[發明專利]發光器件

有效

• 申請號: 201480044562.4
• 申請日: 2014-08-01
• 公開（公告）號: CN105453280B
• 公開（公告）日: 2018-12-14
• 發明（設計）人: 丁煥熙
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36;H01L33/22
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 張浴月;李玉鎖

1.一種發光器件，包括：

發光結構，包括：第一導電半導體層；有源層，在所述第一導電半導體層下；以及第二導電半導體層，在所述有源層下；

溝道層，圍繞所述發光結構的下部；

第一電極，在所述溝道層上；

第二電極，在所述發光結構下；以及

連接布線，用于電連接所述第一電極和所述第一導電半導體層，

其中所述第一電極在豎直方向上不與所述發光結構重疊，并且

其中所述溝道層的頂面被排列為高于所述有源層的頂面。

2.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述第一電極圍繞所述發光結構的所述下部布置。

3.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述連接布線布置在所述第一導電半導體層上。

4.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述連接布線與所述第一導電半導體層的橫向側部接觸。

5.根據權利要求1所述的發光器件，還包括：接合焊盤，電連接至所述第一電極。

6.根據權利要求5所述的發光器件，其中所述接合焊盤布置在所述第一導電半導體層上。

7.根據權利要求5所述的發光器件，其中所述接合焊盤布置在所述溝道層上。

8.根據權利要求5所述的發光器件，其中所述接合焊盤圍繞所述發光結構的所述下部布置。

9.根據權利要求1至8的任一項所述的發光器件，其中設置至少兩個連接布線。

10.根據權利要求1至8的任一項所述的發光器件，其中所述第二電極包括歐姆接觸層、反射層以及金屬層的至少之一。

11.根據權利要求1至8的任一項所述的發光器件，其中所述連接布線包括Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Pt、Cu、Al、Au或Mo的至少之一。

12.一種發光器件，包括：

發光結構，包括：第一導電半導體層；有源層，在所述第一導電半導體層下；以及第二導電半導體層，在所述有源層下；

溝道層，圍繞所述發光結構的下部；

第一電極，在所述溝道層上；

第二電極，在所述發光結構下；以及

連接布線，用于電連接所述第一電極和所述第一導電半導體層，

其中所述第一電極具有的寬度小于所述溝道層的寬度，

所述第一電極布置在所述發光結構的橫向側部，并且

其中所述溝道層的頂面被排列為高于所述有源層的頂面。

13.根據權利要求12所述的發光器件，其中所述第一電極具有的所述寬度處于5μm至30μm的范圍。

14.根據權利要求12或權利要求13所述的發光器件，其中所述溝道層具有的寬度處于5μm至70μm的范圍。

15.一種發光器件，包括：

發光結構，包括：第一導電半導體層；有源層，在所述第一導電半導體層下；以及第二導電半導體層，在所述有源層下；

溝道層，圍繞所述發光結構的下部；

第一電極，在所述溝道層上；

第二電極，在所述發光結構下；

連接布線，用于電連接所述第一電極和所述第一導電半導體層；以及

接合焊盤，電連接至所述第一電極，

其中所述接合焊盤布置在所述連接布線的上部，

其中所述發光結構在其頂面上形成有光提取圖案，

與所述光提取圖案對應的凹凸圖案形成在所述接合焊盤下的所述連接布線的底面處，并且

其中所述溝道層的頂面被排列為高于所述有源層的頂面。