[發明專利]陣列基板、輻射檢測器以及配線基板

有效

• 申請號: 201480045869.6
• 申請日: 2014-08-25
• 公開（公告）號: CN105474395B
• 公開（公告）日: 2018-06-12
• 發明（設計）人: 瀧川達也;榛葉勇一
• 申請（專利權）人: 東芝電子管器件株式會社
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;G01T1/20;G01T7/00;H01L21/3205;H01L21/768;H01L21/822;H01L23/522;H01L27/04;H01L27/144;H01L29/786;H01L31/10;H04N5/32
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖

根據本實施例，一種陣列基板包括：基板；多個第一配線，設置在該基板的表面上并沿第一方向延伸；多個第二配線，設置在該基板的表面上并沿與該第一方向交叉的第二方向延伸；薄膜晶體管，設置在由該多個第一配線和該多個第二配線所限定的多個區域中的每一個中；保護層，至少覆蓋該多個第一配線和該多個第二配線；以及多個連接部，設置在以下區域中的至少一個中：該保護層上的區域、該多個第一配線與該基板之間的區域以及該多個第二配線與該基板之間的區域，這些連接部與該多個第一配線和該多個第二配線中的每一個電連接并包含比該多個第一配線和該多個第二配線的材料具有更高抗蝕性的導電材料。該多個第一配線和該多個第二配線在該基板的外圍側上的端面覆蓋有該保護層，并且該連接部在基板的外圍側上的端面在平面視角上位于該基板的外圍。

技術領域

本發明的實施例涉及陣列基板、輻射檢測器和配線基板。

背景技術

配線基板可設置有一些電路元件，這些電路元件對靜電的抗性較低。例如，諸如TFT(薄膜晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)之類的半導體元件以及諸如光電二極管之類的光電轉換元件通常對靜電的抗性較低。因此，制造設置有例如對靜電的抗性較低的電路元件的配線基板需要耗散在制造過程期間產生的靜電。例如，外短環(outer short ring)設置在設置有電路元件的區域周圍，使得在制造過程期間產生的靜電通過外短環釋放。

陣列基板是設置有大量電路元件的配線基板的示例。

例如，設置在平板顯示器中的陣列基板包括大量薄膜晶體管。

設置在輻射檢測器中的陣列基板包括大量薄膜晶體管和大量光電二極管。

同樣在制造這種陣列基板時使用環繞設置有薄膜晶體管和光電二極管的區域的外短環。

這里，當制造配線基板或陣列基板時需要外短環。然而，外短環不能留在完成的配線基板或陣列基板中。

因此，在制造過程期間切斷外短環。

在切斷外短環之后，導電部件(諸如連接至外短環的配線和電極)的端面在切斷面(即基板的外圍)處暴露。

通常，導電部件是由諸如鋁和鉻之類的低電阻金屬形成的。因此，當電流流動時發生腐蝕。腐蝕的進行可導致線缺陷。尤其，水的介入促進腐蝕反應的進行。例如，由于腐蝕導致的線缺陷更可能發生在結露-冷凝環境中。

此外，導電部件的材料可因腐蝕而被電離并且附連到導電部件的暴露端面。如果電離的材料附連到導電部件的端面，那么在相鄰的導電部件之間可發生泄漏。

在此情況下，可通過控制環境的溫度和濕度來抑制腐蝕。然而，這招致設備尺寸擴大以及成本增加。

引用列表

專利文獻

專利文獻1：JP2012-156204A(公開)

專利文獻2：JP2009-170768A(公開)

專利文獻3：JP05-27263A(公開)

發明內容

技術問題

本發明要解決的問題是提供一種能夠抑制基板的外圍處的腐蝕的陣列基板、輻射檢測器和配線基板。

問題的解決方案