[發明專利]增強的多孔化

有效

• 申請號: 201480047866.6
• 申請日: 2014-09-18
• 公開（公告）號: CN105518871B
• 公開（公告）日: 2018-01-23
• 發明（設計）人: 約瑟夫·本克;林承笵
• 申請（專利權）人: 太陽能公司
• 主分類號: H01L31/04
• 分類號: H01L31/04;H01L31/18
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112
• 代理人: 顧麗波,李榮勝

技術領域

本文所述主題的實施例整體涉及半導體、硅基板和太陽能電池。更具體地講，所述主題的實施例涉及半導體、太陽能電池和制造工藝。

背景技術

半導體和基于硅的基板是廣泛用于半導體和電子產業的熟知器件，適用于各種應用和器件。例如，太陽能電池(一種半導體型器件)是將太陽輻射轉換為電能的熟知器件。它們可以在半導體晶片上用半導體加工技術制造。光伏電池或太陽能電池包括P型擴散區和N型擴散區。照射在太陽能電池上的太陽輻射產生遷移至擴散區的電子和空穴，從而在擴散區之間形成電壓差。在背接觸太陽能電池中，擴散區和與它們耦接的金屬接觸指均位于太陽能電池的背面上。接觸區和接觸指允許外部電路耦接到太陽能電池上并由太陽能電池供電。一個或多個實施例涉及光伏電池或太陽能電池和光伏制造工藝。此類工藝可包括加工硅基板以便為如下所述的后續太陽能電池工藝作準備。

發明內容

公開了用于在硅基板上形成多孔層的方法。所述方法可包括將第一硅基板放置在溶液中，其中第一電極處于所述第一硅基板的第一邊緣的閾值距離內。所述方法還可包括使第一電流傳導穿過第一硅基板，其中在第一邊緣的閾值距離內放置第一電極允許沿著第一硅基板的第一邊緣的實質上均勻的多孔化。所述方法還可包括在第一硅基板的第二邊緣的閾值距離(相同或不同)內放置第一電極，從而允許沿著第一硅基板的第二邊緣的實質上均勻的多孔化。

公開了在硅基板上形成多孔層的另一種方法。所述方法可包括將第一硅基板放置在溶液中，所述第一硅基板定位在第二電極與第三電極之間，其中第一電極沿著第一硅基板的第一周邊邊緣定位。所述方法還可包括使第一電流從第二電極穿過第一硅基板傳導到第三電極，其中相對于第一周邊邊緣(例如，在閾值距離內)放置第一電極允許沿著第一硅基板的第一周邊邊緣的實質上均勻的多孔化。所述方法可包括相對于第一硅基板的第二周邊邊緣(例如，在閾值距離內)放置第一電極允許沿著第一硅基板的第二周邊邊緣的實質上均勻的多孔化。

公開了在硅基板上形成多孔層的又一種方法。所述方法可包括將第一硅基板放置在溶液中，所述第一硅基板定位在第二電極與第三電極之間，其中第一電極圍繞第一硅基板的周邊邊緣。所述方法還可包括使第一電流從第二電極穿過第一硅基板傳導到第三電極，其中相對于周邊邊緣(例如，在閾值距離內)放置第一電極允許沿著第一硅基板的周邊邊緣的實質上均勻的多孔化。

附圖說明

當結合以下附圖考慮時，通過參見具體實施方式和權利要求書可以更完全地理解所述主題，其中在所有附圖中，類似的附圖標記是指類似的元件。

圖1為根據一些實施例用于在硅基板上形成多孔層的示例方法的流程示意圖；

圖2示出了根據一個實施例在第一硅基板上形成多孔層的橫截面；

圖3示出了根據一個實施例在第一硅基板和第二硅基板上形成多孔層的橫截面；

圖4至圖6為根據一些實施例的第一電極和第一硅基板的示意性平面圖；

圖7示出了根據一個實施例在第一硅基板和第二硅基板上形成多孔層的橫截面；

圖8示出了根據一個實施例在第一硅基板上形成多孔層的橫截面；

圖9示出了根據一個實施例，根據用于在第一硅基板上形成多孔層的方法的多孔化結構的橫截面；

圖10示出了根據一個實施例，根據用于在第一硅基板上形成多孔層的方法的另一個多孔化結構的橫截面；

圖11示出了根據所公開的多孔化技術制造的示例太陽能電池的橫截面；以及

圖12示出了根據所公開的多孔化技術制造的另一個示例太陽能電池的橫截面。

具體實施方式

以下具體實施方式本質上只是例證性的，并非意圖限制所述主題的實施例或此類實施例的應用和用途。如本文所用，詞語“示例性”意指“用作例子、實例或舉例說明”。本文描述為示例性的任何實施未必理解為相比其它實施優選的或有利的。此外，并不意圖受前述技術領域、背景技術、發明內容或以下具體實施方式中提出的任何明示或暗示的理論的約束。

本說明書包括對“一個實施例”或“實施例”的提及。短語“在一個實施例中”或“在實施例中”的出現不一定是指同一實施例。特定的特征、結構或特性可以任何與本公開一致的合適方式加以組合。

術語。以下段落提供存在于本公開(包括所附權利要求書)中的術語的定義和/或背景：

“包括”。該術語是開放式的。如在所附權利要求書中所用，該術語并不排除另外的結構或步驟。