[發(fā)明專利]傳送腔室氣體凈化裝置、電子設(shè)備處理系統(tǒng)及凈化方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201480053795.0 | 申請日: | 2014-09-26 |
| 公開(公告)號: | CN105580107B | 公開(公告)日: | 2019-02-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 愛德華·吳;埃里克·A·英格哈特;特雷斯·莫瑞;阿揚(yáng)·馬宗達(dá);史蒂夫·S·洪坎 | 申請(專利權(quán))人: | 應(yīng)用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/302;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 傳送 氣體 凈化 裝置 電子設(shè)備 處理 系統(tǒng) 方法 | ||
公開了傳送腔室氣體凈化裝置。該傳送腔室氣體凈化裝置具有傳送腔室,該傳送腔室適于容納至少一部分的傳輸機(jī)械手,該傳送腔室包括側(cè)壁、腔室蓋及腔室底面,其中腔室蓋具有多個分散的腔室入口。多個分散的腔室入口可包括擴(kuò)散元件。可在基板上方提供層狀凈化氣體流。公開了包括多個分散的腔室入口的系統(tǒng)及方法、及其他很多方面。
相關(guān)申請
本申請要求享有于2013年9月30日提交的名稱為“TRANSFER CHAMBER GAS PURGEAPPARATUS,SYSTEMS,AND METHODS(傳送腔室氣體凈化裝置、系統(tǒng)及方法)”的美國臨時申請第61/884,637號的優(yōu)先權(quán),為所有目的通過援引將該專利申請結(jié)合在此。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電子設(shè)備制造,更特定而言,涉及傳送腔室氣體供應(yīng)裝置、系統(tǒng)、及其方法。
背景技術(shù)
傳統(tǒng)電子設(shè)備制造系統(tǒng)可包括一個或更多個處理腔室,這些腔室適于執(zhí)行任何數(shù)量的處理,這些處理諸如是脫氣、清潔及預(yù)清潔、諸如化學(xué)氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)或原子層沉積之類的沉積、涂布、氧化、硝化(nitration)、蝕刻(例如等離子體蝕刻)或類似者。可提供一個或更多個裝載鎖定腔室,以使得基板能夠從工廠接口進(jìn)入及離開。這些處理腔室及裝載鎖定腔室中的每個腔室可被包括于群集工具中,其中例如多個處理腔室可分散在傳送腔室四周。傳送機(jī)械手可容納在傳送腔室中,以借助一個或更多個終端受動器從各個處理腔室和裝載鎖定腔室傳輸基板及將基板傳輸至各個處理腔室及裝載鎖定腔室。通常,在傳送腔室與各個處理腔室及裝載鎖定腔室之間提供狹縫閥開口。傳送機(jī)械手的一個或更多個終端受動器(例如葉片)可通過狹縫閥開口,以放置或提取基板(例如硅晶片、玻璃板或類似物)進(jìn)或出提供于處理腔室或裝載鎖定腔室中的支撐件(例如底座或升降桿)。
一旦基板適當(dāng)?shù)卦O(shè)置在處理腔室中,狹縫閥可關(guān)閉,且可開始基板的處理。作為處理的部分,由于系統(tǒng)中的移動部件的緣故可形成顆粒。如果這些微粒停在處理過的基板上,那么此舉可影響基板的質(zhì)量。為了使微粒最小化,現(xiàn)有技術(shù)的系統(tǒng)已包括機(jī)械手下方的進(jìn)入傳送腔室中的氣體入口以及亦在機(jī)械手下方的離開傳送腔室的氣體出口,以完成傳送腔室的凈化。然而,這些系統(tǒng)一般而言為無效率的。
因此,需要改善的傳送腔室氣體流動裝置、系統(tǒng)及方法。
發(fā)明內(nèi)容
在一個實(shí)施方式中,提供一種傳送腔室氣體凈化裝置。所述傳送腔室氣體凈化裝置包括適于容納至少一部分的傳送機(jī)械手的傳送腔室,所述傳送腔室至少部分地由側(cè)壁、腔室蓋及腔室底面(chamber floor)形成,所述腔室蓋具有多個分散的腔室入口。
另一方面,提供一種電子設(shè)備處理系統(tǒng)。所述電子設(shè)備處理系統(tǒng)包括至少部分地由主機(jī)外殼形成的傳送腔室,該主機(jī)外殼具有側(cè)壁、腔室蓋及腔室底面、在所述腔室蓋中的多個分散的腔室入口、以及在所述腔室底面中的多個分散的腔室出口。
另一方面,提供一種凈化傳送腔室的方法。所述方法包括提供至少部分地由腔室蓋、側(cè)壁及腔室底面形成的傳送腔室,所述傳送腔室容納至少一部分的機(jī)械手,所述機(jī)械手適于將基板傳輸至自所述傳送腔室進(jìn)出的腔室及從自所述傳送腔室進(jìn)出的腔室傳輸基板;及借助凈化氣體的流入從傳送腔室進(jìn)行凈化,所述凈化氣體是通過所述腔室蓋中的多個分散的入口流入的。
根據(jù)本發(fā)明的這些及其他方面提供很多其他特征。本發(fā)明的實(shí)施方式的其他特征及方面將從以下的詳細(xì)說明、所附權(quán)利要求書及附圖更加顯而易見。
附圖簡要說明
圖1A圖示根據(jù)實(shí)施方式的包括傳送腔室氣體凈化裝置的電子設(shè)備處理系統(tǒng)的示意頂部視圖。
圖1B圖示根據(jù)實(shí)施方式的包括傳送腔室氣體凈化裝置的電子設(shè)備處理系統(tǒng)的部分剖面?zhèn)纫晥D。
圖2圖示根據(jù)實(shí)施方式的包括擴(kuò)散元件的腔室入口的部分剖面?zhèn)纫晥D。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





