[發(fā)明專利]發(fā)光器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201480044562.4
• 申請日: 2014-08-01
• 公開（公告）號: CN105453280B
• 公開（公告）日: 2018-12-14
• 發(fā)明（設計）人: 丁煥熙
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36;H01L33/22
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權代理有限公司 72003
• 代理人: 張浴月;李玉鎖

本發(fā)明涉及一種發(fā)光器件。根據(jù)本發(fā)明的實施例的發(fā)光器件包括：發(fā)光結構，包括：第一導電半導體層；有源層，在第一導電半導體層下；以及第二導電半導體層，在有源層下；溝道層，圍繞發(fā)光結構的下部布置；第一電極，布置在溝道層上；第二電極，布置在發(fā)光結構下；以及連接布線，用于電連接第一電極和第一導電半導體層。

技術領域

實施例涉及一種發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝以及照明單元。

背景技術

發(fā)光二極管(LED)已經(jīng)廣泛用作發(fā)光器件之一。LED通過使用化合物半導體的特性將電信號轉換為光形式，諸如紅外光、紫外光和可見光。

隨著發(fā)光器件的光效率提高，LED已經(jīng)用于各種領域，諸如顯示設備和照明應用。

發(fā)明內(nèi)容

【技術問題】

實施例提供一種發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝以及照明單元，能夠通過擴大發(fā)光面積提高光效率。

【技術方案】

根據(jù)實施例的發(fā)光器件包括：發(fā)光結構，包括：第一導電半導體層；有源層，在第一導電半導體層下；以及第二導電半導體層，在有源層下；溝道層，圍繞發(fā)光結構的下部；第一電極，在溝道層上；第二電極，在發(fā)光結構下；以及連接布線，用于電連接第一電極和第一導電半導體層。

【有益效果】

根據(jù)實施例的發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝以及照明單元能夠通過擴大發(fā)光面積提高光效率。

附圖說明

圖1為示出根據(jù)實施例的發(fā)光器件的視圖；

圖2為圖1所示的發(fā)光器件的平面圖。

圖3至圖6為示出根據(jù)實施例的發(fā)光器件的制造方法的視圖。

圖7至圖10為示出根據(jù)實施例的發(fā)光器件的其它示例的視圖。

圖11為示出根據(jù)實施例的發(fā)光器件封裝的視圖。

圖12為示出根據(jù)實施例的顯示裝置的視圖。

圖13為示出根據(jù)實施例的顯示裝置的另一個示例的視圖。

圖14為示出根據(jù)實施例的照明設備的視圖。

具體實施方式

在實施例的說明中，應當理解，當一個層(或膜)、區(qū)域、圖案或結構稱為在另一個襯底、另一個層(或膜)、另一個區(qū)域、另一個焊盤或另一個圖案“上”或“下”時，其可“直接”或“間接”在另一個襯底、層(或膜)、區(qū)域、焊盤或圖案上方或下方，或者也可以存在一個或更多介于中間的層。已參考附圖描述了層的這種位置。

在下文中，將參考附圖具體描述根據(jù)實施例的發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝、照明單元以及發(fā)光器件的制造方法。

圖1為示出根據(jù)實施例的發(fā)光器件的視圖，以及圖2為圖1所示的發(fā)光器件的平面圖。

如圖1和圖2所示，根據(jù)實施例的發(fā)光器件可以包括發(fā)光結構10、溝道層30、第一電極81、第二電極82以及連接布線85。

發(fā)光結構10可以包括第一導電半導體層11、有源層12以及第二導電半導體層13。有源層12可以布置在第一導電半導體層11與第二導電半導體層13之間。有源層12可以布置在第一導電半導體層11下且第二導電半導體層13可以布置在有源層12下。

例如，第一導電半導體層11可以制備為摻雜有用作第一導電摻雜劑的n型摻雜劑的n型半導體層，且第二導電半導體層13可以制備為摻雜有用作第二導電摻雜劑的p型摻雜劑的p型半導體層。另外，第一導電半導體層11可以制備為p型半導體層，而第二導電半導體層13可以制備為n型半導體層。