[發明專利]傳送腔室氣體凈化裝置、電子設備處理系統及凈化方法有效
| 申請號: | 201480053795.0 | 申請日: | 2014-09-26 |
| 公開(公告)號: | CN105580107B | 公開(公告)日: | 2019-02-19 |
| 發明(設計)人: | 愛德華·吳;埃里克·A·英格哈特;特雷斯·莫瑞;阿揚·馬宗達;史蒂夫·S·洪坎 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/302;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 傳送 氣體 凈化 裝置 電子設備 處理 系統 方法 | ||
1.一種傳送腔室氣體凈化裝置,所述傳送腔室氣體凈化裝置包括:
傳送腔室,所述傳送腔室適于容納至少一部分的傳送機械手,所述傳送腔室至少部分地由側壁、腔室蓋及腔室底面形成,所述腔室蓋具有多個分散的腔室入口,所述多個分散的腔室入口包括主要腔室入口及次要腔室入口,所述主要腔室入口的至少某些主要腔室入口定位在基板的傳送路徑上方,所述次要腔室入口的至少某些次要腔室入口布置在所述主要腔室入口之間。
2.如權利要求1所述的傳送腔室氣體凈化裝置,其中所述主要腔室入口及所述次要腔室入口可獨立地控制。
3.如權利要求2所述的傳送腔室氣體凈化裝置,其中所述主要腔室入口及所述次要腔室入口耦接至流量控制組件。
4.如權利要求1所述的傳送腔室氣體凈化裝置,其中所述多個分散的腔室入口包括至少四個主要腔室入口。
5.如權利要求1所述的傳送腔室氣體凈化裝置,包括多個視窗,所述多個視窗形成在所述腔室蓋中。
6.如權利要求1所述的傳送腔室氣體凈化裝置,其中至少某些所述多個分散的腔室入口包括擴散元件。
7.如權利要求1所述的傳送腔室氣體凈化裝置,其中所述主要腔室入口及所述次要腔室入口具有在進入所述傳送腔室的各個進口處的不同的入口流動面積。
8.如權利要求1所述的傳送腔室氣體凈化裝置,包括多個分散的腔室出口,所述多個分散的腔室出口提供于所述腔室底面中。
9.如權利要求1所述的傳送腔室氣體凈化裝置,包括多個分散的腔室出口,所述多個分散的腔室出口提供于所述腔室底面中,其中至少某些所述多個分散的腔室出口與至少某些所述多個分散的腔室入口豎直對齊。
10.一種電子設備處理系統,所述電子設備處理系統包括:
根據權利要求1所述的傳送腔室,其中所述傳送腔室至少部分地由主機外殼形成,所述主機外殼具有側壁、腔室蓋及腔室底面;
多個分散的腔室入口,所述多個分散的腔室入口在所述腔室蓋中;及
多個分散的腔室出口,所述多個分散的腔室出口在所述腔室底面中。
11.一種凈化傳送腔室的方法,所述方法包括以下步驟:
提供傳送腔室,所述傳送腔室至少部分地由腔室蓋、側壁及腔室底面形成,所述傳送腔室容納至少一部分的機械手,所述機械手適于將基板傳輸至自所述傳送腔室進出的腔室及從自所述傳送腔室進出的腔室傳輸基板;
借助凈化氣體的流入從所述傳送腔室進行凈化,所述凈化氣體是通過所述腔室蓋中的多個分散的入口流入的;及
通過所述腔室底面中的多個分散的腔室出口排出所述凈化氣體。
12.如權利要求11所述的方法,其中從所述傳送腔室進行凈化的步驟進一步包括以下步驟:使所述凈化氣體通過多個擴散元件流入。
13.如權利要求11所述的方法,其中從所述傳送腔室進行凈化的步驟進一步包括以下步驟:在所述基板上方提供所述凈化氣體的實質上層狀流。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





