[發明專利]半導體物理量傳感器

有效

• 申請號: 201480045444.5
• 申請日: 2014-08-08
• 公開（公告）號: CN105474404B
• 公開（公告）日: 2018-09-11
• 發明（設計）人: 片岡萬士;荻原淳;牛山直樹;城石久德
• 申請（專利權）人: 松下知識產權經營株式會社
• 主分類號: H01L29/84
• 分類號: H01L29/84;G01L9/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 齊秀鳳

半導體物理量傳感器(10)具備：第1基材(20)；電極(60)，其被形成在第1基材(20)上；隔膜(50)，其根據從外部施加的物理量而彎曲；第2基材(30)，其將隔膜(50)支承為相對于電極(60)而隔著空間(S)相對，并且該第2基材被固定于第1基材(20)；和絕緣體(40)，其被形成在隔膜(50)的第1基材(20)側的面(50a)。并且，在絕緣體(40)與電極(60)之間形成了劃分出空間(S)的壁部(41)。

技術領域

本發明涉及半導體物理量傳感器。

背景技術

以往，作為半導體物理量傳感器，已知如下的半導體物理量傳感器， 即，在基板的上表面形成電極，并且將隔膜配置成隔著空間而與電極相對 (例如參照專利文獻1)。

在該專利文獻1中，根據從外部施加的物理量而使隔膜彎曲，由此使 半導體物理量傳感器的靜電電容發生變化，通過檢測該靜電電容的變化而 能夠檢測物理量的變化。

進而，設置絕緣體以覆蓋形成于基板上表面的電極，使得通過該絕緣 體而能夠抑制電極和隔膜的接觸所引起的短路。此時，對絕緣體實施熱處 理而使之發生變形，由此來消除在電極的緣部形成的隆起部分，使絕緣體 上表面變得大致平坦。

在先技術文獻

專利文獻

專利文獻1：JP特表平10-509241號公報

發明內容

發明要解決的課題

然而，在上述現有技術中，由于熱處理而有時絕緣體的厚度會變化， 因此難以進行絕緣體的厚度控制，從而難以提高檢測精度。

為此，本發明的目的在于，獲得能夠進一步提高檢測精度的半導體物 理量傳感器。

用于解決課題的手段

本發明的第1特征的主旨在于，半導體物理量傳感器具備：第1基材； 電極，其被形成在所述第1基材上；隔膜，其根據從外部施加的物理量而 彎曲；第2基材，其將所述隔膜支承為隔著空間而與所述電極相對，并且 該第2基材被固定于所述第1基材；和絕緣體，其被形成在所述隔膜的所 述第1基材側的面，在所述絕緣體與所述電極之間形成有劃分出所述空間 的壁部。

本發明的第2特征的主旨在于，所述壁部包含從所述絕緣體以及所述 電極之中的至少任一方朝向另一方側突出的突部。

本發明的第3特征的主旨在于，所述絕緣體為氧化硅膜。

本發明的第4特征的主旨在于，所述絕緣體為氮化硅膜。

本發明的第5特征的主旨在于，所述電極由金屬材料形成。

本發明的第6特征的主旨在于，所述電極利用鉻、鋁、鈦鋁合金以及 鋁合金之中的至少任一種材料來形成。

本發明的第7特征的主旨在于，所述電極具有與所述隔膜相對的電極 主體、和被延伸設置至所述空間的外側的延伸設置部。

本發明的第8特征的主旨在于，所述延伸設置部利用鉻、鋁、鈦鋁合 金以及鋁合金之中的至少任一種材料來形成。

本發明的第9特征的主旨在于，所述電極主體和所述延伸設置部由不 同的材料形成。

本發明的第10特征的主旨在于，在所述延伸設置部設置有由含鋁的 材料形成的電極焊盤。

本發明的第11特征的主旨在于，半導體物理量傳感器具備：第1基 材；電極，其被形成在所述第1基材上；隔膜，其根據從外部施加的物理 量而彎曲；第2基材，其將所述隔膜支承為隔著空間而與所述電極相對， 并且該第2基材被固定于所述第1基材；和外部取出用的電極焊盤，其被 形成在所述電極的一部分，所述電極由鉻、鋁、鈦鋁合金以及鋁合金之中的至少任一種材料形成，所述電極焊盤由含鋁的材料形成。