[發明專利]例如用于加熱板的箔加熱器在審
| 申請號: | 201480053981.4 | 申請日: | 2014-08-18 |
| 公開(公告)號: | CN105594301A | 公開(公告)日: | 2016-05-18 |
| 發明(設計)人: | T·施皮爾曼;T·維特科斯基 | 申請(專利權)人: | IEE國際電子工程股份公司 |
| 主分類號: | H05B3/34 | 分類號: | H05B3/34 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 王麗軍 |
| 地址: | 盧森堡埃*** | 國省代碼: | 盧森堡;LU |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 例如 用于 加熱 加熱器 | ||
1.一種箔加熱器,包括:
第一螺線電阻加熱軌跡,其被形成在順從平坦或彎曲的表面的第一層 中,所述第一電阻加熱軌跡具有中心和至少一個外末端;
第二螺線電阻加熱軌跡,其被形成在順從所述平坦或彎曲的表面的第 二層中,所述第二電阻加熱軌跡具有中心和至少一個外末端;和
布置于所述第一層和第二層之間的電絕緣層,所述電絕緣層包括容納 電過孔通路的開口,所述第一電阻加熱軌跡和第二電阻加熱軌跡通過所述 電過孔通路彼此電接觸。
2.如權利要求1所述的箔加熱器,其中,所述第一電阻加熱軌跡和第 二電阻加熱軌跡并排延伸。
3.如權利要求2所述的箔加熱器,其中,所述第一電阻加熱軌跡和第 二電阻加熱軌跡占據所述平坦或彎曲的表面至少70%的延伸范圍。
4.如權利要求1至3中任一項所述的箔加熱器,其中,所述第一電阻 加熱軌跡和第二電阻加熱軌跡形成不大于所述平坦或彎曲的表面的25%的 重疊區域。
5.如權利要求1至4中任一項所述的箔加熱器,其中,所述電絕緣層 包括撓性基板,所述撓性基板具有印刷著所述第一電阻加熱軌跡的第一側 和印刷著所述第二電阻加熱軌跡的第二側。
6.如權利要求1至4中任一項所述的箔加熱器,其中,所述電絕緣層 包括基板,所述基板的第一側具有通過電沉積或非電解鍍層形成為層而施 用的所述第一電阻加熱軌跡,所述基板的第二側具有通過電沉積或非電解 鍍層形成為層而施用的所述第二電阻加熱軌跡。
7.如權利要求1至4中任一項所述的箔加熱器,其中,所述第一電阻 加熱軌跡被施用于承載膜上,所述電絕緣層被印刷在所述第一電阻加熱軌 跡上,而所述第二電阻加熱軌跡被印刷在所述電絕緣層上。
8.如權利要求1至4中任一項所述的箔加熱器,其中,所述第一電阻 加熱軌跡被施用于第一承載膜上,所述第二電阻加熱軌跡被施用于第二承 載膜上,而所述電絕緣層被層合在所述第一承載膜和第二承載膜之間。
9.如權利要求1至8中任一項所述的箔加熱器,其中,所述第一電阻 加熱軌跡和第二電阻加熱軌跡具有被包括在從0.5mm至5cm的范圍內、 優選從2mm至2cm的范圍內的寬度。
10.如權利要求1至9中任一項所述的箔加熱器,其中,所述電絕緣 層具有被包括在從0.1W/(m·K)至1W/(m·K)的范圍內的導熱率。
11.如權利要求1至10中任一項所述的箔加熱器,其中,所述第一電 阻加熱軌跡和第二電阻加熱軌跡的最小曲率半徑分別不小于所述第一電阻 加熱軌跡和第二電阻加熱軌跡的寬度。
12.如權利要求1至11中任一項所述的箔加熱器,其中,所述第一電 阻加熱軌跡和第二電阻加熱軌跡在它們的中心處彼此電接觸。
13.如權利要求1至12中任一項所述的箔加熱器,其中,所述第一電 阻加熱軌跡和第二電阻加熱軌跡在它們的外末端處彼此電接觸。
14.如權利要求1至13中任一項所述的箔加熱器,其中,所述第一電 阻加熱軌跡和第二電阻加熱軌跡中的每一個包括在它們相應的中心處相連 接的至少兩個螺線分支。
15.如權利要求1至14中任一項所述的箔加熱器,其中,所述電過孔 通路由電阻加熱材料制成,所述電阻加熱材料的長度、寬度和沉積厚度被 選擇為使所述過孔通路有助于發熱。
16.如權利要求1至15中任一項所述的箔加熱器,其中,所述第一電 阻加熱軌跡和第二電阻加熱軌跡形成至少一個交叉處,并且所述第一電阻 加熱軌跡和第二電阻加熱軌跡在所述交叉處被局部加寬。
17.如權利要求1至16中任一項所述的箔加熱器,包括至少兩個電過 孔通路以及在所述電過孔通路處連接到所述加熱軌跡的電源。
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