[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制造方法、襯底處理裝置及記錄介質(zhì)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201480046974.1
• 申請日: 2014-09-29
• 公開（公告）號: CN105518836B
• 公開（公告）日: 2018-02-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 定田拓也;角田徹;奧野正久;立野秀人
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社日立國際電氣
• 主分類號: H01L21/316
• 分類號: H01L21/316;H01L21/31;H01L21/318
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所11256
• 代理人: 楊宏軍,李文嶼

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其具有下述工序：

將襯底搬入處理容器內(nèi)的工序，所述襯底形成有具有低分子量的硅氮鍵的膜，并對所述膜實(shí)施了前烘；

以至少使所述低分子量的硅氮鍵的骨架結(jié)構(gòu)變?yōu)檠趸璧姆绞剑运銮昂娴臏囟纫韵碌牡谝粶囟认蛩鲆r底供給含氧氣體的工序；

在供給所述含氧氣體的工序之后，以高于所述第一溫度的第二溫度向所述襯底供給處理氣體的工序，所述處理氣體為包含水蒸氣或過氧化氫的至少任一方的氣體；

在供給所述處理氣體的工序之后，在保持所述襯底的溫度的狀態(tài)下，將所述處理容器內(nèi)排氣直到成為低于供給所述處理氣體的工序的壓力的第一壓力的工序；和

在對所述處理容器內(nèi)進(jìn)行排氣的工序之后，在保持所述襯底的溫度的狀態(tài)下供給非活性氣體直到所述處理容器內(nèi)成為高于所述第一壓力的第二壓力的工序。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，

所述含氧氣體包含選自氧氣、臭氧氣體、一氧化氮?dú)怏w、一氧化二氮?dú)怏w中的至少任一種氣體。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，

在供給所述含氧氣體的工序中，在所述第一溫度為使所述硅氮鍵的骨架結(jié)構(gòu)變?yōu)檠趸杷匦璧臏囟纫陨系臈l件下，向所述襯底供給所述含氧氣體。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，

供給所述處理氣體的工序在供給所述含氧氣體的工序之后進(jìn)行，

在供給所述處理氣體的工序中，一邊供給所述含氧氣體，一邊供給所述處理氣體。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，

在供給所述處理氣體的工序之后，具有停止所述處理氣體和所述含氧氣體的供給、而供給含氮?dú)怏w的退火工序。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，

在供給所述非活性氣體的工序之后，具有使所述襯底降溫的工序。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，

所述第一溫度為150℃以下，所述第二溫度為250℃～400℃。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，

所述具有硅氮鍵的膜為利用CVD法形成的膜。

9.一種襯底處理裝置，其具有：

處理容器，收納形成有具有低分子量的硅氮鍵的膜、并對所述膜實(shí)施了前烘工序的襯底；

含氧氣體供給部，向所述處理容器內(nèi)的所述襯底供給含氧氣體；

處理氣體供給部，向所述處理容器內(nèi)的所述襯底供給處理氣體，所述處理氣體為包含水蒸氣或過氧化氫的至少任一方的氣體；

非活性氣體供給部，向所述處理容器內(nèi)供給非活性氣體；

排氣部，對所述處理容器內(nèi)的氣氛進(jìn)行排氣；

加熱部，對所述襯底進(jìn)行加熱；

控制部，構(gòu)成為控制所述含氧氣體供給部、所述處理氣體供給部、所述非活性氣體供給部、所述排氣部和所述加熱部，以使得在不供給所述處理氣體、而是供給所述含氧氣體的狀態(tài)下，以至少使所述低分子量的硅氮鍵的骨架結(jié)構(gòu)變?yōu)檠趸璧姆绞剑运銮昂婀ば虻臏囟纫韵碌牡谝粶囟葘⑺鲆r底加熱規(guī)定時間后，在供給所述處理氣體的狀態(tài)下，以高于所述第一溫度的第二溫度將所述襯底加熱規(guī)定時間，以將所述襯底的溫度維持為所述第二溫度的狀態(tài)，對所述處理容器內(nèi)的氣氛進(jìn)行排氣直到成為低于供給所述處理氣體的狀態(tài)的壓力的第一壓力，以將所述襯底的溫度維持為所述第二溫度的狀態(tài)供給所述非活性氣體直到所述處理容器內(nèi)成為高于所述第一壓力的第二壓力。

10.如權(quán)利要求9所述的襯底處理裝置，其中，所述控制部構(gòu)成為控制所述含氧氣體供給部，以使得在供給所述處理氣體的狀態(tài)下，在以所述第二溫度將所述襯底加熱規(guī)定時間期間，向所述襯底同時供給所述處理氣體與所述含氧氣體。