[發(fā)明專利]晶體管陣列布線有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201480055851.4 | 申請日： | 2014-10-07 |
| 公開（公告）號： | CN105659384B | 公開（公告）日： | 2019-04-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | S·里德爾 | 申請（專利權(quán)）人： | 弗萊克因艾伯勒有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/12 | 分類號： | H01L27/12 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人： | 申發(fā)振 |
| 地址： | 英國*** | 國省代碼： | 英國;GB |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 晶體管 陣列 布線 | ||
1.一種包含晶體管陣列的裝置，其中所述裝置包括：在第一層級的第一導(dǎo)體層，所述第一導(dǎo)體層限定了為所述晶體管陣列在所述第一層級提供源電極或柵電極中的一個的多個第一導(dǎo)體；在第二層級的第二導(dǎo)體層，所述第二導(dǎo)體層限定了為所述晶體管陣列在所述第二層級提供源電極或柵電極中的另一個的多個第二導(dǎo)體；其中所述第二導(dǎo)體層還限定了所述第二導(dǎo)體之間的一個或多個位置處的布線導(dǎo)體，每個布線導(dǎo)體通過一個或多個層間導(dǎo)電連接連接到相應(yīng)的第一導(dǎo)體；其中所述層間導(dǎo)電連接形成均勻的層間導(dǎo)體陣列的一部分，并且所述均勻的層間導(dǎo)體陣列還包括在所述布線導(dǎo)體和所述第一導(dǎo)體之間不提供導(dǎo)電連接的層間導(dǎo)體。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第一導(dǎo)體為所述晶體管陣列提供源電極，而所述第二導(dǎo)體為所述晶體管陣列提供柵電極。
3.如權(quán)利要求2所述的裝置，其中每個第一導(dǎo)體與所述晶體管陣列的相應(yīng)的一個或多個列相關(guān)聯(lián)，而每個第二導(dǎo)體與所述晶體管陣列的相應(yīng)的一個或多個行相關(guān)聯(lián)。
4.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第一導(dǎo)體為所述晶體管陣列提供柵電極，而所述第二導(dǎo)體為所述晶體管陣列提供源電極。
5.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第二導(dǎo)體和所述布線導(dǎo)體終止于所述晶體管陣列的共用側(cè)。
6.如權(quán)利要求5所述的裝置，還包括在所述晶體管陣列的所述共用側(cè)的驅(qū)動器芯片，所述驅(qū)動器芯片包括源極輸出端子和柵極輸出端子，其中所述源極輸出端子和所述柵極輸出端子的順序與在所述晶體管陣列的所述共用側(cè)處的所述第二導(dǎo)體和所述布線導(dǎo)體的順序相匹配。
7.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第一層級在所述第二層級之下。
8.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中在所述布線導(dǎo)體和所述第一導(dǎo)體之間不提供導(dǎo)電連接的所述層間導(dǎo)體包括從所述布線導(dǎo)體至所述第一層級的不存在所述第一導(dǎo)體的位置的層間導(dǎo)體。
9.如權(quán)利要求1或8所述的裝置，其中所述層間導(dǎo)體延伸通過一個或多個層，所述一個或多個層包括為所述晶體管陣列提供半導(dǎo)體溝道的半導(dǎo)體層以及為所述晶體管陣列提供柵極電介質(zhì)的電介質(zhì)層。
10.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中形成所述層間導(dǎo)電連接的所述層間導(dǎo)體以及在所述布線導(dǎo)體和所述第一導(dǎo)體之間不提供導(dǎo)電連接的層間導(dǎo)體二者由相同的導(dǎo)體材料形成。
11.如權(quán)利要求8所述的裝置，其中形成所述層間導(dǎo)電連接的所述層間導(dǎo)體以及從所述布線導(dǎo)體至所述第一層級的不存在所述第一導(dǎo)體的位置的層間導(dǎo)體二者由相同的導(dǎo)體材料形成。
12.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第二導(dǎo)體或所述布線導(dǎo)體中的一者與所述第二導(dǎo)體或所述布線導(dǎo)體中的另一者在所述晶體管陣列的邊緣向外的區(qū)域中在不同層級處交叉。
13.如權(quán)利要求12所述的裝置，其中所述第二導(dǎo)體或所述布線導(dǎo)體中的一者通過所述晶體管陣列的邊緣處的第二層間導(dǎo)電連接從所述第二層級布線至另一層級。
14.如權(quán)利要求13所述的裝置，其中所述另一層級是所述第一層級。
15.如權(quán)利要求12所述的裝置，其中為晶體管陣列提供柵極電介質(zhì)的電介質(zhì)層至少在所述交叉的區(qū)域中位于所述第二導(dǎo)體和所述布線導(dǎo)體之間。
16.如權(quán)利要求13所述的裝置，包括第三層間導(dǎo)電連接，所述第三層間導(dǎo)電連接將通過所述第二層間導(dǎo)電連接布線至所述另一層級的所述第二導(dǎo)體和所述布線導(dǎo)體中的一者從所述另一層級布線至一個或多個驅(qū)動器芯片所位于的層級。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
