[發明專利]基板處理方法以及基板處理裝置

有效

• 申請號: 201480046427.3
• 申請日: 2014-08-20
• 公開（公告）號: CN105518831B
• 公開（公告）日: 2018-07-10
• 發明（設計）人: 藤井達也
• 申請（專利權）人: 株式會社思可林集團
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;H01L21/306
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 董雅會;金相允

本發明的基板處理方法包括：基板旋轉步驟，使基板圍繞規定的鉛垂軸線以第一旋轉速度旋轉；液密狀態形成步驟，與所述基板旋轉步驟并行執行，一邊使第一相向面隔開規定的第一間隔與正在旋轉的所述基板的下表面相向，一邊從與所述基板的下表面相向的下表面噴嘴的處理液噴出口噴出處理液，利用處理液使所述基板的下表面與所述第一相向面之間的空間形成液密狀態；液密狀態解除步驟，在所述液密狀態形成步驟后，通過使所述基板的下表面與所述第一相向面彼此遠離，來解除所述基板的下表面與所述第一相向面之間的空間的液密狀態。

技術領域

本發明涉及用于處理基板的基板處理方法以及基板處理裝置。在作為處理對象的基板中，例如包括半導體晶片、液晶顯示裝置用基板、等離子顯示器用基板、FED(FieldEmission Display：場致發射顯示器)用基板、光盤用基板、磁盤用基板、光磁盤用基板、光掩模用基板、陶瓷基板和太陽能電池用基板等。

背景技術

在半導體裝置或液晶顯示裝置的制造工序中，為了對半導體晶片或液晶顯示面板用玻璃基板等基板的主面實施處理液處理，使用對基板一張張進行處理的單張式基板處理裝置。單張式的基板處理裝置例如具有將基板保持為大致水平姿勢且使基板旋轉的旋轉卡盤和被旋轉卡盤保持的向基板的下表面供給處理液的中心軸噴嘴。

例如，下述專利文獻1在圖7以及圖8中公開了一種基板處理裝置，其具有下表面處理配管和與基板的下表面相向配置的圓板狀的相向板，該下表面處理配管具有用于向被旋轉卡盤保持的基板的下表面供給處理液的下表面噴出口。在相向板配置在與基板的下表面接近的接近位置的狀態下，從下表面噴出口噴出處理液。由此，在基板的下表面與相向板的基板相向面之間以液密狀態(liquid tight state)保持處理液。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：JP特開2010-238781號公報

發明內容

發明要解決的問題

但是，在專利文獻1中，在經過對基板的處理時間后，還在基板的下表面保持有處理液的液膜，由此，存在基板的下表面上的處理液處理繼續進行的問題。即，為了除去在基板的下表面保持的液膜需要規定的時間，因此基板的下表面可能被處理而超過所希望的處理量，結果，有時不能夠對基板的下表面實施良好的處理液處理。

因此，本發明的目的在于提供一種能夠降低處理液的消耗量且對基板的下表面良好地實施處理液處理的基板處理方法以及基板處理裝置。

用于解決問題的手段

本發明的第一方面提供一種基板處理方法，包括：基板旋轉步驟，使基板圍繞規定的鉛垂軸線以第一旋轉速度旋轉；液密狀態形成步驟，與所述基板旋轉步驟并行執行，一邊使第一相向面隔開規定的第一間隔地與正在旋轉的所述基板的下表面相向，一邊從與所述基板的下表面相向的下表面噴嘴的處理液噴出口噴出處理液，利用處理液使所述基板的下表面與所述第一相向面之間的空間形成液密狀態；以及液密狀態解除步驟，在所述液密狀態形成步驟后，通過使所述基板的下表面與所述第一相向面彼此遠離，來解除所述基板的下表面與所述第一相向面之間的空間的液密狀態。

根據該方法，在液密狀態形成步驟中，向基板的下表面與第一相向面之間供給處理液。由此，基板的下表面與第一相向面之間的空間形成液密狀態。所述空間的液密狀態能夠通過小流的處理液實現。結果，能夠降低處理液的消耗量。

另外，在液密狀態解除步驟中，通過使基板的下表面與第一相向面彼此遠離，能夠瞬間解除所述空間的液密狀態。由此，在液密狀態解除步驟后，處理液不與基板的下表面接觸，結果，能夠阻止處理液處理在基板的下表面進行。由此，能夠將處理液處理保持為所期望的處理量。由此，提供一種能夠降低處理液的消耗量且良好地對基板的下表面實施處理液處理的基板處理方法。