[發明專利]電子器件的制造方法有效
| 申請號: | 201480057389.1 | 申請日: | 2014-11-07 |
| 公開(公告)號: | CN105637405B | 公開(公告)日: | 2018-06-12 |
| 發明(設計)人: | 平田泰之;松岡元 | 申請(專利權)人: | 住友精密工業株式會社 |
| 主分類號: | G02B26/08 | 分類號: | G02B26/08;B81C1/00;H01L21/3065 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270 | 代理人: | 康艷青;姚開麗 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 蝕刻 硅層 最終形狀 結構體 掩模 電子器件 掩模形成 制造 | ||
1.一種電子器件的制造方法,在所述電子器件的制造方法中,對至少包括第一層和第二層的基板進行蝕刻來形成結構體,所述電子器件的制造方法的特征在于:
所述電子器件的制造方法包括:
從所述第一層側對所述基板進行蝕刻的第一蝕刻工序;
在所述基板的所述第二層側形成掩模的掩模形成工序;以及
利用所述掩模從所述第二層側對所述基板進行蝕刻的第二蝕刻工序,
在所述第一蝕刻工序中,將所述結構體中的由所述第一層所構成的部分形成為具有比最終形狀還大的形狀的預結構,
在所述掩模形成工序中,將與所述最終形狀對應的掩模形成為布置在所述基板的所述第二層側而且從所述基板的厚度方向看去時布置在所述預結構內,
在所述第二蝕刻工序中,通過利用所述掩模對所述第二層和所述預結構進行蝕刻,從而形成所述最終形狀。
2.根據權利要求1所述的電子器件的制造方法,其特征在于:
所述結構體具有由所述第一層和所述第二層所形成的第一結構體,
在所述第一蝕刻工序中,將所述第一結構體中的由所述第一層所構成的部分形成為具有比最終形狀還大的形狀的第一預結構,
在所述掩模形成工序中,將與所述第一結構體的最終形狀對應的第一掩模形成為布置在所述基板的所述第二層側而且從所述基板的厚度方向看去時布置在所述第一預結構內,
在所述第二蝕刻工序中,通過利用所述第一掩模對所述第二層和所述第一預結構進行蝕刻,從而形成所述第一結構體的最終形狀。
3.根據權利要求2所述的電子器件的制造方法,其特征在于:
所述結構體具有由所述第二層所形成的、不包含所述第一層的第二結構體,
在所述第一蝕刻工序中,通過對所述第一層中的與所述第二結構體相對置的部分進行蝕刻而在該第一層上形成凹部,
在所述掩模形成工序中,將與所述第二結構體的最終形狀對應的第二掩模形成為布置在所述基板的所述第二層側而且從所述基板的厚度方向看去時布置在所述凹部內,
在所述第二蝕刻工序中,通過利用所述第二掩模對所述第二層進行蝕刻,從而形成所述第二結構體的最終形狀。
4.根據權利要求3所述的電子器件的制造方法,其特征在于:
在所述掩模形成工序中,使用規定了所述第一掩模和所述第二掩模之間的位置關系的光掩模來形成該第一掩模和該第二掩模。
5.根據權利要求2所述的電子器件的制造方法,其特征在于:
所述電子器件具有基礎部、能夠相對于所述基礎部移動的可動部、以及將所述可動部和所述基礎部彈性地連結起來的連結部,
所述連結部是所述第一結構體。
6.根據權利要求1所述的電子器件的制造方法,其特征在于:
所述結構體具有由所述第一層所形成的、不包含所述第二層的第三結構體,
在所述第一蝕刻工序中,將所述第三結構體中的由所述第一層所構成的部分形成為具有比最終形狀還大的形狀的第三預結構,
所述掩模形成工序中,將與所述第三結構體的最終形狀對應的第三掩模形成為布置在所述基板的所述第二層側而且從所述基板的厚度方向看去時布置在所述第三預結構內,
在所述第二蝕刻工序中,通過利用所述第三掩模對所述第二層和所述第三預結構進行蝕刻,從而形成所述第三結構體的最終形狀。
7.根據權利要求6所述的電子器件的制造方法,其特征在于:
所述基板包括設在所述第一層和所述第二層之間的第三層,
在所述第二蝕刻工序中,
通過利用所述第三掩模對所述第二層和所述第三層進行蝕刻,從而將該第三層中的位于所述第三預結構之上的部分形成為與所述第三結構體的最終形狀對應的形狀后,
通過將所述第三掩模剝離,并利用殘留在所述第三預結構之上的所述第三層對所述第三預結構進行蝕刻,從而形成所述第三結構體的最終形狀。
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