[發(fā)明專利]例如用于加熱板的箔加熱器

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201480053981.4
• 申請(qǐng)日: 2014-08-18
• 公開（公告）號(hào): CN105594301A
• 公開（公告）日: 2016-05-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: T·施皮爾曼;T·維特科斯基
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: IEE國際電子工程股份公司
• 主分類號(hào): H05B3/34
• 分類號(hào): H05B3/34
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 王麗軍

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明總體上涉及箔加熱器(即具有薄、撓性箔或膜的外觀的加熱 器)，例如，用于加熱板的箔加熱器，特別是(但不排外地)適于加熱車 輛、特別是小汽車的乘客轎廂的箔加熱器。

背景技術(shù)

加熱板在機(jī)動(dòng)車工業(yè)中日益流行，用于加熱車輛的乘客轎廂(例如通 過輻射或接觸加熱)，因?yàn)樗鼈兪钩丝偷母呤孢m性與有效利用電能相結(jié) 合。現(xiàn)有的加熱板通常采用與座椅加熱器相同的技術(shù)。特別地，它們包括 依照脈沖寬度調(diào)制模式間歇操作的電阻絲。當(dāng)施加加熱電流的時(shí)候，電阻 絲到達(dá)非常高的溫度。而且，由于各絲的相鄰部段之間具有間距，熱量非 常局部地產(chǎn)生，導(dǎo)致熱點(diǎn)和非加熱區(qū)域交替分布。因此，必須通過均衡層 使各絲與乘客轎廂隔開，該均衡層使溫度分布不但在時(shí)間上并且在加熱板 的整個(gè)區(qū)域上均衡化。不可避免地，均衡層會(huì)增大加熱板的熱容量，延遲 熱量至被加熱空間的傳遞以及阻擋熱量朝向該空間的流動(dòng)。換句話說，均 衡層顯著減弱了輻射加熱的優(yōu)勢。

技術(shù)問題

本發(fā)明的目的是提供一種適合在較低溫度下操作的箔加熱器。此目的 通過如權(quán)利要求1所述的箔加熱器得以實(shí)現(xiàn)。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本發(fā)明的第一方面，箔加熱器包括分別形成于順從平坦或彎曲的 表面的第一和第二層中的第一和第二螺線電阻加熱軌跡。第一和第二電阻 加熱軌跡中的每一個(gè)具有中心(如此處所使用的，術(shù)語“中心”是指螺線的 內(nèi)端)和至少一個(gè)外末端(如此處所使用的，術(shù)語“外末端”是指螺線的最 外匝的端部)。電絕緣層被置于第一和第二層之間。電絕緣層包括容納電 過孔通路的開口，第一和第二電阻加熱軌跡通過所述電過孔通路彼此電接 觸。

由于它們的螺線形狀，加熱軌跡可在整個(gè)加熱表面上濃密布置，而不 (或基本上不)交叉。更加均勻的溫度分布能夠因此得以實(shí)現(xiàn)。值得注意 的是螺線不必須具有特殊規(guī)則形狀。

第一和第二電阻加熱軌跡優(yōu)選沿彼此并排延伸(當(dāng)從垂直于第一和第 二層的方向上看時(shí))。因?yàn)橐粋€(gè)加熱軌跡的不同匝通過螺線縫隙彼此隔 開，所以另一加熱軌跡的各匝優(yōu)選布置為與所述螺線縫隙的中線對(duì)齊延 伸。根據(jù)每單位面積被指定的熱的量值，第一加熱軌跡和第二加熱軌跡之 間的重疊(其被定義為位于電絕緣層的相反一側(cè)上的加熱軌跡覆蓋的加熱 軌跡寬度的百分比)可共計(jì)在每個(gè)軌跡的寬度的0％(沒有重疊)和50％ 之間。在第一和第二加熱軌跡之間的重疊區(qū)域中，在電絕緣層的兩側(cè)上產(chǎn) 生熱量。因此，重疊地帶中的局部熱密度可顯著高于非重疊地帶中的局部 熱密度。優(yōu)選地，第一和第二電阻加熱軌跡形成的總重疊區(qū)域不大于該平 坦或彎曲的表面的25％。

根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，其中第一和第二電阻加熱軌跡占據(jù)所述平 坦或彎曲的表面至少70％的延伸范圍。優(yōu)選地，填充因數(shù)甚至更高，例如 約80％或甚至約90％。填充因數(shù)越高，總的非加熱區(qū)域越小。依次，局部 溫度最大值能夠更接近在整個(gè)箔加熱器區(qū)域上的平均溫度。

第一和第二加熱軌跡是由基板承載的優(yōu)選被印刷或以其它方式沉積的 層。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，電絕緣層包括撓性基板，其具有印刷著所 述第一電阻加熱軌跡的第一側(cè)和印刷著所述第二電阻加熱軌跡的第二側(cè)。 根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選實(shí)施例，電絕緣層包括基板，其第一側(cè)具有通過電 沉積或非電解鍍層形成為層(在通過任何適當(dāng)?shù)挠∷⑦^程提供的第一種子 軌跡上)而施用的所述第一電阻加熱軌跡，所述基板的第二側(cè)具有通過電 沉積或非電解鍍層形成為層(在通過任何適當(dāng)?shù)挠∷⑦^程提供的第二種子 軌跡上)而施用的所述第二電阻加熱軌跡。根據(jù)本發(fā)明的又另一優(yōu)選實(shí)施 例，第一電阻加熱軌跡被施用(沉積或印刷)于承載膜上，所述電絕緣層 被印刷在所述第一電阻加熱軌跡上面，而所述第二電阻加熱軌跡被印刷在 所述電絕緣層上面。根據(jù)本發(fā)明的再另一優(yōu)選實(shí)施例，第一電阻加熱軌跡 被施用于第一承載膜上，第二電阻加熱軌跡被施用于第二承載膜上，電絕 緣層被層合在所述第一承載膜和第二承載膜之間。

優(yōu)選地，第一和第二電阻加熱軌跡分別具有被包括在從0.5mm至5 cm的范圍內(nèi)、優(yōu)選從2mm至2cm的范圍內(nèi)的寬度。而且，加熱軌跡的 寬度可在箔加熱器上改變，以在加熱器的不同部分中實(shí)現(xiàn)可變的加熱功率 密度。如果第一和第二電阻加熱軌跡形成至少一個(gè)交叉處，那么第一和第 二電阻加熱軌跡優(yōu)選在該交叉處被局部加寬。由于此加寬，軌跡的電阻在 該交叉處區(qū)域中降低，導(dǎo)致熱產(chǎn)生減少。因而，此技術(shù)可被用于避免在加 熱軌跡交叉處的不均勻溫度分布。