[發明專利]增強的多孔化

有效

• 申請號: 201480047866.6
• 申請日: 2014-09-18
• 公開（公告）號: CN105518871B
• 公開（公告）日: 2018-01-23
• 發明（設計）人: 約瑟夫·本克;林承笵
• 申請（專利權）人: 太陽能公司
• 主分類號: H01L31/04
• 分類號: H01L31/04;H01L31/18
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112
• 代理人: 顧麗波,李榮勝

1.一種用于在硅基板上形成多孔層的方法，所述方法包括：

將第一硅基板放置在溶液中，其中第一電極處于所述第一硅基板的第一邊緣的閾值距離內；以及

使第一電流傳導穿過所述第一硅基板，其中所述第一電極的位置處于所述第一邊緣的所述閾值距離內允許沿著所述第一硅基板的所述第一邊緣的實質上均勻的多孔化，所述第一電極至少部分地圍繞所述第一硅基板的周邊邊緣。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一電極的位置處于所述第一硅基板的第二邊緣的第二閾值距離內允許沿著所述第一硅基板的所述第二邊緣的實質上均勻的多孔化。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述傳導導致所述第一電極從所述第一硅基板的所述第一邊緣汲取電流。

4.根據權利要求1所述的方法，還包括所述第一電極沿著所述第一硅基板的所述第一邊緣傳導第二電流。

5.根據權利要求1所述的方法，其中將第一硅基板放置在所述溶液中包括將非圓形硅基板放置在所述溶液中。

6.根據權利要求1所述的方法，其中將所述第一硅基板放置在所述溶液中包括將所述第一硅基板放置在多孔化溶液中。

7.根據權利要求1所述的方法，其中將所述第一硅基板放置在溶液中包括將所述第一硅基板放置在包含選自由氫氟酸(HF)、異丙醇(IPA)和乙醇構成的組的化學物質的溶液中。

8.根據權利要求1所述的方法，還包括：

將第二硅基板放置在所述溶液中，所述第二硅基板與所述第一硅基板實質上平行且非平面；并且其中傳導所述第一電流包括使所述第一電流傳導穿過所述第一硅基板和所述第二硅基板，其中所述第一電極的放置允許沿著所述第一硅基板和所述第二硅基板兩者的所述第一邊緣的實質上均勻的多孔化。

9.根據權利要求8所述的方法，其中所述第一電極的放置允許沿著所述第一硅基板和所述第二硅基板兩者的第二邊緣的實質上均勻的多孔化。

10.一種在硅基板上形成多孔層的方法，所述方法包括：

將第一硅基板放置在溶液中，所述第一硅基板定位在第二電極與第三電極之間，其中第一電極沿著所述第一硅基板的第一周邊邊緣定位；以及

使第一電流從所述第二電極穿過所述第一硅基板傳導到所述第三電極，其中相對于所述第一周邊邊緣放置所述第一電極允許沿著所述第一硅基板的所述第一周邊邊緣的實質上均勻的多孔化。

11.根據權利要求10所述的方法，其中相對于所述第一硅基板的第二周邊邊緣放置所述第一電極允許沿著所述第一硅基板的所述第二周邊邊緣的實質上均勻的多孔化。

12.根據權利要求10所述的方法，還包括：

將第二硅基板放置在所述第一硅基板與所述第三電極之間，所述第二硅基板與所述第一硅基板實質上平行且非平面；并且其中傳導所述第一電流包括使所述第一電流傳導穿過所述第一硅基板和所述第二硅基板，所述第一電極的所述放置允許沿著所述第一硅基板和所述第二硅基板兩者的相應第一周邊邊緣的實質上均勻的多孔化。

13.根據權利要求12所述的方法，其中所述第一電極的放置處于分別相對于所述第一硅基板和所述第二硅基板的相應第一周邊邊緣的第一閾值距離和第二閾值距離內，從而允許沿著所述第一硅基板和所述第二硅基板的所述第一周邊邊緣兩者的實質上均勻的多孔化。

14.根據權利要求13所述的方法，其中所述第一閾值距離不同于所述第二閾值距離。

15.根據權利要求10所述的方法，還包括所述第一電極沿著所述第一硅基板的所述第一周邊邊緣傳導第二電流。

16.一種在硅基板上形成多孔層的方法，所述方法包括：

將第一硅基板放置在溶液中，所述第一硅基板定位在第二電極與第三電極之間，其中第一電極由陽離子膜將其與所述溶液物理分隔，并且至少部分地圍繞所述第一硅基板的周邊邊緣；以及

使第一電流從所述第二電極穿過所述第一硅基板傳導到所述第三電極，其中相對于所述周邊邊緣放置所述第一電極允許沿著所述第一硅基板的所述周邊邊緣的實質上均勻的多孔化。