[發(fā)明專(zhuān)利]用于更均勻的層厚度的基板支撐環(huán)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201480040458.8
• 申請(qǐng)日: 2014-07-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN105393344B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 潘恒;勞拉·哈夫雷查克;克里斯托弗·S·奧爾森
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/683
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/683
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國(guó);趙靜

1.一種基板支撐裝置，包括：

內(nèi)環(huán)，所述內(nèi)環(huán)包括置中的支撐表面，以支撐基板，其中所述支撐表面被配置為沿著所述基板直徑的1.10％至1.56％支撐所述基板；以及

外環(huán)，所述外環(huán)從所述支撐表面徑向向外延伸，其中所述外環(huán)包含有效燃燒反應(yīng)表面區(qū)域，所述有效燃燒反應(yīng)表面區(qū)域設(shè)置在所述支撐表面的支撐平面上方且平行所述支撐表面的所述支撐平面，并且其中所述有效燃燒反應(yīng)表面區(qū)域延伸超出所述支撐表面24mm至45mm以減少發(fā)生于所述基板上的邊緣滾落部。

2.如權(quán)利要求1所述的基板支撐裝置，其中所述內(nèi)環(huán)與所述外環(huán)一體成形式形成。

3.如權(quán)利要求1所述的基板支撐裝置，其中所述內(nèi)環(huán)與所述外環(huán)分別形成。

4.如權(quán)利要求3所述的基板支撐裝置，其中所述內(nèi)環(huán)與所述外環(huán)耦接在一起。

5.如權(quán)利要求1至4的任一項(xiàng)所述的基板支撐裝置，其中所述內(nèi)環(huán)與所述外環(huán)的至少一者是由陶瓷材料形成。

6.如權(quán)利要求5所述的基板支撐裝置，其中所述陶瓷材料包含碳化硅。

7.如權(quán)利要求1至4的任一項(xiàng)所述的基板支撐裝置，其中所述有效燃燒反應(yīng)表面區(qū)域在所述支撐表面上方0.86mm至0.97mm。

8.如權(quán)利要求1至4的任一項(xiàng)所述的基板支撐裝置，其中所述支撐表面配置成支撐具有300mm的直徑的基板。

9.一種基板支撐裝置，包含：

內(nèi)環(huán)，所述內(nèi)環(huán)包含置中的支撐表面以支撐基板，其中所述支撐表面被配置為沿著所述基板直徑的1.10％至1.56％支撐所述基板；以及

外環(huán)，所述外環(huán)從所述支撐表面徑向向外延伸，其中所述外環(huán)包含有效燃燒反應(yīng)表面區(qū)域，所述有效燃燒反應(yīng)表面區(qū)域位于所述支撐表面的支撐平面上方且平行所述支撐表面的所述支撐平面，其中所述有效燃燒反應(yīng)表面區(qū)域延伸超出所述支撐表面24mm至34mm以減少發(fā)生于所述基板上的邊緣滾落部，且其中所述有效燃燒反應(yīng)表面區(qū)域在所述支撐表面上方0.86至0.97mm處。

10.一種基板處理裝置，包括：

腔室主體，所述腔室主體包圍處理空間；以及

基板支撐裝置，所述基板支撐裝置設(shè)置且支撐在所述處理空間內(nèi)，所述基板支撐裝置包括：

內(nèi)環(huán)，所述內(nèi)環(huán)包含置中的支撐表面，所述支撐表面適于支撐基板，其中所述支撐表面被配置為沿著所述基板直徑的1.10％至1.56％支撐所述基板；以及

外環(huán)，所述外環(huán)從所述支撐表面徑向向外延伸，其中所述外環(huán)包含有效燃燒反應(yīng)表面區(qū)域，所述有效燃燒反應(yīng)表面區(qū)域設(shè)置在所述支撐表面的支撐平面上方且平行所述支撐表面的所述支撐平面，并且其中所述有效燃燒反應(yīng)表面區(qū)域延伸超出所述支撐表面24mm至45mm以減少發(fā)生于所述基板上的邊緣滾落部。

11.如權(quán)利要求10所述的基板處理裝置，進(jìn)一步包括：

氣源，所述氣源供應(yīng)工藝氣體至所述處理空間；以及

輻射能量源，所述輻射能量源設(shè)置在所述基板支撐裝置上方，其中所述輻射能量源具足夠能量以供給所述工藝氣體能量，以在所述基板支撐裝置上方形成且維持等離子體。

12.如權(quán)利要求10所述的基板處理裝置，其中所述基板支撐裝置受支撐以進(jìn)行在所述處理空間內(nèi)垂直位移和在所述處理空間內(nèi)旋轉(zhuǎn)中的至少一者。

13.如權(quán)利要求10至12的任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其中所述內(nèi)環(huán)與所述外環(huán)一體成形式形成。

14.如權(quán)利要求10至12的任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其中所述內(nèi)環(huán)與所述外環(huán)的至少一者是由陶瓷材料形成。

15.如權(quán)利要求10至12的任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其中所述支撐表面配置成支撐具有300mm的直徑的基板，并且其中所述有效燃燒反應(yīng)表面區(qū)域在所述支撐表面上方0.86mm至0.97mm。