[發明專利]基板處理方法以及基板處理裝置

有效

• 申請號: 201480046427.3
• 申請日: 2014-08-20
• 公開（公告）號: CN105518831B
• 公開（公告）日: 2018-07-10
• 發明（設計）人: 藤井達也
• 申請（專利權）人: 株式會社思可林集團
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;H01L21/306
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 董雅會;金相允

1.一種基板處理方法，

包括：

基板旋轉步驟，使基板圍繞規定的鉛垂軸線以第一旋轉速度旋轉；

液密狀態形成步驟，與所述基板旋轉步驟并行執行，一邊使第一相向面隔開規定的第一間隔地與正在旋轉的所述基板的下表面相向，一邊從與所述基板的下表面相向的下表面噴嘴的處理液噴出口噴出處理液，利用處理液使所述基板的下表面與所述第一相向面之間的空間形成液密狀態；以及

液密狀態解除步驟，在所述液密狀態形成步驟后，通過使所述基板的下表面與所述第一相向面彼此遠離，來解除所述基板的下表面與所述第一相向面之間的空間的液密狀態；

高速旋轉處理步驟，該高速旋轉處理步驟在所述液密狀態形成步驟之前執行，在該高速旋轉處理步驟中，一邊以比所述第一旋轉速度快的第二旋轉速度使所述基板旋轉一邊向該基板的下表面供給處理液，

所述液密狀態形成步驟在所述高速旋轉處理步驟結束后與所述高速旋轉處理步驟連續地開始執行。

2.根據權利要求1所述的基板處理方法，其中，所述第一相向面呈圓板狀，所述第一相向面的外周端位于所述基板的下表面的基板周端的外側。

3.根據權利要求1或2所述的基板處理方法，其中，在所述液密狀態形成步驟中，所述第一相向面以及具有所述處理液噴出口的所述下表面噴嘴的第二相向面配置在同一平面上。

4.根據權利要求1或2所述的基板處理方法，其中，

所述液密狀態形成步驟具有：

液柱形成步驟，在使所述下表面噴嘴與所述基板的下表面的中心附近相向的狀態下，從所述處理液噴出口噴出處理液，在該第一相向面與所述基板的下表面之間形成液柱；以及

液柱擴大步驟，對該液柱形成步驟中形成的所述液柱進一步噴出處理液，使該液柱向所述基板的周向擴大。

5.根據權利要求1或2所述的基板處理方法，其中，

該基板處理方法還包括上表面處理步驟，在該上表面處理步驟中，向所述基板的上表面供給處理液，利用處理液對該基板的上表面進行處理，

與所述上表面處理步驟并行執行所述液密狀態形成步驟。

6.根據權利要求1所述的基板處理方法，其中，在從所述高速旋轉處理步驟進入所述液密狀態形成步驟轉移的時刻，降低向所述基板供給的處理液的流量。

7.根據權利要求1或2所述的基板處理方法，其中，所述處理液為蝕刻液。

8.一種基板處理裝置，

具有：

基板保持旋轉單元，其一邊以水平姿勢保持基板，一邊使基板圍繞規定的鉛垂軸線旋轉；

基板相向板，其具有與借助所述基板保持旋轉單元進行旋轉的所述基板的下表面相向的第一相向面；

相向板升降單元，其使所述基板相向板升降；

下表面噴嘴，其具有與所述基板的下表面相向的處理液噴出口，用于向所述基板的下表面與所述第一相向面之間的空間供給處理液；

處理液供給單元，其向所述下表面噴嘴供給處理液；

液密控制單元，其執行液密狀態形成步驟，在該液密狀態形成步驟中，該液密控制單元控制所述基板保持旋轉單元、所述相向板升降單元以及所述處理液供給單元，使所述基板以規定的第一旋轉速度旋轉，使所述第一相向面隔開規定的第一間隔與所述基板的下表面相向，且從所述處理液噴出口噴出處理液，利用處理液使所述基板的下表面與所述第一相向面之間的空間形成液密狀態；以及

液密解除控制單元，其在所述液密狀態形成步驟執行結束后，控制所述相向板升降單元，從正在執行所述液密狀態形成步驟的狀態使所述基板的下表面與所述第一相向面彼此遠離，解除所述基板的下表面與所述第一相向面之間的空間的液密狀態，

所述基板處理裝置執行高速旋轉處理步驟，該高速旋轉處理步驟在所述液密狀態形成步驟之前執行，在該高速旋轉處理步驟中，所述基板處理裝置控制所述基板保持旋轉單元，一邊以比所述第一旋轉速度快的第二旋轉速度使所述基板旋轉一邊向該基板的下表面供給處理液，

所述液密控制單元在所述高速旋轉處理步驟結束后與所述高速旋轉處理步驟連續地開始執行所述液密狀態的形成。