[發明專利]晶體管陣列布線

有效

• 申請號: 201480055851.4
• 申請日: 2014-10-07
• 公開（公告）號: CN105659384B
• 公開（公告）日: 2019-04-05
• 發明（設計）人: S·里德爾
• 申請（專利權）人: 弗萊克因艾伯勒有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 申發振

一種包含晶體管陣列的裝置，其中該裝置包括：在第一層級的第一導體層，第一導體層限定了為所述晶體管陣列提供源電極或柵電極中的一個的多個第一導體；在第二層級的第二導體層，第二導體層限定了為所述晶體管陣列提供源電極或柵電極中的另一個的多個第二導體；其中該第二導體層還限定了在所述第二導體之間的一個或多個位置處的布線導體，每個布線導體通過一個或多個層間導電連接連接到相應的第一導體。

晶體管陣列典型地包括為晶體管提供源電極的源極導體陣列、為晶體管提供漏電極的漏極導體陣列和為晶體管提供柵電極的柵極導體陣列。

一種用于連接該源極導體和柵極導體至一個或多個驅動器芯片的相應輸出端子的技術涉及在該陣列的一個邊緣終止該源極導體以及在該陣列的另一個邊緣終止該柵極導體，以及(a)在該陣列的相應邊緣提供分開的源極驅動器芯片和柵極驅動器芯片，或者在該陣列的共用邊緣提供源極和柵極驅動器芯片并且提供圍繞該陣列的兩個邊緣延伸至柵極或源極的導電軌，該柵極導體或源極導體終止于與該驅動器芯片所位于的邊緣不同的該陣列的邊緣。

本申請的發明人已認識到以下挑戰：改進源極/柵極導體至一個或多個驅動器芯片的布線(routing)。

在此提供一種包含晶體管陣列的裝置，其中該裝置包括：在第一層級的第一導體層，其限定了為所述晶體管陣列提供源電極或柵電極中的一個的多個第一導體；在第二層級的第二導體層，其限定了為所述晶體管陣列提供源電極或柵電極中的另一個的多個第二導體；其中所述第二導體層還限定了在所述第二導體之間的一個或多個位置處的布線導體，每個布線導體通過一個或多個層間導電連接連接到相應的第一導體。

根據一個實施例，第一導體為該晶體管陣列提供源電極，且第二導體為該晶體管陣列提供柵電極。

根據一個實施例，每個第一導體與該晶體管陣列的相應的一個或多個列相關聯，且每個第二導體與該晶體管陣列的相應的一個或多個行相關聯。

根據一個實施例，第一導體為該晶體管陣列提供柵電極，而第二導體為該晶體管陣列提供源電極。

根據一個實施例，所述第二導體和所述布線導體終止于該晶體管陣列的共用側。

根據一個實施例，該方法還包括在該晶體管的該共用側處的驅動器芯片，所述驅動器芯片包括源極輸出端子和柵極輸出端子，其中源極輸出端子和柵極輸出端子的順序與該晶體管陣列的該共用側處的第二導體和布線導體的順序相匹配。

根據一個實施例，該第一層級在該第二層級之下。

根據一個實施例，所述層間導電連接形成均勻的層間連接陣列的一部分，該均勻的層間連接陣列還包括未連接到任何第一導體的層間連接。

參考附圖，僅通過非限制性的示例在下文描述本發明的一個實施例，所述附圖中：

圖1是TFT陣列的柵極導體和源極導體的配置示例的平面示意圖；以及

圖2是TFT陣列的柵極導體和源極導體的配置示例的截面示意圖。

出于簡明的目的，圖1和圖2例示了小的4×4薄膜晶體管(TFT)陣列的柵極導體和源極導體的配置示例；但相同類型的配置可應用于更大的晶體管陣列，例如包含超過一百萬個晶體管的晶體管陣列。圖中所例示的裝置可以在本發明的范圍內進行修改，其修改方式的其他示例在說明書的末尾說明。

在支撐襯底30上提供第一圖案化導體層。該支撐襯底30例如可包括塑料膜和形成于該塑料膜和該第一導體層之間的平坦化層以及一個或多個其它的功能層(例如導體層和/或絕緣體層)，所述功能層在該塑料膜和該平坦化層之間，和/或在該平坦化層和該第一圖案化導體層之間，和/或在該塑料膜的與該平坦化層相對的一側。

該第一圖案化導體層被圖案化以限定(i)源極導體2a、2b、2c、2d的陣列，在該示例中每個源極導體為相應的晶體管列提供源電極；以及漏極導體8的陣列，每個漏極導體為相應的晶體管提供漏電極。第一圖案化導體層的此圖案化可以例如通過光刻技術來實現。