲器頁面的非易失性存儲器的區域編程的情況下,將預定隨機數據模式編程到所述物理存儲器頁面上。
7.如權利要求3所述的方法,其中使所述物理存儲器頁面引退包括使一組頁面引退。
8.如權利要求3所述的方法,其中使所述物理存儲器頁面引退包括使所述NVM設備中的一個或多個中的多個塊中的相同頁面引退。
9.一種非易失性存儲系統,其包括:
非易失性存儲器(NVM)控制器;
一個或多個NVM設備,其可通信耦合于所述NVM控制器;以及
NVM缺陷管理策略引擎,其可通信耦合于所述NVM控制器,其中所述NVM缺陷管理策略引擎操作成:
監測多個觸發事件以用于檢測至少一個NVM設備中的可能缺陷,所述多個觸發事件中的每個具有關聯的類型;
監測至少一個觸發事件后,確定所述觸發事件的類型;以及
基于所述觸發事件的類型將至少一個缺陷管理策略應用于所述NVM設備。
10.如權利要求9所述的系統,其中所述觸發事件的類型包括軟位讀觸發事件和異或(XOR)數據恢復觸發事件中的一個或多個,并且其中所述NVM缺陷管理策略進一步操作成在監測所述軟位讀觸發事件或所述XOR數據恢復事件后使主處理器發出數據讀取請求所針對的碼字的NVM存儲位置引退。
11.如權利要求10所述的系統,其中所述NVM缺陷管理策略引擎進一步操作成在監測所述軟位讀觸發事件或所述XOR數據恢復觸發事件后使包括所述主處理器發出所述數據讀請求所針對的碼字的NVM存儲位置的物理存儲器頁面引退。
12.如權利要求9所述的系統,其中所述觸發事件的類型包括預定數量的硬位讀觸發事件,并且其中所述NVM缺陷管理策略引擎進一步操作成在監測所述預定數量的硬位讀觸發事件后使主處理器發出一個或多個數據讀取請求所針對的碼字的NVM存儲位置引退。
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