[發明專利]遺傳修飾動物細胞的改進方法

有效

• 申請號: 201480052400.5
• 申請日: 2014-09-23
• 公開（公告）號: CN105593362B
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 約翰·R·威爾遜
• 申請（專利權）人: 威爾遜沃夫制造公司
• 主分類號: C12N5/02
• 分類號: C12N5/02;C12N5/07;C12N5/10
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 鄭斌;彭鯤鵬

1.轉導T細胞的方法，其包括：

將培養基、T細胞和包含慢病毒的遺傳修飾劑以1至5的感染復數添加到包含可透氣、不可透液體材料的裝置中，所述T細胞的濃度為3百萬至2千萬個細胞/毫升培養基，所述T細胞與所述可透氣、不可透液體材料接觸，所述可透氣、不可透液體材料處于水平位置，以及

允許經過一段時間，由此所述遺傳修飾劑起作用以轉導至少一部分所述T細胞。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述T細胞的濃度為4百萬至2千萬個細胞/毫升培養基。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述T細胞的濃度為5百萬至2千萬個細胞/毫升培養基。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述T細胞的濃度為6百萬至2千萬個細胞/毫升培養基。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述裝置中的培養基在所述一段時間的至少一部分中不處于靜態，由此所述遺傳修飾劑起作用以轉導至少一部分所述T細胞。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述可透氣、不可透液體材料與可透氣材料支持物接觸并且與環境氣體接觸。

7.轉導T細胞的方法，其包括：

a)將培養基和一定量的T細胞添加到包含由可透氣、不可透液體材料構成之水平細胞生長表面的可透氣裝置中，并且允許T細胞被重力吸引至所述可透氣、不可透液體材料，由此所述T細胞處于低于2百萬個細胞/毫升的第一細胞濃度，培養基為第一培養基高度，并且培養基處于第一培養基體積，所述第一細胞濃度為所述T細胞的量除以所述第一培養基體積，所述第一培養基高度由當所述細胞生長表面處于水平位置時所述培養基的最上面位置與所述培養基的最下面位置之間的距離定義，

b)從所述裝置移出一部分所述第一培養基體積，從而在所述裝置中留下第二培養基體積，其中T細胞處于超過3百萬個細胞/毫升的第二細胞濃度，培養基處于第二培養基高度，所述第二培養基高度由當所述細胞生長表面處于水平位置時所述培養基的最上面位置與所述培養基的最下面位置之間的距離定義，

c)將包含慢病毒的遺傳修飾劑以1至5的感染復數添加到所述裝置中，

d)允許經過一段時間，以使得所述遺傳修飾劑轉導至少一部分所述T細胞，

e)將一定體積的培養基添加至所述裝置中，以及

f)當所述裝置定向成使得至少一部分所述T細胞駐留在所述細胞生長表面上，并且所述細胞生長表面以水平位置定向，且適合細胞培養的環境氣體與所述可透氣、不可透液體材料接觸時，允許培養一段時間以使得所述T細胞數量擴增。

8.根據權利要求7所述的方法，其中所述第二細胞濃度為4百萬至2千萬個T細胞/毫升培養基。

9.根據權利要求7所述的方法，其中所述第二細胞濃度為5百萬至1千萬個T細胞/毫升培養基。

10.根據權利要求9所述的方法，其中在所述培養時間后經轉導T細胞的量超過添加到所述裝置中的T細胞的量。

11.根據權利要求9所述的方法，其中在添加遺傳修飾劑之前，將多個珠添加到所述裝置中。

12.根據權利要求11所述的方法，其中使所述珠暴露于磁場并且移出未附著至所述珠的T細胞，從而在所述裝置內留下期望的T細胞亞群。

13.根據權利要求12所述的方法，其中通過與可透氣材料支持物接觸的磁體產生所述磁場。

14.根據權利要求13所述的方法，其中所述磁體的表面與所述可透氣細胞生長表面平行。

15.根據權利要求13所述的方法，其中所述磁體的表面與所述細胞生長表面平行并且在0.5英寸內。