[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201480046486.0
• 申請日: 2014-03-26
• 公開（公告）號: CN105474376B
• 公開（公告）日: 2019-03-05
• 發明（設計）人: 李炳俊
• 申請（專利權）人: LG電子株式會社
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L23/48
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;劉久亮

1.一種半導體器件，所述半導體器件包括：

電極，所述電極包括多個支柱；

半導體元件，所述半導體元件被構造成與所述電極電連接；

基板，所述基板具有電極圖案；以及

導電粘合層，所述導電粘合層位于所述基板和所述電極之間，所述導電粘合層包括被構造成將所述支柱和所述電極圖案彼此電連接的導電物質，并且包括包圍所述導電物質的基體，

其中，所述多個支柱按照行和列順序地設置在所述電極的單個表面處，與所述電極一體地形成，并且被嵌入所述導電粘合層中，

其中，所述電極圖案從所述基板突起以便面對所述支柱，并且被嵌入所述導電粘合層中，

其中，包括所述多個支柱的所述電極被形成為具有不同電極性的兩個電極，所述具有不同電極性的兩個電極被連接到所述半導體元件的兩個電極，并且

其中，所述電極圖案被形成為具有不同電極性的兩組電極圖案。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述導電粘合層的厚度是所述支柱的高度和用于將所述支柱和所述電極圖案彼此電連接的最小距離的總和。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述導電粘合層的寬度是在1cm至6cm的范圍內。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述導電粘合層的所述基體被形成為包圍所述多個支柱。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述多個支柱中的至少一個被形成為與所述導電物質相接觸。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述多個支柱之間具有相同的距離。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，通過下面的公式獲得所述導電粘合層的厚度：

[公式]

T＝(1–(Ea/Ra))*h

其中，‘T’表示所述導電粘合層的厚度，‘Ea’表示所述支柱沿水平方向的面積，‘Ra’表示所述導電粘合層沿水平方向的面積，并且‘h’表示所述支柱的高度。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述多個支柱中的每一個具有相同的體積。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述半導體元件是用于發射光的發光二極管。

10.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述電極圖案從所述基板突起，以形成比所述電極的所述支柱短的支柱。

11.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述支柱的末端在不接觸所述電極圖案的情況下面對所述電極圖案，并且，

其中，所述導電粘合層的所述導電物質被插置在所述支柱的所述末端和所述電極圖案之間。

12.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，由所述導電物質彼此電連接的所述電極圖案和所述支柱被設置為彼此面對。