[發明專利]用于更均勻的層厚度的基板支撐環

有效

• 申請號: 201480040458.8
• 申請日: 2014-07-01
• 公開（公告）號: CN105393344B
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 潘恒;勞拉·哈夫雷查克;克里斯托弗·S·奧爾森
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

本文提供基板支撐環的實施方式，所述基板支撐環使基板上所沉積或生長的層有更均勻的厚度。一些實施方式中，基板支撐環包括：內環，所述內環具有置中的支撐表面，以支撐基板；以及外環，所述外環從所述支撐表面徑向向外延伸，其中所述外環包含反應表面區域，所述反應表面區域設置在所述支撐表面的支撐平面上方且大致平行所述支撐表面的支撐平面，且其中所述反應表面延伸超出所述支撐表面約24mm至約45mm。

技術領域

本發明的實施方式大致關于半導體處理。

背景技術

諸如半導體晶片之類的基板可由支撐裝置(諸如邊緣環)所支撐，以在處理腔室內處理。一些半導體制造工藝(諸如沉積或生長氧化物層的工藝)中，在處理腔室中啟動燃燒反應而生成氧物種(oxygen species)，以有助于氧化物層的生長。然而，發明人已觀察到在一些工藝中，工藝的不均勻可能發生，這影響晶片表面上的層的厚度均勻度。特別是，已觀察到在基板邊緣有不同的沉積或生長速率，導致基板邊緣有不均勻的層形成。

因此，發明人已提供基板支撐件的實施方式，所述基板支撐件可有助于在一些半導體制造工藝期間提高工藝均勻度。

發明內容

在此提供基板支撐環的實施方式，所述基板支撐環使基板上所沉積或生長的層有更均勻的厚度。一些實施方式中，基板支撐環包括：內環，所述內環包括置中(centrallylocated)的支撐表面，所述支撐表面適于支撐基板；以及外環，所述外環從所述支撐表面徑向向外延伸，其中所述外環包含反應表面區域，所述反應表面區域設置在所述支撐表面的支撐平面上方且大致平行所述支撐表面的支撐平面，且其中所述反應表面延伸超出所述支撐表面約24mm至約45mm。

一些實施方式中，基板支撐裝置包括：內環，所述內環包含置中的支撐表面以支撐基板；以及外環，所述外環從所述支撐表面徑向向外延伸，其中所述外環包含反應表面區域，所述反應表面區域位于所述支撐表面的支撐平面上方且大致平行所述支撐表面的支撐平面，其中所述反應表面延伸超出所述支撐表面約24mm至約34mm，且其中所述反應表面在所述支撐表面上方約0.86mm至約0.97mm處。

一些實施方式中，基板處理裝置包括腔室主體與基板支撐裝置，所述腔室主體包圍處理空間，而所述基板支撐裝置設置且支撐在所述處理空間內。基板處理裝置包括：內環，所述內環包含置中的支撐表面，所述支撐表面適于支撐基板；以及外環，所述外環從所述基板支撐表面徑向向外延伸，其中所述外環包含反應表面區域，所述反應表面區域位于所述支撐表面的支撐平面上方且大致平行所述支撐表面的支撐平面，所述反應表面延伸超出所述支撐表面約24mm至約45mm。

本發明的其他與進一步的實施方式于下文中描述。

附圖說明

以上簡短概述及以下更加詳細討論的本發明的實施方式，可通過參考附圖中所描繪的本發明的說明性實施方式而理解。然而應了解，附圖僅說明本發明的典型實施方式，且因此不應考慮為限制本發明的范圍，因為本發明可認知有其它等同效果的實施方式。

圖1描繪根據本發明的一些實施方式的基板支撐環的頂視圖。

圖2描繪沿II-II所截取的圖1的基板支撐環的剖面視圖。

圖3描繪包括根據本發明的一些實施方式的基板支撐環的處理腔室的示意性剖面視圖。

圖4A與圖4B描繪在相同腔室條件下處理的分別在非旋轉晶片與旋轉晶片上沉積或生長的層的所觀察到的厚度。

圖5描繪使用根據本發明的實施方式的基板支撐環于不同溫度下在基板上沉積或生長的示范性層厚度的圖表。

為了幫助理解，已盡可能地使用相同的元件符號以標示各圖都有的相同元件。附圖并非依比例繪制且為了清楚而可能簡化。應考慮一個實施方式的元件及特征可有益地并入其它實施方式中而無須進一步說明。

具體實施方式