[發明專利]用于生產單克隆抗體的改進方法在審
| 申請號: | 201480038458.4 | 申請日: | 2014-07-07 |
| 公開(公告)號: | CN105431454A | 公開(公告)日: | 2016-03-23 |
| 發明(設計)人: | 桑吉夫·庫瑪·門迪拉塔;桑賈伊·班迪奧帕迪亞伊;桑賈伊·帕特爾 | 申請(專利權)人: | 卡迪拉保健有限公司 |
| 主分類號: | C07K16/24 | 分類號: | C07K16/24;C07K16/22;C07K16/32;C07K16/28 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 彭鯤鵬;鄭斌 |
| 地址: | 印度古*** | 國省代碼: | 印度;IN |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 生產 單克隆抗體 改進 方法 | ||
1.使用修改的細胞培養方法生產具有需要的聚糖譜和/或帶電物變體譜之抗體的方法,其中所述細胞培養方法包括:
a)將細胞培養條件以一定間隔保持在合適的溫度條件下;
b)在所述生產抗體方法期間,以一定間隔向培養基同時或順序地添加特定氨基酸。
2.如權利要求1所述的生產方法,其中細胞培養方法的特征在于:在細胞培養過程期間,在固定的溫度下或以逐步方式降低溫度,將細胞培養生產條件保持在合適的溫度下。
3.如權利要求2所述的生產方法,其中合適的溫度條件包括:在第一溫度條件下使細胞生長直至對數中期,接著將細胞培養條件保持在第二溫度條件和任選地第三溫度條件下直至所述生產方法結束。
4.如權利要求3所述的生產方法,其中將所述第一溫度條件保持在高于所述第二溫度條件和任選地所述第三溫度條件的溫度下。
5.如權利要求2至5所述的生產方法,其中所述第一溫度條件為約37℃,并且所述第二溫度條件和任選地所述第三溫度條件為35℃至30℃。
6.如權利要求1所述的生產方法,其中在細胞培養過程期間將所述氨基酸以一定濃度和特定時間間隔添加至細胞培養基。
7.如權利要求7所述的生產方法,其中在所述細胞培養過程期間至少以兩種不同的間隔進行氨基酸添加。
8.如權利要求1所述的生產方法,其中以每次低于10mM的濃度向細胞培養基添加氨基酸。
9.如權利要求1所述的生產方法,其中所述氨基酸選自包含酰胺基的氨基酸和堿性氨基酸,例如谷氨酰胺、天冬酰胺、組氨酸、賴氨酸、精氨酸及其組合。
10.如前述任一項權利要求所述的生產方法,其中將葡萄糖濃度保持在0.5g/L至8g/L,優選2g/L至4g/L。
11.如前述任一項權利要求所述的生產方法,其中通過使用合適的緩沖劑使pH保持在pH6至pH7.5,所述緩沖劑選自碳酸氫鈉緩沖劑、碳酸鈉緩沖劑和HEPES緩沖劑。
12.如前述任一項權利要求所述的生產方法,其中細胞生產力不低于0.5g/L,優選1g/L至4g/L。
13.如前述任一項權利要求所述的生產方法,其中保持細胞活力不低于30%,優選約80%,更優選大于95%。
14.如前述任一項權利要求所述的生產方法,其中抗體選自抗HER抗體、抗TNF抗體、抗VEGF抗體和抗CD20抗體。
15.如前述任一項權利要求所述的生產方法,其中抗體選自曲妥珠單抗、帕妥珠單抗、英夫利單抗、阿達木單抗、貝伐單抗、雷珠單抗和利妥昔單抗。
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