[發(fā)明專利]切分發(fā)光器件的晶片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201480041215.6
• 申請(qǐng)日: 2014-07-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105378948B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-08-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: S.R.佩達(dá)達(dá);F.L.魏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 亮銳控股有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 江鵬飛;景軍平

一些實(shí)施例包括具有布置在n型區(qū)和p型區(qū)之間的發(fā)光層的III氮化物發(fā)光器件。玻璃層連接到III氮化物發(fā)光器件。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層布置在III氮化物發(fā)光器件和玻璃層之間。玻璃層比III氮化物發(fā)光器件更窄。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及切分發(fā)光器件的晶片。

背景技術(shù)

包括發(fā)光二極管（LED）、諧振腔發(fā)光二極管（RCLED）、垂直腔激光二極管（VCSEL）和邊緣發(fā)射激光器的半導(dǎo)體發(fā)光器件是當(dāng)前可用的最高效光源。在能夠跨可見(jiàn)光譜操作的高亮度發(fā)光器件的制造中當(dāng)前感興趣的材料系統(tǒng)包括III-V族半導(dǎo)體，特別是鎵、鋁、銦和氮的二元、三元和四元合金（還被稱為III氮化物材料）。一般，通過(guò)經(jīng)由金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）、分子束外延（MBE）或其他外延技術(shù)在藍(lán)寶石、碳化硅、III氮化物或其他適當(dāng)襯底上外延生長(zhǎng)不同構(gòu)成和摻雜濃度的半導(dǎo)體層的堆疊來(lái)制造III氮化物發(fā)光器件。該堆疊通常包括在襯底之上形成的摻雜有例如Si的一個(gè)或多個(gè)n型層、在一個(gè)或多個(gè)n型層之上形成的有源區(qū)中的一個(gè)或多個(gè)發(fā)光層、以及在有源區(qū)之上形成的摻雜有例如Mg的一個(gè)或多個(gè)p型層。在n和p型區(qū)上形成電氣接觸件。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供切分包括發(fā)光器件、波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層和透明層的晶片的方法。

一些實(shí)施例包括切分發(fā)光器件的晶片的方法。該晶片包括玻璃層、包含通過(guò)電介質(zhì)分離的多個(gè)發(fā)光器件的發(fā)光器件層、以及布置在玻璃層和發(fā)光器件層之間的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層。該方法包括利用金屬結(jié)合的金剛石粗砂刀片在電介質(zhì)區(qū)中鋸切晶片。

一些實(shí)施例包括切分發(fā)光器件的晶片的方法。該晶片包括透明層、包含通過(guò)電介質(zhì)分離的多個(gè)發(fā)光器件的發(fā)光器件層、以及布置在透明層和發(fā)光器件層之間的波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層。該方法包括在第一切割過(guò)程中切割晶片的厚度的第一部分和在第二切割過(guò)程中切割晶片的其余厚度。

一些實(shí)施例包括具有布置在n型區(qū)和p型區(qū)之間的發(fā)光層的III氮化物發(fā)光器件。玻璃層連接到III氮化物發(fā)光器件。波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層布置在III氮化物發(fā)光器件和玻璃層之間。在平行于III氮化物發(fā)光器件的頂表面的平面中，玻璃層具有比III氮化物發(fā)光器件更小的橫向范圍。

附圖說(shuō)明

圖1圖示了包括LED、波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換層和透明層的晶片。

圖2圖示了LED的示例。

圖3圖示了在切分框架上布置的圖1的晶片。

圖4A圖示了利用寬刀片部分鋸切晶片。圖4B圖示了利用窄刀片鋸穿圖4A中的晶片的其余厚度。

圖5A圖示了利用寬刀片部分鋸切晶片。圖5B圖示了利用剝離激光切穿圖5A中的晶片的其余厚度。

圖6A圖示了利用窄刀片部分鋸切晶片。圖6B圖示了將晶片倒裝過(guò)來(lái)并且利用寬刀片鋸穿圖6A中的晶片的其余厚度。

圖7A圖示了利用剝離激光部分切割晶片。圖7B圖示了將晶片倒裝過(guò)來(lái)并且利用寬刀片鋸穿圖7A中的晶片的其余厚度。

圖8A圖示了利用剝離激光部分切割晶片。圖8B圖示了將晶片倒裝過(guò)來(lái)并且對(duì)圖8A中的晶片的其余厚度進(jìn)行刮劃并使其斷裂。

圖9A圖示了利用窄刀片部分鋸切晶片。圖9B圖示了將晶片倒裝過(guò)來(lái)并且對(duì)圖9A中的晶片的其余厚度進(jìn)行刮劃并使其斷裂。

具體實(shí)施方式

盡管在下面的示例中，半導(dǎo)體發(fā)光器件是發(fā)射藍(lán)色或UV光的III氮化物L(fēng)ED，但是可以使用除LED之外的半導(dǎo)體發(fā)光器件，諸如激光二極管和由其他材料系統(tǒng)（諸如其它III-V材料、III磷化物、III砷化物、II-VI材料、ZnO或基于硅的材料）制成的半導(dǎo)體發(fā)光器件。