[發(fā)明專利]陣列基板、輻射檢測器以及配線基板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201480045869.6 | 申請日: | 2014-08-25 |
| 公開(公告)號: | CN105474395B | 公開(公告)日: | 2018-06-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 瀧川達也;榛葉勇一 | 申請(專利權(quán))人: | 東芝電子管器件株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;G01T1/20;G01T7/00;H01L21/3205;H01L21/768;H01L21/822;H01L23/522;H01L27/04;H01L27/144;H01L29/786;H01L31/10;H04N5/32 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 侯穎媖 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 配線 基板 保護層 方向延伸 陣列基板 外圍 薄膜晶體管 輻射檢測器 導電材料 方向交叉 配線基板 平面視角 電連接 覆蓋 高抗 | ||
1.一種陣列基板,包括:
基板;
多個第一配線,設(shè)置在所述基板的表面上并且沿第一方向延伸;
多個第二配線,設(shè)置在所述基板的表面上并且沿著與所述第一方向相交的第二方向延伸;
薄膜晶體管,設(shè)置在所述多個第一配線和所述多個第二配線所限定的多個區(qū)域的每一個中;
保護層,至少覆蓋所述多個第一配線和所述多個第二配線;以及
多個連接部,經(jīng)由延伸部連接至外短環(huán),設(shè)置在以下區(qū)域的至少一個中:所述保護層上的區(qū)域、所述多個第一配線和所述基板之間的區(qū)域以及所述多個第二配線與所述基板之間的區(qū)域,所述多個連接部電連接至所述多個第一配線與所述多個第二配線中的每一個并且包括比所述多個第一配線和所述多個第二配線的材料具有更高抗蝕性的導電材料,
所述多個第一配線和所述多個第二配線在所述基板的外圍側(cè)上的端面覆蓋有所述保護層,以及
所述連接部在所述基板的外圍側(cè)上的端面在平面視角上位于所述基板的外圍。
2.如權(quán)利要求1所述的基板,其特征在于,所述連接部包括氧化物導電材料和防腐蝕金屬中的至少一個。
3.如權(quán)利要求1或2所述的基板,其特征在于,所述連接部包括從由ITO、IZO、ZnO、Sn2O3:Sb、Sn2O3:F、IGZO和金(Au)構(gòu)成的組中選擇的至少一個。
4.如權(quán)利要求1所述的基板,其特征在于,至少在所述基板的外圍附近的所述保護層的區(qū)域包括氧化物絕緣材料、氮化物絕緣材料和氮氧化物絕緣材料中的至少一個。
5.一種輻射檢測器,包括:
如權(quán)利要求1所述的陣列基板;
光電轉(zhuǎn)換元件,設(shè)置在由所述陣列基板的所述多個第一配線和所述多個第二配線所限定的多個區(qū)域的每一個中;以及
閃爍體,設(shè)置在所述光電轉(zhuǎn)換元件上。
6.一種配線基板,包括:
基板;
配線,設(shè)置在所述基板的表面上;
電路元件,電連接至所述配線;
保護層,至少覆蓋所述配線;以及
連接部,經(jīng)由延伸部連接至外短環(huán),設(shè)置在所述保護層上的區(qū)域、所述配線與所述基板之間的區(qū)域的至少一個中,所述連接部電連接至所述配線并且包括比所述配線的材料具有更高抗蝕性的導電材料,
所述配線在所述基板的外圍側(cè)上的端面覆蓋有所述保護層,以及
所述連接部在所述基板的外圍側(cè)上的端面在平面視角上位于所述基板的外圍。
7.如權(quán)利要求6所述的基板,其特征在于,所述連接部包括氧化物導電材料和防腐蝕金屬中的至少一個。
8.如權(quán)利要求6所述的基板,其特征在于,所述連接部包括從由ITO、IZO、ZnO、Sn2O3:Sb、Sn2O3:F、IGZO和金(Au)構(gòu)成的組中選擇的至少一個。
9.如權(quán)利要求6所述的基板,其特征在于,至少在所述基板的外圍附近的所述保護層的區(qū)域包括氧化物絕緣材料、氮化物絕緣材料和氮氧化物絕緣材料中的至少一個。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





