[發(fā)明專利]復(fù)合基板及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201480041519.2
• 申請(qǐng)日: 2014-06-09
• 公開（公告）號(hào): CN105409119B
• 公開（公告）日: 2019-04-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 多井知義;堀裕二;山寺喬纮;服部良祐;鈴木健吾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日本礙子株式會(huì)社;NGK陶瓷設(shè)備株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H03H9/145
• 分類號(hào): H03H9/145;H03H3/08
• 代理公司: 北京旭知行專利代理事務(wù)所(普通合伙) 11432
• 代理人: 王軼;鄭雪娜

復(fù)合基板10是通過使用離子束的直接接合將壓電基板12和支撐基板14接合而形成的。壓電基板12的一面為負(fù)極化面12a，另一面為正極化面12b。用強(qiáng)酸蝕刻的速率是負(fù)極化面12a大于正極化面12b。壓電基板12以正極化面12b與支撐基板14直接接合，負(fù)極化面12a在表面露出。另外，壓電基板12的負(fù)極化面12a被強(qiáng)酸蝕刻。支撐基板14由用強(qiáng)酸蝕刻時(shí)的速率比壓電基板12的負(fù)極化面12a大的材質(zhì)制作。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種復(fù)合基板及其制造方法。

背景技術(shù)

彈性波器件在壓電基板的單面形成有IDT(Interdigital Transducer)電極，讀取特定頻帶的信號(hào)。近些年，為了改善彈性波器件的溫度特性，使用在熱膨脹系數(shù)小的支撐基板上接合薄的壓電基板形成的復(fù)合基板。作為這樣的復(fù)合基板，例如已知作為壓電基板使用鉭酸鋰、鈮酸鋰、作為支撐基板使用硅、石英形成的復(fù)合基板(參見專利文獻(xiàn)1)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2006－319679號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

但是，復(fù)合基板通常在壓電基板的正極化面形成IDT電極，以負(fù)極化面與支撐基板接合。另外，制造復(fù)合基板時(shí)，首先，通過直接接合法將壓電基板和支撐基板接合，接下來，對(duì)壓電基板的表面進(jìn)行磨削和研磨而使壓電基板變薄。通過直接接合法進(jìn)行接合的情況下，對(duì)壓電基板的接合面和支撐基板的接合面照射氬氣線束。此時(shí)，如果對(duì)壓電基板的負(fù)極化面照射氬氣線束，則在通過AFM(原子間力顯微鏡)對(duì)10μm見方的面積進(jìn)行測(cè)定時(shí)，照射后的算術(shù)平均粗糙度Ra為0.5nm左右。

但是，通過直接接合法接合時(shí)的接合強(qiáng)度是在完全除去表面的氧化膜、水分等吸附物，并將表面活化的前提下，接合面的算術(shù)平均粗糙度Ra越小，接合強(qiáng)度越大，所以希望盡可能減小接合面的算術(shù)平均粗糙度Ra。

本發(fā)明是為了解決這樣的課題而提出的，主要目的在于增強(qiáng)復(fù)合基板中通過直接接合法接合壓電基板和支撐基板時(shí)的接合強(qiáng)度。

本發(fā)明的復(fù)合基板包括：

壓電基板，所述壓電基板的一面為負(fù)極化面，另一面為正極化面，

支撐基板，所述支撐基板通過直接接合而與上述壓電基板的上述正極化面接合。

該復(fù)合基板中，壓電基板的正極化面與支撐基板的單面直接接合。此處，如果比較對(duì)壓電基板的正極化面實(shí)施了用于直接接合的處理后的正極化面和對(duì)負(fù)極化面實(shí)施了用于直接接合的處理后的負(fù)極化面，則在壓電基板的表面的除去量相同時(shí)，前者的表面粗糙度數(shù)值比后者的表面粗糙度數(shù)值良好。因此，與后者相比，前者在通過直接接合法進(jìn)行接合時(shí)的接合強(qiáng)度大。應(yīng)予說明，作為用于直接接合的處理，例如可以舉出照射惰性氣體(氬氣等)的離子束，除此之外，還可以舉出照射等離子體、中性原子束等。

本發(fā)明的復(fù)合基板中，也可以是上述壓電基板的上述負(fù)極化面用強(qiáng)酸實(shí)施了蝕刻，上述用強(qiáng)酸進(jìn)行蝕刻的蝕刻速率是上述負(fù)極化面的蝕刻速率比上述正極化面的蝕刻速率快，上述支撐基板的蝕刻速率比上述負(fù)極化面的蝕刻速率更快。該復(fù)合基板中，因?yàn)閴弘娀宓恼龢O化面與支撐基板的單面接合，所以壓電基板的表面是用強(qiáng)酸進(jìn)行蝕刻的速率快的負(fù)極化面。因此，將壓電基板的表面用強(qiáng)酸蝕刻掉規(guī)定厚度所需要的時(shí)間、即、蝕刻時(shí)將復(fù)合基板整體浸漬在強(qiáng)酸中的時(shí)間，比壓電基板的表面為正極化面時(shí)要短。此處，因?yàn)橹位宓奈g刻速率比壓電基板的負(fù)極化面快，所以將復(fù)合基板整體浸漬在強(qiáng)酸中時(shí)支撐基板也被蝕刻。但是，如上所述，因?yàn)樵趶?qiáng)酸中浸漬的時(shí)間比壓電基板的表面為正極化面時(shí)要短，所以能夠?qū)⒅位宓奈g刻的進(jìn)行程度抑制在較低水平，達(dá)到不影響接合強(qiáng)度的程度。因此，在復(fù)合基板中，將壓電基板表面用強(qiáng)酸蝕刻后，也能夠充分確保支撐基板和壓電基板的接合強(qiáng)度。