[發明專利]基板處理裝置、貼合基板的剝離方法以及粘接劑的除去方法有效
| 申請號: | 201480053045.3 | 申請日: | 2014-09-24 |
| 公開(公告)號: | CN105593971B | 公開(公告)日: | 2018-10-02 |
| 發明(設計)人: | 金井隆宏;松井繪美;林航之介 | 申請(專利權)人: | 芝浦機械電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人: | 周善來;王玉玲 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 處理 裝置 貼合 剝離 方法 以及 粘接劑 除去 | ||
1.一種基板處理裝置,其特征為,
具備:處理槽,貯存浸漬處理物的處理液;
搬運部,搬運所述處理物;
及溫度控制部,設置在所述處理槽與離開所述處理槽的位置當中的至少一方,對所述處理物進行加熱與冷卻當中的至少一個,
所述處理物是,
具有設備基板、支撐基板、設置在所述設備基板與所述支撐基板之間的粘接劑的貼合基板,
及附著有粘接劑的設備基板,
及附著有粘接劑的支撐基板當中的至少一個,
在所述處理槽中,使通過所述溫度控制部溫度已經改變的所述處理物的溫度進一步改變,在所述設備基板與所述粘接劑的界面、以及所述支撐基板與所述粘接劑的界面當中的至少任意一個上,使其發生剝離以及裂紋的至少任意一種,使所述處理液從所述已發生剝離的部分以及所述已發生裂紋的部分的至少任意一種侵入,由此進行所述貼合基板的剝離或所述粘接劑的除去。
2.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其特征為,所述處理液是選自純水、臭氧水、過飽和氣體溶解水、APM、SPM中的至少1種。
3.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其特征為,
還具備對所述搬運部進行控制的控制部,
所述控制部控制所述搬運部而將在溫度控制部中進行加熱與冷卻當中的至少一個之后的所述處理物浸漬在貯存于所述處理槽的所述處理液中。
4.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其特征為,設置于所述處理槽的所述溫度控制部,在所述處理槽的高度方向上,在貯存于所述處理槽的所述處理液中形成溫度不同的多個區域。
5.根據權利要求1所述的基板處理裝置,其特征為,所述溫度控制部在所述處理物的面內形成溫度不同的多個區域。
6.一種貼合基板的剝離方法,其特征為,
具備:改變貼合基板溫度的工序,貼合基板具有設備基板、支撐基板、設置在所述設備基板與所述支撐基板之間的粘接劑;
及將所述貼合基板浸漬于處理液的工序;
在所述浸漬的工序中,通過使所述貼合基板的溫度發生改變的工序而溫度發生了改變的所述貼合基板的溫度進一步改變,在所述設備基板與所述粘接劑的界面、以及所述支撐基板與所述粘接劑的界面當中的至少任意一個上,使其發生剝離以及裂紋的至少任意一種,使所述處理液從所述已發生剝離的部分以及所述已發生裂紋的部分的至少任意一種侵入,由此進行所述貼合基板的剝離。
7.根據權利要求6所述的貼合基板的剝離方法,其特征為,所述處理液是選自純水、臭氧水、過飽和氣體溶解水、APM、SPM中的至少1種。
8.根據權利要求6所述的貼合基板的剝離方法,其特征為,在將所述貼合基板浸漬于處理液的工序中,將在所述改變溫度的工序中所述改變了溫度的貼合基板浸漬于所述處理液。
9.根據權利要求6所述的貼合基板的剝離方法,其特征為,
在將所述貼合基板浸漬于處理液的工序中使用的所述處理液中,形成溫度不同的多個區域,
在改變所述貼合基板溫度的工序中,使所述貼合基板在所述溫度不同的多個區域之間移動。
10.根據權利要求6所述的貼合基板的剝離方法,其特征為,在改變所述貼合基板溫度的工序中,在所述處理物的面內形成溫度不同的多個區域。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





