[發明專利]電子器件的制造方法

有效

• 申請號: 201480057389.1
• 申請日: 2014-11-07
• 公開（公告）號: CN105637405B
• 公開（公告）日: 2018-06-12
• 發明（設計）人: 平田泰之;松岡元
• 申請（專利權）人: 住友精密工業株式會社
• 主分類號: G02B26/08
• 分類號: G02B26/08;B81C1/00;H01L21/3065
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 康艷青;姚開麗

在從第一硅層(210)側對SOI基板(200)進行蝕刻的第一蝕刻工序中，將第一結構體中的由第一硅層(210)所構成的部分形成為具有比最終形狀還大的形狀的預結構。在將最終掩模(390)形成在SOI基板(200)的第二硅層(230)側的掩模形成工序中，將與第一結構體的最終形狀對應的第一掩模(391)形成為布置在預結構內。在從第二硅層(230)側對SOI基板(200)進行蝕刻的第二蝕刻工序中，通過利用第一掩模(391)對第二硅層(230)和預結構進行蝕刻，從而形成第一結構體的最終形狀。

技術領域

在此公開的技術涉及一種電子器件的制造方法。

背景技術

迄今為止，已知道有一種電子器件，其具備由包括多個層的基板形成的結構體。例如，在專利文獻1中公開了一種MEMS(微機電系統)反射鏡。該MEMS鏡具備鏡板、彈簧、可動梳齒、固定梳齒等，該MEMS鏡由包括多個硅層的基板形成。

就專利文獻1中的MEMS鏡來說，首先加工SOI(Silicon-on-Insulator；絕緣體上硅)基板來形成鏡板、彈簧和可動梳齒等。隨后，在SOI基板上接合其它基板，并加工該其它基板來形成固定梳齒。再經過其它一些工序，從而制造出MEMS鏡。

專利文獻1：日本公開專利公報特開2010-107628號公報

發明內容

－發明要解決的技術問題－

就利用包括多個層的基板來制造結構體的情況來說，該結構體的制造方法不限于專利文獻1中的方法。例如，也有這樣的情況：從包括多個層的基板的一面加工該基板后，再從另一面加工該基板。在這樣的制造方法中，存在分別從兩面加工基板來形成一個結構體的情況。在這樣的情況下，一旦從一面加工的部分的位置和從另一面加工的部分的位置之間相互偏離了，就無法準確地形成該結構體。

在此公開的技術是鑒于上述問題而完成的，其目的在于：即使是從基板的兩面分別加工該基板來形成結構體，也高精度地形成結構體。

－用以解決技術問題的技術方案－

在此公開的技術是以電子器件的制造方法為對象，在該電子器件的制造方法中，對至少包括第一層和第二層的基板進行蝕刻來形成結構體。該電子器件的制造方法是這樣的：包括從所述第一層側對所述基板進行蝕刻的第一蝕刻工序、在所述基板的所述第二層側形成掩模的掩模形成工序、以及利用所述掩模從所述第二層側對所述基板進行蝕刻的第二蝕刻工序，在所述第一蝕刻工序中，將所述結構體中的由所述第一層所構成的部分形成為具有比最終形狀還大的形狀的預結構，在所述掩模形成工序中，將與所述最終形狀對應的掩模形成為布置在所述基板的所述第二層側而且從所述基板的厚度方向看去時布置在所述預結構內，在所述第二蝕刻工序中，通過利用所述掩模對所述第二層和所述預結構進行蝕刻，從而形成所述最終形狀。

在此，所述掩模形成工序不是一定要在第一蝕刻工序之后進行，也可以在第一蝕刻工序之前進行。此外，“最終形狀”是指進行了第二蝕刻工序后的結構體的形狀，即使在第二蝕刻工序后對該結構體進行了某種處理或加工，“最終形狀”也不是指進行了該處理或加工后的形狀。此外，“利用掩模進行蝕刻”不限于使用該掩模本身來進行蝕刻這樣的情況，也包括使用該掩模來形成其它掩模，并使用該其它掩模來進行蝕刻這樣的情況。

－發明的效果－

根據所述電子器件的制造方法，能夠高精度地形成結構體

附圖說明

圖1是鏡器件的俯視圖。

圖2是鏡器件的剖視示意圖。

圖3是SOI基板的剖視圖。

圖4是示出在SOI基板上形成SiO₂膜的工序的圖。