[發明專利]芳基磺酸化合物及其利用以及芳基磺酸化合物的制備方法有效
| 申請號: | 201480055509.4 | 申請日: | 2014-10-08 |
| 公開(公告)號: | CN105612146B | 公開(公告)日: | 2017-10-27 |
| 發明(設計)人: | 中家直樹 | 申請(專利權)人: | 日產化學工業株式會社 |
| 主分類號: | C07C309/51 | 分類號: | C07C309/51;C07C303/22;H01L51/50 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所11038 | 代理人: | 王永紅 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 芳基磺 酸化 及其 利用 以及 制備 方法 | ||
1.芳基磺酸化合物,其特征在于,其由式(1)表示:
[化1]
式中,Ar1表示由式(2)表示的基團:
[化2]
式中,R1~R5各自獨立地表示氫原子、鹵原子、氰基、硝基、甲基或者三氟甲基,但R1~R5中的至少1個表示鹵原子;
Ar2表示由式(3)或(4)表示的基團:
[化3]
2.權利要求1所述的芳基磺酸化合物,其中,上述Ar2為由式(3-1)~(3-2)以及式(4-1)~(4-6)的任一個表示的基團:
[化4]
[化5]
3.權利要求2所述的芳基磺酸化合物,其特征在于,上述Ar2為由式(4-5)或(4-6)表示的基團。
4.權利要求1或2所述的芳基磺酸化合物,其特征在于,上述R1~R5中的至少1個為氟原子,其余的至少1個為鹵原子、硝基、氰基或者三氟甲基。
5.權利要求4所述的芳基磺酸化合物,其特征在于,R1~R5中的至少2個為氟原子。
6.摻雜劑,其包含權利要求1~5的任1項所述的芳基磺酸化合物。
7.電荷傳輸性清漆,其含有權利要求6所述的摻雜劑、電荷傳輸性物質以及有機溶劑。
8.電荷傳輸性薄膜,其是使用權利要求7所述的電荷傳輸性清漆制作的。
9.有機電致發光元件,其具有權利要求8所述的電荷傳輸性薄膜。
10.電荷傳輸性薄膜的制備方法,其特征在于,使用權利要求6所述的摻雜劑。
11.電荷傳輸性薄膜的制備方法,其特征在于,使用權利要求7所述的電荷傳輸性清漆。
12.芳基磺酸鹽,其特征在于,其由式(1')表示:
[化6]
式中,Ar1表示由式(2)表示的基團:
[化7]
式中,R1~R5各自獨立地表示氫原子、鹵原子、氰基、硝基、甲基或者三氟甲基,但R1~R5中的至少1個表示鹵原子;
Ar3表示由式(3')或(4')表示的基團:
[化8]
式中,M表示堿金屬原子。
13.權利要求12所述的芳基磺酸鹽的制備方法,其特征在于,使式(5)表示的胺與式(6)表示的酰鹵化合物進行反應:
[化9]
式中,X表示鹵原子;Ar1和Ar3如上所述。
14.權利要求1所述的芳基磺酸化合物的制備方法,其特征在于,對由式(1')表示的芳基磺酸鹽進行離子交換處理:
[化10]
式中,Ar1如上所述;Ar3表示由式(3')或(4')表示的基團:
[化11]
式中,M表示堿金屬原子。
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