[發明專利]用于腔室端口的氣體設備、系統及方法有效
| 申請號: | 201480049216.5 | 申請日: | 2014-09-24 |
| 公開(公告)號: | CN105556640B | 公開(公告)日: | 2018-01-26 |
| 發明(設計)人: | 納根德拉·V·馬迪瓦;羅伯特·歐文·德科蒂尼斯;安德魯·阮;保羅·B·路透;安吉拉·R·斯科;邁克爾·庫查爾;特雷斯·莫瑞;米切爾·迪桑圖 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金國,趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 端口 氣體設備 系統 方法 | ||
相關申請的交叉引用
本申請主張審查中的美國專利申請序號第14/036,754號的優先權,其申請于2013年9月25日,標題為“GAS APPARATUS,SYSTEMS,AND METHODS FOR CHAMBER PORTS(用于腔室端口的氣體設備、系統及方法)”(文件編號為第20873號),其內容在此以引用的方式針對所有目的將其并入。
技術領域
本發明一般涉及電子裝置制造,且更具體地,涉及腔室端口,通過該腔室端口來傳送基板。
背景技術
傳統的電子裝置制造系統可包括配置來執行任何數量的基板處理的一個或多個處理腔室,所述基板處理包括例如除氣、預清潔或清潔、沉積(例如,化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、及/或原子層沉積)、涂覆、氧化、氮化、蝕刻(例如,等離子體蝕刻)、與類似者。基板可為半導體晶片、玻璃板或平板、及/或用于制造電子裝置或電路部件的其他工件。基板可通過腔室端口組件而傳送于處理腔室與傳送腔室之間,腔室端口組件可包括例如狹縫閥。腔室端口組件提供處理腔室與傳送腔室的腔室端口之間的接口。來自腔室硬件的非所期望微粒狀物質可能在基板傳送通過腔室端口組件期間遷移至基板。非所期望微粒狀物質可能負面影響基板的處理,這會使得其上制造的任何電子裝置及/或電路部件無法使用。
因此,所期望的是:用于傳送基板通過腔室端口組件的改良裝置、系統與方法。
發明內容
根據第一態樣,提供電子裝置制造系統的一種腔室端口組件。該腔室端口組件包括:蓋體,該蓋體具有形成于其中的氣體入口以及延伸通過其中的第一氣體通道,該第一氣體通道流體連通于該氣體入口;氣體導管構件,該氣體導管構件具有延伸通過其中的第二氣體通道,該第二氣體通道流體連通于該第一氣體通道;框插件,該框插件具有第三氣體通道,該第三氣體通道流體連通于該第二氣體通道;以及一或更多個氣體噴嘴,該一或更多個氣體噴嘴耦接于該框插件并且流體連通于該第三氣體通道,該一或更多個氣體噴嘴配置來導引在該氣體入口處所接收的氣流至基板傳送區域中,當基板從第一腔室傳送通過該腔室端口組件至第二腔室時,該基板傳送區域配置來接收該基板。
根據第二態樣,提供一種電子裝置制造系統。該電子裝置制造系統包括:第一腔室,該第一腔室配置來接收基板于其中;第二腔室,該第二腔室配置來接收基板于其中;腔室端口組件,該腔室端口組件接合該第一腔室與該第二腔室,該腔室端口組件具有在該第一腔室與該第二腔室之間的基板傳送區域,當基板傳送通過該第一腔室與該第二腔室之間的該腔室端口組件時,該基板傳送區域配置來接收該基板;氣體入口;氣體導管構件,該氣體導管構件具有通過其中的氣體通道,該氣體通道流體連通于該氣體入口;以及一或更多個氣體噴嘴,該一或更多個氣體噴嘴配置來導引在該氣體入口處所接收的氣流至該基板傳送區域中。
根據第三態樣,提供一種組裝腔室端口組件的方法,該腔室端口組件用于電子裝置制造系統。該方法包括:提供蓋體,該蓋體具有形成于其中的氣體入口以及延伸通過其中的第一氣體通道,該第一氣體通道流體連通于該氣體入口;提供氣體導管構件,該氣體導管構件具有延伸通過其中的第二氣體通道;提供框插件,該框插件具有延伸通過其中的第三氣體通道,該框插件配置來接收一或更多個氣體噴嘴,使得該第三氣體通道流體連通于該一或更多個氣體噴嘴;耦接該蓋體、氣體導管構件、與框插件,使得該第一、第二、與第三氣體通道流體連通于彼此;以及附接該一或更多個氣體噴嘴于該框插件,使得該一或更多個氣體噴嘴配置來導引在該氣體入口處所接收的氣流至該腔室端口組件的基板傳送區域中。
從下面的詳細說明中可輕易得知本發明的實施方式的又其他態樣、特征、與優點,其中例示與敘述數個范例實施方式與實施,包括設想來施行本發明的最佳模式。本發明也包括其他或不同的實施方式,且其多個細節可在多個方面修改,都未偏離本發明的范圍。因此,附圖與說明視為本質上為例示性,而非限制性。本發明涵蓋所有落入本發明的范圍內的修改物、等同物、與替代物。
附圖說明
下面敘述的附圖僅為了例示的目的,且未依照尺寸繪制。所述附圖并不打算以任何方式限制本公開內容的范圍。
圖1根據實施方式,例示電子裝置制造系統的示意頂部視圖。
圖2根據實施方式,例示耦接于處理腔室(其中移除了蓋體)的腔室端口組件的透視圖。
圖3A與圖3B根據實施方式,分別例示圖2的腔室端口組件的第一腔室側部的透視與垂直視圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





