[發明專利]半導體物理量傳感器

有效

• 申請號: 201480045444.5
• 申請日: 2014-08-08
• 公開（公告）號: CN105474404B
• 公開（公告）日: 2018-09-11
• 發明（設計）人: 片岡萬士;荻原淳;牛山直樹;城石久德
• 申請（專利權）人: 松下知識產權經營株式會社
• 主分類號: H01L29/84
• 分類號: H01L29/84;G01L9/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 齊秀鳳

1.一種半導體物理量傳感器，具備：

第1基材；

電極，其被形成在所述第1基材上；

隔膜，其根據從外部施加的物理量而彎曲；

第2基材，其將所述隔膜支承為隔著空間而與所述電極相對，并且該第2基材被固定于所述第1基材；

絕緣體，其被形成在所述隔膜的所述第1基材側的面；

通孔，其貫通所述第2基材，用于檢測靜電電容；和

壁部，其包圍所述通孔的至少一部分的周圍，劃分出所述空間和所述通孔，

所述壁部被形成在所述絕緣體與所述電極在所述隔膜的厚度方向相對置的之間。

2.根據權利要求1所述的半導體物理量傳感器，其中，

所述壁部包含從所述絕緣體向所述電極側突出的第1突部，

所述第1突部具有絕緣性。

3.根據權利要求1或2所述的半導體物理量傳感器，其中，

所述絕緣體為氧化硅膜。

4.根據權利要求1或2所述的半導體物理量傳感器，其中，

所述絕緣體為氮化硅膜。

5.根據權利要求1或2所述的半導體物理量傳感器，其中，

所述電極由金屬材料形成。

6.根據權利要求5所述的半導體物理量傳感器，其中，

所述電極利用鉻、鋁、鈦鋁合金以及鋁合金之中的至少任一種材料來形成。

7.根據權利要求1或2所述的半導體物理量傳感器，其中，

所述電極具有與所述隔膜相對的電極主體、和被延伸設置至所述空間的外側的延伸設置部。

8.根據權利要求7所述的半導體物理量傳感器，其中，

所述延伸設置部利用鉻、鋁、鈦鋁合金以及鋁合金之中的至少任一種材料來形成。

9.根據權利要求7所述的半導體物理量傳感器，其中，

所述電極主體和所述延伸設置部由不同的材料形成。

10.根據權利要求7所述的半導體物理量傳感器，其中，

在所述延伸設置部設置有由含鋁的材料形成的電極焊盤。

11.根據權利要求2所述的半導體物理量傳感器，其中，

所述壁部的所述第1突部與所述電極接觸。

12.根據權利要求2所述的半導體物理量傳感器，其中，

在所述壁部的所述第1突部的前端，所述空間與所述通孔連通。